TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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感谢感谢 ' g; q7 u! G+ E7 y
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工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
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按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。( F2 ]. R. N' t4 W$ X6 @8 a. `
确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的
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7 y0 w% z( O8 b, ^) a4 w延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。" w, @! z" v5 ?# c: k- d/ p0 m% Y, |
那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。' A7 L6 B$ R. W+ n6 q$ G
6 J j8 m) O7 f2 L# o2 l; M另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
$ ^! n% {- h+ o和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:6 k) ^( I+ `/ \' T4 |# o. k
2.1集成电路生产装备
; U& }; A! O& q9 C( c2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅
( A0 a: Y* G+ ?# E& x# V2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗
$ O2 u- o' x! L# \; t2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
7 {+ j2 L7 U% `. Y2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影) t0 A* ?, b2 k! a& v2 D/ C
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm) r! s1 G/ x: m' a+ b9 s, r
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
* w$ I( ^3 D; h/ K1 c* `2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%
8 U1 O# J# |) v. T3 X! v2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA
( g/ G# O& D/ ^+ v! a2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀2 k4 K2 @% K4 Q
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°
2 Z' B- Y. A* Z3 O+ D2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积
5 l* m- @& o0 H8 I+ {" ~' c+ q0 k2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积1 p$ |. a7 V4 l
2.1.13化学机械抛光机 3 ?9 A! X9 Q S
铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min' N( i0 s6 I6 C- L' {3 H1 W
钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min) o: s& c+ t! L9 M) j) N" w* k% v$ q
铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min
; s( w, A; Y0 ]4 w; z 介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min- V# Q. H! q6 Q5 r
2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
6 c4 e8 E$ z4 x) J3 _2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm& l, b0 j; A6 t! G
* k3 c" Q6 A" o+ C" G很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
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