国产光刻机猜测

moletronic

6 j# x2 _4 t. m( {% K
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
- \- a9 Y1 a+ q- P- q光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
" b- Q; k6 b* X4 J( f7 q9 r/ r1. 表面清洗
2. 预处理
4 t) Z3 w# R" |3. 甩胶
. E8 _! b) O7 A" L4. 曝光
5. develop（显影？）
: H* ~9 x) p, @# V6 d6 s, v6. 刻蚀/离子注入
( M  d9 t- |3 `- \- L9 J7. 去胶
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：

/ y4 U" P: N5 V/ F) Z$ D3 S对于光刻机，公式演变为：
3 S, J% P) s' P9 A% c4 A6 y0 N5 _
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
1. 436 nm (水银灯"g-line")
2. 405 nm (水银灯"h-line")
3. 365 nm (水银灯"i-line")
4. 248 nm (KrF激光)
: G$ W: K4 \) S5. 193 nm (ArF激光)
6. 13.5 nm (EUV激光)
  D/ H- M5 Q  u; j- j, K工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
" ]. f: _' `! D4 I: I按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
7 Q6 d9 E' m/ A1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
* B8 j- ^; T; b  w1 e! w! q& {# s0 J4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。

+ z; K7 z8 d: e7 Q5 e网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。

orleans

下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。

马鹿

我还以为你才30多岁。。。

moletronic

马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
. M3 G% D3 X) S我还以为你才30多岁。。。

西西河一开俺就去了，那都快20年了

陈王奋起挥黄钺

凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
. _" W0 \, w: |! p) `) F- B
9 o+ o% B2 v  L9 w* t/ D国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。

% \3 P+ C" e) Y8 [) E" s凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。

宝特勤

在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。

moletronic

公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。

老财迷

感谢感谢
0 Q3 V  V6 Z/ L# F: n* t
  J) q+ b# ^1 u% L8 u' K2 i; Q工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm

- }8 \; {2 B8 q+ }9 Z1 |$ x按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
! U6 I! C. h. T* s' ]0 b  H! R
. o4 t& ?/ q) }4 n; o% l% q延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。

另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
0 A, h3 @: u8 N. r, U3 b2.1集成电路生产装备
$ l5 U% z3 E6 u* L5 ?% A2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
- I& a6 w# n8 e% u; g; S" Z5 ]2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
! ~" O$ m' H' s8 K1 a2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
) R- K* E7 W6 x2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
" @& x' d! O4 b9 Y4 M, ]* z+ x( a2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
! E5 ?  o5 B, z/ x2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
; D  k/ j: t  A# T1 i, v$ `2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
# N* ~, ^) O) m2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
2.1.13化学机械抛光机
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
% Q7 b" Z3 V" `9 U7 Y- }    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm

$ B: B6 e1 o' J! i: S: r; D; M很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。

老财迷

moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

2 t3 A& l& O* Z6 K: s! e个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。

moletronic

既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。

moletronic

另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。

晨枫

老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
8 k; d7 J" b% l* Y! q8 l感谢感谢

工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

) p2 y; f: \- V  l4 d8 `3 o也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！

, u. F4 `" b! S' v个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
7 c  i$ N4 d, Q' ]) Y
1、内行人一看就知道，还在65nm
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
* i# V' s4 H& y/ E" m% H3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平

  B/ s2 b1 r& v# `1 P4 W, H然后就要等EUV了。
: F9 B/ X; K6 O3 p8 e
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
8 l2 o1 t+ s6 E" o
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

moletronic

EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。

沉宝

晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
7 a  S7 ~9 \" O1 R也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！

, m4 `1 L) S5 D! \8 S9 |" u个人感觉：相比于前一阵 ...

& C0 S3 e- j5 l  I8 z+ ]7 j不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。

( }& W9 O1 H' e  y从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。

以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
% ^' u$ N2 N2 W" y. \$ n& I5 M$ V9 ~' u9 k! I
* ^- k" v; t' h7 p8 b% }% V% j" O$ a
+ j+ g1 @. \9 V  _1 }/ r* Y+ S; ySAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。

( N/ A9 z7 z. W4 b
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。

晨枫

moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
7 v/ V5 `- G7 n" |) ?1 REUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

* _3 }$ y5 Y; _7 h# H也就是说，EUV用浸水没有用？

晨枫

沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
" m& t( B9 n; z. t不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
: G: ~) I+ j7 F
, f/ w4 F* g' S; c% F8 s9 O! x从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

moletronic

晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
也就是说，EUV用浸水没有用？

理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。

晨枫

moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
. n% l+ ?; j# Y2 S: u9 v- r理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

1 H+ J" y8 h1 I是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

moletronic

晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
4 i% x0 H% F- W0 ]' P' K: @7 H是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

7 e  O4 A- D7 z# d$ z# a% }- l相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。

ringxiao

在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
# L/ o' p& @7 a/ j; ?我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
) {4 Z: r) C& A# P
0 d+ ]3 P$ U  ]* ^https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357