设为首页收藏本站

爱吱声

 找回密码
 注册
搜索
查看: 4066|回复: 53
打印 上一主题 下一主题

[科普知识] 国产光刻机猜测

[复制链接]
  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    跳转到指定楼层
    楼主
     楼主| 发表于 2024-9-15 15:36:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
    本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
    ' y  e% T" C* j& K
      X$ d7 m2 J) `2 _3 ~) w" e$ u被老财迷点名了,又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法,俺就来稍微说几句。
    * N5 i$ g, U+ Y' Y+ _6 a  f光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧,俺第一次看到光刻机,那时洋名叫Aligner,后来又有Stepper,Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的,俺个人以为也不算是很好的命名方式。  ]& J- ~0 M6 {- D* J6 e( ^
    还是回到光刻机本身吧。顾名思义,光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂,往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤:9 c+ R1 O# ?4 u9 N3 k, G9 h& g3 _
    1. 表面清洗1 B. o* `7 ?) j* U  t$ l" b3 J& N, v
    2. 预处理
    - N+ s& l+ _& P; I- A3 I3. 甩胶* T# p2 T/ V- {3 {
    4. 曝光
    7 m$ s4 A- G  O* z$ x5. develop(显影?)
    & k6 f' [( C: @5 n6. 刻蚀/离子注入: ]  c# e. x% {' m- p! W
    7. 去胶6 `+ r8 J4 L. |% T/ h- }
    光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点,这个XXnm,在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统,而Ernst Abbe在1873年就给出了公式:
    8 k* R/ s3 r& Z: [. K% k+ i
    - R6 q* u) t6 W: f  u/ i4 s对于光刻机,公式演变为:
    ' v- Y) A6 s* ^1 Z+ d( m# @
    & J  ^, q4 F# @9 L: A- n这里面CD是最小尺寸,lamda是光波长,NA是数值孔径,K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d,要么减小波长,K1,要么增大数值孔径。下面是用过的波长:
    ; t7 A( [. u' E# {( h1. 436 nm (水银灯"g-line") : S' E8 f9 j% a1 C
    2. 405 nm (水银灯"h-line")
    # v4 |- p# n! Y* Q& T5 k* a9 |3. 365 nm (水银灯"i-line")4 z3 H  \5 [  u; Q5 w
    4. 248 nm (KrF激光); x' O& l! g! [% O3 _( ~
    5. 193 nm (ArF激光)
    # t9 Z; P; K4 f8 i. O6. 13.5 nm (EUV激光)
    ) U( |; i, f8 {9 X5 ?1 X7 [8 a* Y; }工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm,现在变成65nm,估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西,区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点,台积当初就做到了。三星水平差一些,有两层上了EUV。牙膏厂的10nm(对应台积7nm)就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
    5 \7 T0 o; d' d2 q5 I按照公式193nm对应的极限是90nm,但还能继续是因为有一些别的技术:
    ! S8 G+ z1 |9 A" y1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44,相当于数值孔径变大1.44倍。9 @2 ~" C/ `  M6 r4 e+ g! t
    2. 光学临近矫正(OPC)。早年的光刻遵循的是几何光学,不考虑衍射,掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果,掩膜上形状和最终印出来的不一样,这样可以做出更小尺寸。5 S6 Y, [. H7 `( f' K1 Q9 m
    3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure,那个是把前面工序变成1,2,3,4,4,5,6,7. 现在这个double-patterning要更复杂,简单说是1-7,1-7要做两次。这两次之间硅片会动,要回到原位,就有误差,就是那个套刻精度。2 k8 E+ b3 n5 G: r& [, ?' y% j- n7 U
    4. FinFet/GAA,这个其实并没有实际减小尺寸,只是让有效尺寸变小了,所以节点数字变小。
    / R( n/ }" M- N" ]& |; E6 Q0 Q0 ]  Q4 X1 N8 @" Z
    网上谣言说国内的浸水还在测试,希望能尽快成功吧。

    评分

    参与人数 18爱元 +160 学识 +7 收起 理由
    草纹 + 10 + 5 谢谢!有你,爱坛更精彩
    drknight + 10 涨姿势
    landlord + 12 涨姿势
    togo + 10 涨姿势
    pcb + 4

    查看全部评分

  • TA的每日心情
    开心
    6 小时前
  • 签到天数: 313 天

    [LV.8]合体

    沙发
    发表于 2024-9-15 20:14:31 | 只看该作者
    下笔千言,文眼就一句:“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西,区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了,现在你说LE变SE,进步就等于没进步嘛。
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    12 小时前
  • 签到天数: 3464 天

