设为首页收藏本站

爱吱声

 找回密码
 注册
搜索
查看: 4056|回复: 53
打印 上一主题 下一主题

[科普知识] 国产光刻机猜测

[复制链接]
  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    跳转到指定楼层
    楼主
     楼主| 发表于 2024-9-15 15:36:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
    本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
    ; U) [3 p2 _; B' W6 F
    ! S  X$ T7 K+ H. e5 R被老财迷点名了,又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法,俺就来稍微说几句。4 l( j  k8 J" ?# H5 Q2 _9 L2 u0 ?
    光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧,俺第一次看到光刻机,那时洋名叫Aligner,后来又有Stepper,Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的,俺个人以为也不算是很好的命名方式。
    " k: Z3 r+ J' \( D+ O, B还是回到光刻机本身吧。顾名思义,光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂,往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤:  c; C, y  I8 ]6 M( C. O
    1. 表面清洗
    % q+ c8 r" S  A! D# }1 |, h2. 预处理% ~1 v2 S* m) I) q* M5 y$ q
    3. 甩胶
    , c8 i" c- a0 V8 e+ p$ [, Z4. 曝光
    2 z9 q8 }; w4 v6 Y7 F6 C5. develop(显影?)8 v# w1 ~, S* u4 l( z8 e
    6. 刻蚀/离子注入. t) M4 G; ~' X" H) K, ]7 h
    7. 去胶7 q' v7 H% q9 `% v' }7 j7 o2 |5 K
    光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点,这个XXnm,在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统,而Ernst Abbe在1873年就给出了公式:
    ! D2 J4 j) j3 ?& |2 R  N8 n& o( z% i" [1 `
    对于光刻机,公式演变为:, d- X$ ~( u; y5 ~. j. y

    3 N# Z0 r. C# J# q5 U' I这里面CD是最小尺寸,lamda是光波长,NA是数值孔径,K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d,要么减小波长,K1,要么增大数值孔径。下面是用过的波长:3 r. t* {+ W1 d6 [3 f3 D! `
    1. 436 nm (水银灯"g-line")   |0 l  r" X4 f. ^- X9 r4 ~( g
    2. 405 nm (水银灯"h-line")
    1 l9 a$ Y3 J. E/ K7 j3. 365 nm (水银灯"i-line"). A; J! @' u7 j! t
    4. 248 nm (KrF激光)
    + A' y4 Y: v$ _5. 193 nm (ArF激光)
    - s$ V; x7 {% w* s) _6. 13.5 nm (EUV激光)% y( d, w1 O& h6 ~- F  s# W2 B
    工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm,现在变成65nm,估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西,区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点,台积当初就做到了。三星水平差一些,有两层上了EUV。牙膏厂的10nm(对应台积7nm)就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
    , _0 t: p6 S! X! |5 s8 W- V& k9 I按照公式193nm对应的极限是90nm,但还能继续是因为有一些别的技术:4 [. ]' T, ^8 j
    1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44,相当于数值孔径变大1.44倍。
    3 y' L  W& U; R+ e+ t; C( w2. 光学临近矫正(OPC)。早年的光刻遵循的是几何光学,不考虑衍射,掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果,掩膜上形状和最终印出来的不一样,这样可以做出更小尺寸。
    % J6 V: h: x/ L  h3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure,那个是把前面工序变成1,2,3,4,4,5,6,7. 现在这个double-patterning要更复杂,简单说是1-7,1-7要做两次。这两次之间硅片会动,要回到原位,就有误差,就是那个套刻精度。1 D+ v/ ?! k  c( j$ U
    4. FinFet/GAA,这个其实并没有实际减小尺寸,只是让有效尺寸变小了,所以节点数字变小。
    , {  ^, |+ m: C' {5 L1 E/ ~6 n' }. o8 Y6 b3 N3 u% O1 x2 w
    网上谣言说国内的浸水还在测试,希望能尽快成功吧。

    评分

    参与人数 18爱元 +160 学识 +7 收起 理由
    草纹 + 10 + 5 谢谢!有你,爱坛更精彩
    drknight + 10 涨姿势
    landlord + 12 涨姿势
    togo + 10 涨姿势
    pcb + 4

    查看全部评分

  • TA的每日心情
    开心
    昨天 20:22
  • 签到天数: 311 天

    [LV.8]合体

    沙发
    发表于 2024-9-15 20:14:31 | 只看该作者
    下笔千言,文眼就一句:“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西,区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了,现在你说LE变SE,进步就等于没进步嘛。
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    15 小时前
  • 签到天数: 3463 天

