TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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感谢感谢 
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' w: q( K) n4 E0 e& \6 O工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm3 P/ x* w: C+ k' o8 ]$ X
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按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。 Y% c/ Z+ V0 G5 l/ t1 K
确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的 0 x/ v: w5 C7 I% a* Z2 T7 A$ L
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延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。" Q; a ~9 H6 P4 s
那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。8 w1 z- p4 U- j( G
4 Q# r8 }! m4 ?, J% x7 @+ ]
另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
4 i/ ?; ?/ l* `5 I0 `和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:
1 I# n- U: y7 B/ I7 |( n/ j2.1集成电路生产装备; m1 ?8 c2 [6 [, L* f7 z
2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅7 S# t: W" X1 \4 H* o. n
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗+ S% {; V% n. A
2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
3 g w4 C5 h6 m4 j7 g2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影
. |. z/ J, ^5 ]" V \4 ]5 G2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm: E9 J! ^5 M \0 |. i& K8 R5 e
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm9 E* R& Q0 X C, H; L2 M
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%
], {7 v& m% R) ?& |2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA
6 t; ^5 q) G% e/ p, c& i, ~2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀+ d- @; E& G* _9 w0 P
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°6 I+ w& g# U7 s, h) ~
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积
; f) p) h* P0 T" _9 F3 p2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积* H8 ]. I; O5 F$ ]% K4 m# Y
2.1.13化学机械抛光机 : H) m/ A! b9 d8 M
铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min
& \' t8 @; P3 X 钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min
# \0 X, z$ r' y: J9 L9 L ~ 铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min
( l V! S, O1 b( C2 [9 E 介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min
' W/ b2 C) |( K2 [2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
$ L! j- T* S1 n) k/ S0 A2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm$ H& t I* ~; t0 y
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很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。1 N# A1 C' ?& a! B4 z0 I
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