    [LV.Master]无

    板凳
    发表于 2024-9-15 20:18:14 | 只看该作者
    我还以为你才30多岁。。。
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    地板
     楼主| 发表于 2024-9-15 21:56:18 | 只看该作者
    马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
    3 y- @* t* [7 X) V% _我还以为你才30多岁。。。

    ( H- y0 ?1 ^  Z0 |* x7 Z6 O西西河一开俺就去了,那都快20年了
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2020-9-28 03:33
  • 签到天数: 17 天

    [LV.4]金丹

    5#
    发表于 2024-9-16 01:17:10 | 只看该作者
    凭借目前公布的硬件参数,是可以轻松实现65nm的,20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步,也就是OPC,提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩,突破到28nm问题不大。. k& [' t6 t  X. g
    ! p% `7 `+ }0 n$ n( n9 q/ a6 q
    国内目前的所有半导体的前沿突破,都不在公开的生产线上,因为敌人可以拆解你的光刻机,制裁你的供应商,从而摧毁你的供应链。$ U) Y) d" d3 I  D# h' j! h3 l; A

    # F9 u; O* [6 h4 u4 _- r: Q凡是公开的,都是敌人无法阻挡的。

    点评

    油墨: 5.0 给力: 5.0
    涨姿势: 5.0
    给力: 5
      发表于 2024-11-15 12:02
    油墨: 5 给力: 5 涨姿势: 5
      发表于 2024-9-21 17:38

    评分

    参与人数 2爱元 +18 收起 理由
    云淡风轻 + 8 涨姿势
    helloworld + 10

    查看全部评分

    回复 支持 1 反对 0

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2024-9-16 06:24:01 | 只看该作者
    在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    7#
     楼主| 发表于 2024-9-16 09:46:29 | 只看该作者
    公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题,对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度(wafer/hr),连续生产时长,透镜预热时长等等。

    点评

    油菜: 5.0 涨姿势: 5.0
    油菜: 5 涨姿势: 5
      发表于 2024-9-16 11:21

    评分

    参与人数 3爱元 +30 学识 +2 收起 理由
    常挨揍 + 10
    老票 + 12 + 2 涨姿势
    老财迷 + 8 涨姿势

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-8-27 22:14
  • 签到天数: 351 天

    [LV.8]合体

    8#
    发表于 2024-9-16 11:19:37 | 只看该作者
    感谢感谢
    * b) v( F: w' V- R/ |
    4 k/ L! W5 C* S& S4 V# q& D. A工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm. y8 D( y$ O0 f+ f' {5 D
    % m. z3 ~8 q/ t( M( Q
    按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
      f6 O2 H" o! a% i; y1 J- r7 E% F确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的  S5 ^5 W9 S3 {( t. g0 Y; `
    % L! L* V/ d- i. T& S4 B7 [
    延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。$ K) _2 G  H  E2 h1 r
    那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。
    , Q1 w" g) E: I7 O* S* X* t
    6 m3 V6 p# |: R6 d8 v! z4 W另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
    1 y1 z( y# G2 g- C. S  z和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:4 W" S! N# Y* G9 p2 O: G9 C. W3 L+ W2 }
    2.1集成电路生产装备! R& _2 u! ^/ g2 ]- B( Q( S
    2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅  J$ O  {1 H& r2 v* ?* j
    2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗
    ' Q0 x4 R4 S9 ?8 K% O5 ^0 U8 H8 _2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm) j; D/ G) P( _! a  R
    2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影
    + P1 g! ^6 T& Y2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm
    + [+ V6 w' d; X0 n2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm& _6 a/ u  q. d5 W( k  V
    2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%8 s9 K/ N. M! e/ o1 O1 F, Z: G$ G
    2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA
    6 {  M3 \4 t/ s) g/ S2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀8 I, {' r9 R0 k
    2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°
    2 Q4 f# i- Z5 u1 D8 R2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积
    8 T+ m+ Y+ ?) J4 c& g. b% ^& P2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积% G" u7 H9 t% K8 m( `) W
    2.1.13化学机械抛光机 0 H6 K$ ~4 n2 |0 u2 M
        铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min* k. _, h5 k* d* |: |! j
        钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min
    : e0 [% h7 I& B( p0 U# A    铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min
    9 V& n, h: @0 @1 E8 ]    介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min
    5 T1 E( I% x/ z8 S- O- `2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm, c& p3 V- l* z$ i& g
    2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm
    0 v) N3 J* ~" E! A( J
    7 s7 v& U( J/ \4 O+ f很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。2 l" V: ?: _) K9 U1 v, x