    [LV.Master]无

    板凳
    发表于 2024-9-15 20:18:14 | 只看该作者
    我还以为你才30多岁。。。
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    地板
     楼主| 发表于 2024-9-15 21:56:18 | 只看该作者
    马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
    , H+ Z1 l  v! a9 v1 d: h我还以为你才30多岁。。。

    5 u% g7 \& r+ {- q7 Q西西河一开俺就去了,那都快20年了
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2020-9-28 03:33
  • 签到天数: 17 天

    [LV.4]金丹

    5#
    发表于 2024-9-16 01:17:10 | 只看该作者
    凭借目前公布的硬件参数,是可以轻松实现65nm的,20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步,也就是OPC,提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩,突破到28nm问题不大。
    4 B0 p. f% {' Q) c) q4 p5 s& K
    9 M9 K% H" T. O4 E7 w8 h国内目前的所有半导体的前沿突破,都不在公开的生产线上,因为敌人可以拆解你的光刻机,制裁你的供应商,从而摧毁你的供应链。) o: e+ `2 l4 G$ D- V3 ]/ W

    5 [5 u9 i+ a; S' W- X凡是公开的,都是敌人无法阻挡的。

    点评

    油墨: 5.0 给力: 5.0
    涨姿势: 5.0
    给力: 5
      发表于 2024-11-15 12:02
    油墨: 5 给力: 5 涨姿势: 5
      发表于 2024-9-21 17:38

    评分

    参与人数 2爱元 +18 收起 理由
    云淡风轻 + 8 涨姿势
    helloworld + 10

    查看全部评分

    回复 支持 1 反对 0

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2024-9-16 06:24:01 | 只看该作者
    在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    7#
     楼主| 发表于 2024-9-16 09:46:29 | 只看该作者
    公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题,对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度(wafer/hr),连续生产时长,透镜预热时长等等。

    点评

    油菜: 5.0 涨姿势: 5.0
    油菜: 5 涨姿势: 5
      发表于 2024-9-16 11:21

    评分

    参与人数 3爱元 +30 学识 +2 收起 理由
    常挨揍 + 10
    老票 + 12 + 2 涨姿势
    老财迷 + 8 涨姿势

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-8-27 22:14
  • 签到天数: 351 天

    [LV.8]合体

    8#
    发表于 2024-9-16 11:19:37 | 只看该作者
    感谢感谢/ n  y" j% J4 A

    3 e5 n* E7 T3 l$ M- j' O) l. B& ~工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
    6 r" U2 I; V& g7 y3 V$ ?
    * r. X7 \4 Z3 W+ Q1 q% P按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
    ) x8 \# F$ S" E7 T确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的
    9 w* n( \* L1 m6 i: ?. H( [1 c3 a
    6 R# S3 B( P+ m# |延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
    * W$ B% |. k  t那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。
    ' N0 Y5 {, U8 n8 v# I) L2 H+ g
    8 c) n* N# U* G* s另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html2 P& M3 Y) \! P9 G; l
    和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:) X! O4 v5 M4 `9 k2 h+ c3 H
    2.1集成电路生产装备% Q' x+ ]8 B) p3 _0 x: U
    2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅
    4 ~; F( b$ J* w" t. G. g) T7 |2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗
    $ j3 F3 F6 E2 n2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm% Z1 z# ~/ C& \) J6 c0 c4 E
    2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影6 O- X/ S* O: b! v' f
    2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm& k% e8 j6 C1 m0 I6 n( g; O
    2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
    9 K+ D, h: ^6 ?4 D7 D  q# Y2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%
    - ?+ y6 C. g+ n! Y2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA% ~( `( n# k! {8 P. d
    2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀
    & V, N+ y0 S2 Q" v. f9 v0 h2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°: `# Q# p5 a8 h' L/ s2 ?& ~
    2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积$ A+ `. t' M9 G( {
    2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积1 G7 H* r5 j( d' {# ], r
    2.1.13化学机械抛光机 . Z& T. i, K% a2 a! A# J* W
        铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min
    * O! E0 Y. R9 H+ u# v    钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min
    ! f3 ]! k' q: y' r( R3 |    铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min: x4 |1 Q; R- F' O
        介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min6 z- m& h* _0 G4 G
    2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
    , d3 |, |- }% v. x/ }2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm" ]3 o8 S/ U2 i5 P0 C6 J, ?5 x

