TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
---|
签到天数: 351 天 [LV.8]合体
|
感谢感谢
' f8 D$ o# [ _' [, Y; u# h
/ a5 q& z3 O/ T: Y* ?. o" T工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
! \! A2 t7 v4 z
; A* \' w) J1 U& C7 L+ c2 S6 g按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
7 k, s5 q& p! O8 g& ?0 O5 k确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的6 q4 h' T6 p. R1 ]" z# |7 t
" u+ H/ b. @# t3 _- D延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。$ i- e6 k- T: l6 @0 ^) H
那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。
( }# H3 o+ U. V8 m- |8 e% h3 C3 }: G0 }
另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
0 o" }$ I6 g! z% d和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:
# ]3 o+ O/ m/ V% e2.1集成电路生产装备- H- q+ b+ s5 i5 q" f/ F
2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅6 C! m$ f5 K) T8 A' J: Q& r
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗3 d) y- d; W( [
2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm# _4 Z6 m2 q# I( g, `: G2 @
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影
, A$ u& `4 E0 k" {0 U6 b2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm
9 O: q' \/ x! n# m. R2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm& q, p5 v* P* S* h; [
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%6 n- n& {7 H# F
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA
% z, b+ ?1 G2 K2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀6 L# j" e2 p! z5 m1 {2 I* h3 e
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°
3 ~3 i7 U! o7 D5 Q! m, Q2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积: x, [5 I- |/ u# J3 @( k6 r) }- K/ K
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积9 \8 B3 V y* B. p9 j$ U" X
2.1.13化学机械抛光机 2 f1 X7 Q. j0 [+ g5 S3 s
铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min! t: T; p; m) \9 G @
钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min; U, m9 P) q3 @$ C' W, ?
铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min1 F. z) s) h8 j0 o
介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min
- P; n z2 ]7 @: p5 c5 G, a M2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
6 _7 e% o" \; P8 ?2 V2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm
" v+ _# `5 ?' v8 X
, I2 u0 U, ~5 O$ h1 ~) \很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
5 Y( ~. ^" v1 ~ |
评分
-
查看全部评分
|