    评分

    参与人数 2爱元 +22 学识 +2 收起 理由
    老票 + 12 + 2
    helloworld + 10

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-8-27 22:14
  • 签到天数: 351 天

    [LV.8]合体

    9#
    发表于 2024-9-16 11:26:23 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2024-9-16 09:466 \& K: ]! z4 h% n
    公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题,对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

    ) g+ d/ q- w8 u个人猜测,在这正式公布之前,国内(大陆)自己的代工厂商,肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围,各大代工厂必然要背负相关的任务,这关系到大基金的投入、将来的单子。
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    10#
     楼主| 发表于 2024-9-16 11:34:56 | 只看该作者
    既然公布了,肯定是用过的,具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂(估计是YMTC)验收完了就放一边落灰了。。。

    评分

    参与人数 1爱元 +8 收起 理由
    老财迷 + 8 谢谢分享

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    11#
     楼主| 发表于 2024-9-16 13:52:53 | 只看该作者
    另外阿斯麦能做到的:NA=1.35,K1=0.25,对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。

    点评

    油菜: 5.0 涨姿势: 5.0
    油菜: 5 涨姿势: 5
      发表于 2024-9-17 08:01

    评分

    参与人数 2爱元 +18 收起 理由
    常挨揍 + 10
    老财迷 + 8 涨姿势

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2024-9-16 14:00:59 | 只看该作者
    老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
    - C) f. @$ o) z. P8 j感谢感谢( y8 ]% o# K$ T' E+ d" M# Q
    1 l  }) H% f2 R: T4 V
    工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤ ...
    9 O" P" b4 Q: |5 A- ^% |+ o
    也就是说,即使28nm现在还有光刻机瓶颈,其他也都就绪、只欠东风了。这是好事!
      }3 h# U1 [% n. {% @/ j" h+ V, c
    3 F* w; P/ {$ @3 m个人感觉:相比于前一阵的绝对保密,现在放出这消息肯定是有用意的。
    ' {2 n7 c: C- K  }) ^9 v1 t8 j# B3 F4 ?: O8 H
    1、内行人一看就知道,还在65nm
    ! i* |5 [- l' q/ U2、没说的就不知道到了哪一步,而中国肯定不会满足于65nm
    $ R- L' |1 |. ~  R0 H3 ?$ c, e3、一旦这一关过去,下一关应该是28nm光刻机(咳咳,我知道这说法要被内行人狂扁,你知道我的意思,暂且手下留情吧),但说中国还有15年的落后可能误导,追赶总是更快,尤其是这在现在根本不是最领先水平
    . k+ q5 k4 c) q( [7 D) C+ e# q4 I* k$ F. e/ _( U( B: J
    然后就要等EUV了。$ Q& Q: v" n0 p
    2 J: N6 n$ C* g
    会不会中国人首先解决光源,索性一步到位EUV,但干式先行?不是说俄罗斯EU V光源给力吗?
    " d9 ~9 `+ m. H6 q4 a7 y
    / f+ Y) s1 X2 V& m% ?在一段时间里,一旦中国28nm全国产化,芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

    点评

    给力: 5.0
    给力: 5
      发表于 2024-9-17 08:03

    评分

    参与人数 1爱元 +8 收起 理由
    老财迷 + 8

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    13#
     楼主| 发表于 2024-9-16 21:42:27 | 只看该作者
    EUV没有透镜,只有反射镜,整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。

