国产光刻机猜测

moletronic

8 D' ~. D* a2 T3 E( G+ j4 e3 W5 ?被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
$ L  U- h2 v) X! Q& B0 C光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
: E8 _$ c. o% D2 s1. 表面清洗
1 q8 W9 G% @/ F4 U7 Q% Y6 x2. 预处理
" K& O* A7 q0 r1 R9 ]3. 甩胶
8 J+ V0 e6 {! ~+ i4. 曝光
5. develop（显影？）
$ @+ t( e: [0 v( Q( J6. 刻蚀/离子注入
7. 去胶
; W: l% S) O4 S- q% L8 }' y光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：

对于光刻机，公式演变为：

  D8 a, ~$ \2 D9 M3 L这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
1. 436 nm (水银灯"g-line")
2. 405 nm (水银灯"h-line")
3. 365 nm (水银灯"i-line")
3 r* w( J" C- U3 L  ^4. 248 nm (KrF激光)
5. 193 nm (ArF激光)
" x  C3 v' o% c9 s/ j, [  _6 g5 |$ G6. 13.5 nm (EUV激光)
( M, Z0 H( z& Y9 g# D, p工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
: a/ R! M" p& t4 H1 l3 y. s7 U; g3 F按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
- M) {# W0 i7 z" \4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
6 c6 k6 I% v- K, Q5 R
0 L" `, ^5 l9 N2 u% W1 t/ u+ X1 J, R网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。

orleans

下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。

马鹿

我还以为你才30多岁。。。

moletronic

马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
% K+ \# v* `2 ^* g我还以为你才30多岁。。。

5 J1 w: H1 `( t+ ?& {西西河一开俺就去了，那都快20年了

陈王奋起挥黄钺

凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
" t1 G0 _: J4 o- m# {  H
9 y5 G# E. j+ p; G5 E; r国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。

凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。

宝特勤

在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。

moletronic

公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。

老财迷

感谢感谢

+ T! H" f' d, Y4 c/ o6 ]6 V工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
+ q0 Z* y2 t6 X, r7 ~# N
: d! W) W7 H1 j5 h/ \: \按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
# H6 d* ^) `1 K( E8 |: U确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
6 w$ N  p/ P* G* _0 Q) e
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
: G! z' P# `$ g那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
* R- a) a9 ~' T& a% `! j# L
# |! [5 ^# `9 Q- [$ U另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
3 `4 ~9 J7 F1 @* Y- t2.1集成电路生产装备
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
. t& Y5 ~; p. Z" I: Y  Q. [2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
- A0 V. T6 C7 Z2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
+ g* W5 a7 k# f" M. T# g0 \8 x2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
4 V/ n$ j0 {/ V& N$ @2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
# u( s4 J" E9 g0 [) k% c2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
8 n& o6 S5 V/ b+ q& Z: S- _2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
3 \) \0 O1 X/ Z: Q  ^" p2 M2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
$ K6 d4 c; w0 y7 O; _2.1.13化学机械抛光机
4 f1 G, }7 ?7 O! w, q% u    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
# |% o3 d( _/ A' C6 [& F9 ~5 F% s+ [    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
9 i, ^- y2 t3 p  ]0 K! w2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm

很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。

老财迷

moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

  D, H5 Y. x, c2 S. F个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。

moletronic

既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。

moletronic

另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。

晨枫

老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
# r3 v; Q3 V) M感谢感谢
0 f- P" T4 k7 G0 J
% D% n' u$ F9 v工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
$ e) j8 x: d) G" a1 t
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
" @( J* B5 o7 `& s! z- A
1、内行人一看就知道，还在65nm
: ~$ F4 [! ?' Q2 w4 J2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平

然后就要等EUV了。
( u! p2 J" Z( \- O
, o! [& v! D2 t' {会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？

6 ]' R( D9 s0 r3 V在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

moletronic

EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。

沉宝

晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
; T7 q( V# d7 x3 A* `9 p也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
! x- u0 |9 I6 ]
# d+ l# Z! F( T个人感觉：相比于前一阵 ...

3 u: X. }' b: D! D! ?( `不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
' f' b$ k* O8 H* Y
$ u: [' w$ t6 n6 u) a) D7 t从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
( z) H6 R3 s7 ]; P
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
6 A! V+ {& @. L0 f" C3 c
4 f: ?: q* n3 l2 E% S/ h
9 L2 R: Y' q* s, Z2 W& {) [SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
) }1 d. t7 j3 w/ b& a
7 |* t0 b9 Q% n$ Z1 w! N% U9 S
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。

晨枫

moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
5 U$ w0 `; ~- a. z, }# M$ {EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

也就是说，EUV用浸水没有用？

晨枫

沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
  h. L- r+ W5 c, E3 m2 W1 p" \" Z, C不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。

6 g: o3 y4 g2 u, _( \+ n7 G7 C$ Q从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

' M/ \. }+ F- e0 K  R7 t不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

moletronic

晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
5 ~2 b  L& Y; G0 _: T4 ^5 z也就是说，EUV用浸水没有用？

理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。

晨枫

moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
2 z6 J9 p- R) B  o5 F3 d8 n理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

moletronic

晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

) h$ \! Z( I7 @. P$ X/ N相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。

ringxiao

在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
6 u7 Y. }7 B7 ~  P2 a; J1 q
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357