TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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感谢感谢 
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工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm( J' g) e6 V0 U% k ^/ k
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按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
4 T# s- ^; w3 ], R% q) u. C% G6 R确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的
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延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
+ s* `. E6 b. C* G% v* w% ~% N那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。4 L3 A) `. f8 |0 v/ u( i( e
J: x2 k* @3 t% d, ~5 l' h& ~
另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
/ B9 P. ^/ \6 O2 }! ]; q3 {和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:6 N$ f% `9 o+ _6 l2 s
2.1集成电路生产装备. J. Q, s% W' {4 z! T8 W u# M
2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅
4 ?% z J% r5 R5 y0 C7 j2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗% O L: a: `: _$ U! s' L: b
2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm+ R x) x$ \, c+ n
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影
4 k: C @8 |1 S' a2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm
2 ^8 U: I0 I$ o% d, @2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm. @6 ^4 K. D0 Z% `/ \* A4 c
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%
# D P% ~" m/ R- ~7 e: s; ^2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA) E" e% R, n; k2 g
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀- M% U- F. y0 J% f5 \
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°7 r" h+ w& M0 @) o: k
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积
: }( {( i: T3 T3 m+ i$ e: ^2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积+ M4 A4 U3 e0 V0 v; J0 Q1 [- [
2.1.13化学机械抛光机
) Y$ E5 k' f# S: Y y 铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min- r6 k1 Z9 F6 r9 k* \
钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min% y& c' a. f+ e; O4 H
铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min6 g& J; d# f& ]" `
介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min- e. V& ?* ]3 O/ r3 ?; Q! p
2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
* u L" \2 K1 a2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm
1 X1 U) p8 w0 f5 w) f- f, [2 f6 i, B% e1 ^2 ]1 a
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。0 Z8 k, K. X! v3 @$ D
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