TA的每日心情 | 慵懒 2022-8-27 22:14 |
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感谢感谢
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+ z; v, r* N/ J1 k! P* c工信部公布的是:2.1.6 氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm
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按照老兄的科普,我理解,现在有一台氟化氩光刻机,使用波长为193nm的ArF激光(氟化氩激光),300mm的晶圆,加上套刻精度≤8nm,以及其它技术手段,能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。* a M. S- Y9 C- r+ w3 ~
确实还属于比较“菜”的 当然,工信部把它放在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》公布出来,应该是全国产了,这是我们自己的7 G. V1 x7 L. P/ N$ E/ _% {
( |; H3 ^) L+ `" e0 v3 q! d% E延伸一下老兄的科普,“按照公式193nm对应的极限是90nm”,假设“国内的浸水还在测试”为真,则从90nm做到65nm没有通过“浸水”,而是通过别的技术,可能是【2. 光学临近矫正(OPC)、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
" W" `& e" C2 y+ t, f- v# ]9 f那如果突破了“浸水”,就可以做到65nm/1.44=45nm了。3 M0 E3 b* _% s' x$ k% c# M6 A% |; l. z
O% o& i& P9 q: \% F3 o- N- D另外,在工信部的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录》中,https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
/ a0 H; f! u2 {1 _1 e和芯片相关的远不只这一个光刻机,还有很多项:' x! v6 Y+ C2 ]% v2 _5 W) ]
2.1集成电路生产装备4 c9 b0 x9 `5 U
2.1.1硅外延炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;应用材料:硅、锗硅3 ?( W+ x8 L c% e) G6 U, z
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径:300mm;工艺节点优于28nm;用于关键层清洗, P- k3 d8 Q( d! h% W; M7 j7 n
2.1.3氧化炉 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm
, F* B1 P. i8 l# w1 m- l8 C# T2.1.4涂胶显影机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层涂胶显影: |* _5 }! c3 d9 }, S; B3 w4 F
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:248nm;分辨率≤110nm;套刻≤25nm) \! r* Z. K, X' z. M; X, i5 M
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径:300mm;照明波长:193nm;分辨率≤65nm;套刻≤8nm* Y& T, \9 O7 y, ?
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径:300mm;注入均匀性≤0.5%;能量范围≥1MeV;能量纯度:99.9%# V7 `2 |6 F* G3 x" `/ q
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径:300mm;能量范围:200eV~50KeV;注入剂量:5×10^13~5×10^16 ions/cm²;束流大小:0.5~30mA2 L# R6 [: n" b- U
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层刻蚀3 M. j0 p. i% u& Z8 N( e2 s
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格:12英寸;CD1σ均匀性(片内、片间、批间)≤3%;MTJ特征CD:25~80nm;MTJ侧壁损伤≤2nm;MTJ侧壁陡直度≥80°
& C: o% B7 M$ N+ R9 Z9 ~" _2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积& |2 D5 Z/ S6 b5 U- |/ S
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;用于关键层沉积$ H! p% D+ S4 P1 w. O/ \
2.1.13化学机械抛光机
4 J" G g2 S, C3 J( A- M$ _3 G$ D2 D 铜抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率>5000Å/min2 X+ i+ Y+ l7 ], Q6 z/ T
钨抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于14nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2000Å/min
8 N+ N8 A; Z+ k" j 铝抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥2500Å/min% l% q# G% E C
介质抛光:晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm;片内及片间非均匀性≤5%;抛光速率≥1000Å/min3 @% f* B5 ^2 b3 o& g; J5 o3 c
2.1.14激光退火装备 晶圆直径:300mm;工艺节点等于或优于28nm& n5 \" @& N) W( j
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性:宽度≤0.1nm,高度≤0.15nm,角度≤0.08°;准确性:线性度≥0.9,斜率:within1±0.1;表面颗粒增加≤4颗@>30nm
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很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”,甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
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