    评分

    参与人数 2爱元 +12 收起 理由
    老财迷 + 8 涨姿势
    唐家山 + 4 涨姿势

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2024-9-17 02:46:07 | 只看该作者
    晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
    % i6 t2 _0 e; d, J' R( K8 s也就是说,即使28nm现在还有光刻机瓶颈,其他也都就绪、只欠东风了。这是好事!
    - a# G; ^2 R3 n& m; ]1 X9 w- v; G& d6 _/ q2 x" T: d+ R( r
    个人感觉:相比于前一阵 ...
    , ^2 L: d, \, Q. a9 ]5 l  V
    不存在28nm光刻机,只有28nm工艺节点。' ^! n2 k# J" j+ }% O
    2 M1 h6 D+ l8 n% t: J, e
    从光刻机所用的光源上来说,只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV,那么全都是193nm,即使是台积电的7nm。在典型参数下,193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进,比如提高镜头的数值孔径(玩相机的晨大熟悉这个术语),在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平,再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning(更准确的应称之为multiple patterning),其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过,而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。8 [' a' ]$ L" K2 n
    & x+ N4 S+ t6 h7 h
    以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例,SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西,它只是用作一个骨架,在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉,只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方,这有一点像脱胎漆器,当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作,才得到最终的电路。) c5 H4 ]$ G0 Q- x7 g
    , S" Q& A3 N2 V2 `% t1 G

    , n) v: Q6 v  W  E3 ~& y5 g5 b% |6 ]SAQP则是将SADP的技法重复两遍,以期获得精密度的倍增。
    6 W* C2 P& n5 y7 n# n! U+ V
    0 N1 m; O' R. ]2 F8 h! D1 N8 J6 |7 L# D8 q
    工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材,芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜,是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找,所以没了传统的透镜组,也不可能再有浸液方案,整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的,这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水,而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出,采用EUV后芯片各方面的指标有提升,但这种提高大致是线性的(如果用以前的速度外延的话),而非峭壁式的飞跃。

    点评

    油菜: 5.0 给力: 5.0
    涨姿势: 5.0
    XXnm工艺节点  发表于 2024-9-17 08:10
    油菜: 5 给力: 5 涨姿势: 5
    内行们就是严谨,下次我一定用XXnm节点 :)  发表于 2024-9-17 08:10

    评分

    参与人数 3爱元 +22 收起 理由
    常挨揍 + 10 涨姿势
    老财迷 + 8 涨姿势
    唐家山 + 4 涨姿势

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2024-9-17 03:21:19 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2024-9-16 07:423 C# v0 ?; b6 E( [
    EUV没有透镜,只有反射镜,整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
    - {2 t& k$ m& p* {( J% w6 H) o5 ]
    也就是说,EUV用浸水没有用?
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    16#
    发表于 2024-9-17 03:34:34 | 只看该作者
    沉宝 发表于 2024-9-16 12:460 [; S5 o/ a% u1 Z
    不存在28nm光刻机,只有28nm工艺节点。
    9 H9 d1 Y: [% E6 j' x1 t" i2 U# J+ m9 ~2 e+ u
    从光刻机所用的光源上来说,只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

    1 M; z) w- S  `& _- c0 b不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光,产率和良率应该提高很多?
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    17#
     楼主| 发表于 2024-9-17 04:38:44 | 只看该作者
    晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
    6 u# {' h' X7 H7 E& e2 N也就是说,EUV用浸水没有用?

    5 V" c5 O! j/ y* @理论上有用,但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大,本来EUV光源的强度就小。

    评分

    参与人数 1爱元 +8 收起 理由
    老财迷 + 8

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    18#
    发表于 2024-9-17 04:39:36 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2024-9-16 14:38" ?, q# K8 L3 O7 {
    理论上有用,但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大,本来EUV光源的强度就小。 ...
    6 b" X1 O( s" N; Z
    是哦,连透镜都不能用,水可能更加不行了
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    19#
     楼主| 发表于 2024-9-17 04:43:13 | 只看该作者
    晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
    $ X( e4 p( C& z+ o* M9 R/ M7 K是哦,连透镜都不能用,水可能更加不行了
    0 {+ M6 F; c. C8 M) c6 a
    相比透镜,反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多,最后到达光刻胶的剂量比例很低。

    评分

    参与人数 1爱元 +8 收起 理由
    老财迷 + 8

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    20#
    发表于 2024-9-17 07:45:19 | 只看该作者
    在知乎看到一篇文章,应该是业内人士写的,他对目前的进度并不乐观。8 Q0 U& \9 J" M, ?! }: J( {
    我不懂这方面的技术,看起来说的还是有理有据,供参考。
    4 A- s. c$ Q# Z2 Y& y
    7 a, ]* M; k9 m5 M* T2 ~' ~https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    手机版|小黑屋|Archiver|网站错误报告|爱吱声   

    GMT+8, 2025-5-29 12:00 , Processed in 0.044068 second(s), 19 queries , Gzip On.

    Powered by Discuz! X3.2

    © 2001-2013 Comsenz Inc.

    快速回复 返回顶部 返回列表