    , R. A: [: p8 r( n( D4 J1 J很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
    1 o7 {0 Y; j/ z6 |: r

    评分

    参与人数 2爱元 +22 学识 +2 收起 理由
    老票 + 12 + 2
    helloworld + 10

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-8-27 22:14
  • 签到天数: 351 天

    [LV.8]合体

    9#
    发表于 2024-9-16 11:26:23 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
    ( |5 `% I4 q1 z9 V. U公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题,对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

    / P5 X8 I8 H2 {4 p& J0 L个人猜测,在这正式公布之前,国内(大陆)自己的代工厂商,肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围,各大代工厂必然要背负相关的任务,这关系到大基金的投入、将来的单子。
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    10#
     楼主| 发表于 2024-9-16 11:34:56 | 只看该作者
    既然公布了,肯定是用过的,具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂(估计是YMTC)验收完了就放一边落灰了。。。

    评分

    参与人数 1爱元 +8 收起 理由
    老财迷 + 8 谢谢分享

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    11#
     楼主| 发表于 2024-9-16 13:52:53 | 只看该作者
    另外阿斯麦能做到的:NA=1.35,K1=0.25,对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。

    点评

    油菜: 5.0 涨姿势: 5.0
    油菜: 5 涨姿势: 5
      发表于 2024-9-17 08:01

    评分

    参与人数 2爱元 +18 收起 理由
    常挨揍 + 10
    老财迷 + 8 涨姿势

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2024-9-16 14:00:59 | 只看该作者
    老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
    7 ?7 f; b8 @; ?; W感谢感谢
    , R" y! u% F1 K1 W+ |+ F
    . p: A& j7 K" c! l工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤ ...
    * m. n; o  l; `. V2 K
    也就是说,即使28nm现在还有光刻机瓶颈,其他也都就绪、只欠东风了。这是好事!2 d+ C, P* _. r. W

    ! W* f3 f) g6 z0 Z3 S个人感觉:相比于前一阵的绝对保密,现在放出这消息肯定是有用意的。" W) v0 _% x  d1 c; j9 S: w
    ( j+ h: w1 L* f8 m
    1、内行人一看就知道,还在65nm
    : g% N9 v" m  N- w: T9 ^2、没说的就不知道到了哪一步,而中国肯定不会满足于65nm8 j8 g: L. x5 B5 d  |  c- y
    3、一旦这一关过去,下一关应该是28nm光刻机(咳咳,我知道这说法要被内行人狂扁,你知道我的意思,暂且手下留情吧),但说中国还有15年的落后可能误导,追赶总是更快,尤其是这在现在根本不是最领先水平; Y) q4 x- _* D' s" {

    8 t* a4 C! T2 H) a, o- n然后就要等EUV了。4 J3 T7 |) j& m. }7 ^

    $ M* {6 D# c% Z! Z会不会中国人首先解决光源,索性一步到位EUV,但干式先行?不是说俄罗斯EU V光源给力吗?
    8 L- m3 D# s7 u6 C' q8 b. T' U! b- H1 a" s0 ~
    在一段时间里,一旦中国28nm全国产化,芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

    点评

    给力: 5.0
    给力: 5
      发表于 2024-9-17 08:03

    评分

    参与人数 1爱元 +8 收起 理由
    老财迷 + 8

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    13#
     楼主| 发表于 2024-9-16 21:42:27 | 只看该作者
    EUV没有透镜,只有反射镜,整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。

    评分

    参与人数 2爱元 +12 收起 理由
    老财迷 + 8 涨姿势
    唐家山 + 4 涨姿势

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2024-9-17 02:46:07 | 只看该作者
    晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
    4 h" a' _. a8 G3 \# E  p8 [& `0 E4 }也就是说,即使28nm现在还有光刻机瓶颈,其他也都就绪、只欠东风了。这是好事!
    0 y' Z. ?/ ]. ?+ O' t& [( o( j9 Y0 T! |' B
    个人感觉:相比于前一阵 ...
    9 q: r; O' e4 D5 U# P2 F/ T
    不存在28nm光刻机,只有28nm工艺节点。% z" j, Y$ J5 d0 T
    ) h( D  g& B8 V
    从光刻机所用的光源上来说,只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV,那么全都是193nm,即使是台积电的7nm。在典型参数下,193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进,比如提高镜头的数值孔径(玩相机的晨大熟悉这个术语),在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平,再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning(更准确的应称之为multiple patterning),其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过,而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
    2 B, P1 r+ f& m4 S3 F8 x0 S' L) R' H$ U1 }
    以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例,SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西,它只是用作一个骨架,在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉,只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方,这有一点像脱胎漆器,当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作,才得到最终的电路。7 O$ L1 |( T% ]: ~

