TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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感谢感谢 , Y: W$ r* A% H# A
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工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm2 V( D2 z! K- a( \
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按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。0 n3 }! ^9 S& A
确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的
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延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
1 h- i- k ~; N: f: V1 \3 `那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。: g6 ^/ Q3 X$ ?( k; U7 b
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另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html' r M3 U/ U& c9 F& O& b: n
和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:1 q5 @7 O6 X7 B) C
2.1集成电路生产装备
4 x" o9 P) z, f9 _2 @2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅. H8 p2 z+ x9 L6 {; n1 i
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗
5 X3 N0 p, M4 i& n& S2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm* }! k# m" B6 a' @! K# w, V
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影
( n. J6 C0 ]" ]2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm
" D: V* r/ I) C: M0 B$ q! s2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm& W ~) c7 i! X; e1 M9 Y
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%
8 G, P; ~. F; Q5 S2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA
9 R# R% r" h5 ]0 _6 g. V2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀7 e* v5 t, {* X j3 s/ b, h% _% H
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°$ \& K9 N3 i, ^ C3 b H' J8 N$ F
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积
. W5 J$ J: ^ I2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积
7 x5 M2 v2 g: r" z2.1.13化学机械抛光机 c E9 a& t1 K4 `
铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min) p# V5 O+ h9 ?! z7 B& U
钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min D0 \6 {( V/ A, z5 j6 V/ K0 a
铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min
9 h/ i D0 Y7 v7 a3 L' ] 介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min
& \! Y0 y+ R6 e, _ W6 x2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm4 I0 |3 t0 e6 k" g) H
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm
W# K8 p# f7 \; _2 E9 s: V! D K) X0 T4 W1 _+ E( c; @
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。2 e9 |! p2 V# W; U* [
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