TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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感谢感谢 
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J) q+ b# ^1 u% L8 u' K2 i; Q工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm4 L$ C4 P) S2 f
- }8 \; {2 B8 q+ }9 Z1 |$ x按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。! D3 C- D9 h1 @, Z' K: p
确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的
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. o4 t& ?/ q) }4 n; o% l% q延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。# Z; y, A; c4 s6 S/ W
那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。, W1 E* k2 y& L5 \3 Y
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另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html% [+ _/ F; b0 P5 v ~
和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:
0 A, h3 @: u8 N. r, U3 b2.1集成电路生产装备
$ l5 U% z3 E6 u* L5 ?% A2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅. R9 O5 ]( R5 W
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗
- I& a6 w# n8 e% u; g; S" Z5 ]2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm d* O8 U% s1 J1 e
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影
! ~" O$ m' H' s8 K1 a2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm
) R- K* E7 W6 x2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm0 P3 P( k2 i0 ^6 f* }
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%
" @& x' d! O4 b9 Y4 M, ]* z+ x( a2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA
! E5 ? o5 B, z/ x2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀
; D k/ j: t A# T1 i, v$ `2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°' o8 J% b9 C2 d1 w
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积
# N* ~, ^) O) m2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积# f$ Z {2 w* D# q
2.1.13化学机械抛光机 ! J+ S9 l+ T0 Y( k- \( \
铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min7 N3 H0 W7 f) n" \" G) [
钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min7 D4 J3 a: C9 K2 U" |
铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min
% Q7 b" Z3 V" `9 U7 Y- } 介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min n H( b, y5 }) | E1 K+ a
2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm2 [! v/ h P4 ?6 _$ y
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm( C8 F$ I' y. h' i' o
$ B: B6 e1 o' J! i: S: r; D; M很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。) V# x6 k0 w* R
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