TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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感谢感谢 ! g# ]4 J4 w, N* C3 n. F% G
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工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm( i! b& F1 j+ E0 [0 z
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按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
& H- ^1 g/ Z% P$ F$ G% R确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的
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延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
2 T3 a- M2 @/ t/ k; l2 E |* S那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。: ^- ?" d4 {! d$ X2 |6 U% L8 {" p
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另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
/ m( K# R+ O8 n和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:) E2 A; S* S; y8 m
2.1集成电路生产装备
, }, w% H' f Q/ O9 [. B/ E$ I2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅
/ t+ t7 J {* ^2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗. X5 P" d" \. ]" R p# n
2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm6 J. b5 e6 C& ~+ H# P: [- u1 ~' x
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影
1 {; n# Q- q5 `2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm7 t+ m3 _# J1 z* X. k
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm9 e9 r$ d6 W, x0 n: Y6 H& C
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%
$ G8 i/ S. |2 G2 T/ j2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA
) j! P9 m: ^, C9 D& E& i2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀4 E- d9 E" [2 e) z( j8 z& P+ }
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°8 i+ w: o2 v, F# y
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积
: i. v( W0 H; h, T0 }2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积: M- i6 C) Q3 W% p3 _# v
2.1.13化学机械抛光机 % v" R! [; D4 t' I" i
铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min
, l1 `6 a T/ I3 t- \4 r 钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min- E1 C& H7 M+ }
铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min/ Q! g" K* {$ u& [0 w, |& ]
介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min
0 L% W# u0 A8 q; L! A, ]2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
. F. I( _# ~6 K/ ~1 M1 g2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm, x$ e# w0 c; L3 s7 w; |/ l/ Z* u
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很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。3 T, q- l( L, [$ U8 C6 L- G C$ O
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