TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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感谢感谢 
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) e, g/ I1 ?/ h( |; o; R, ]* o工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
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按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。4 f1 y8 e& I: n4 A5 G
确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的 3 L; Z8 y0 I1 s# _* h. \- C4 s
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延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。9 s) r% `& f! x3 L2 Q( o) @
那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。( Y" ~/ P* o4 ?$ I5 [9 V; O
) T: v7 ^$ x* o另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html" g" g, f$ c6 b( L, e
和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:
# U' J8 V; K- l* n. Z2.1集成电路生产装备* ]2 O# J4 s$ Z, a* P: G5 W
2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅
6 B- r5 m6 N1 H! [9 a2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗
1 X6 i, P' {1 P, c r+ J' z; t2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm+ F7 p, K: Q S' r
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影3 \- s; p' ]* W5 f
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm
: t" _: \, e* O. D7 O2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm& V1 J+ ]* w3 Y/ J
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%- l% K. e8 L! E4 X
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA: ^9 k0 V1 i# M1 k
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀2 ^$ R4 M1 d( b' ~$ N1 W
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°
0 Z/ L# C- Y8 R: u2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积% m0 a" W- X5 d* q0 W! m$ I
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积: D8 c) I5 r4 c5 c! m8 H
2.1.13化学机械抛光机 " {( {: S; r+ W$ l: |% @
铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min
& W* P9 x1 X) g d) S9 r 钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min
1 L; G7 x$ U' Q2 i3 r, d h: I 铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min
) K4 }& \1 r( I- o) G, X 介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min/ K. [& i2 n; J; d% ^* C$ {" h, D
2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm. |. E+ M5 L! Z1 V3 b6 z) e
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm
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8 L; W$ N( C( g很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。0 V2 p6 k! x1 J
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