      r% D, o; M$ r# p: v
    ' i* G# r* y  D5 n2 `9 SSAQP则是将SADP的技法重复两遍,以期获得精密度的倍增。
      ?* p  f9 G" ?0 ^+ E1 R: t% f2 D
    / p) k9 T, X. t9 ?0 ~( g1 r2 ]# M
    , w$ j, v- J3 N5 r5 R工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材,芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜,是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找,所以没了传统的透镜组,也不可能再有浸液方案,整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的,这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水,而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出,采用EUV后芯片各方面的指标有提升,但这种提高大致是线性的(如果用以前的速度外延的话),而非峭壁式的飞跃。

    点评

    油菜: 5.0 给力: 5.0
    涨姿势: 5.0
    XXnm工艺节点  发表于 2024-9-17 08:10
    油菜: 5 给力: 5 涨姿势: 5
    内行们就是严谨,下次我一定用XXnm节点 :)  发表于 2024-9-17 08:10

    评分

    参与人数 3爱元 +22 收起 理由
    常挨揍 + 10 涨姿势
    老财迷 + 8 涨姿势
    唐家山 + 4 涨姿势

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2024-9-17 03:21:19 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
    ; c5 i  _0 V" P+ R3 u0 D2 q( Q7 CEUV没有透镜,只有反射镜,整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

    & `4 a! V4 C  Y+ {/ g0 R5 k也就是说,EUV用浸水没有用?
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    16#
    发表于 2024-9-17 03:34:34 | 只看该作者
    沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
    " T- g) R# \7 p' D& e; U不存在28nm光刻机,只有28nm工艺节点。) l" S% u7 P( b: E0 {

    9 }7 k: H5 e! n+ N* N  m从光刻机所用的光源上来说,只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

    0 S! ^3 D& p. F- T' s不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光,产率和良率应该提高很多?
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    17#
     楼主| 发表于 2024-9-17 04:38:44 | 只看该作者
    晨枫 发表于 2024-9-16 11:21: S) v* g0 G. ?4 @  @6 d( u
    也就是说,EUV用浸水没有用?
    5 J- P: `3 y* R
    理论上有用,但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大,本来EUV光源的强度就小。

    评分

    参与人数 1爱元 +8 收起 理由
    老财迷 + 8

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    18#
    发表于 2024-9-17 04:39:36 | 只看该作者
    moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
    8 D9 c& M5 v% \( @$ ?5 {9 e( [理论上有用,但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大,本来EUV光源的强度就小。 ...

    ' h* g/ k) ~  i  t7 D0 a5 \2 W是哦,连透镜都不能用,水可能更加不行了
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

  • TA的每日心情
    开心
    2023-2-8 04:51
  • 签到天数: 1811 天

    [LV.Master]无

    19#
     楼主| 发表于 2024-9-17 04:43:13 | 只看该作者
    晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
    1 m4 u" z  X  Y# F# u是哦,连透镜都不能用,水可能更加不行了
    ) X0 J( c2 z) m, D  c4 k
    相比透镜,反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多,最后到达光刻胶的剂量比例很低。

    评分

    参与人数 1爱元 +8 收起 理由
    老财迷 + 8

    查看全部评分

    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    该用户从未签到

    20#
    发表于 2024-9-17 07:45:19 | 只看该作者
    在知乎看到一篇文章,应该是业内人士写的,他对目前的进度并不乐观。
    1 ?( b4 m) e6 K6 i我不懂这方面的技术,看起来说的还是有理有据,供参考。
    - t' Q. E( R/ N
    / m' R+ s4 ]( X7 ?' b) Xhttps://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
    回复 支持 反对

    使用道具 举报

    手机版|小黑屋|Archiver|网站错误报告|爱吱声   

    GMT+8, 2025-5-28 15:35 , Processed in 0.065900 second(s), 32 queries , Gzip On.

    Powered by Discuz! X3.2

    © 2001-2013 Comsenz Inc.

    快速回复 返回顶部 返回列表