半导体节点定义

moletronic

9 m3 v, D6 o$ p. D1 q" n. r看到大家讨论光刻机的时候对XXnm节点有些疑惑，这里解释一下。
其实我们说的XXnm都是逻辑电路这边的。顾名思义，逻辑电路就是执行逻辑运算的，而各种逻辑运算的器件都可以用反相器（非门）为基础得到。在大规模集成电路里最基本的器件就是反相器，而一个反相器是由一个P型场效应管（MOSFET）串联一个N-MOS得到的。反相器切换的速度跟MOS管的饱和电流成正比。所以要提高半导体器件的性能就要提高MOS的饱和电流。MOS的饱和电流公式：
( x: N1 |+ ~) k) j% i7 N) G
" y$ e8 w+ s+ ~2 ~8 D. k9 O这里D是漏极，S是源极，G是栅极。un是电子迁移率，Cox是栅极下面形成的电容大小，Vth是阈值电压（MOS管形成导电通道），W是栅极宽度，L是栅极长度。
4 c5 G) c: U5 O' G& C我们平常说的XXnm节点就是栅极长度，所以工艺进步就是要减小L。
1 N- y' w% W7 i4 {& C, e4 j提高W也可以提高ID，但这会增大器件面积，减小器件密度，所以不会做。
现在常说的FinFET/GAA等于往三维方向增大W，不会增大器件面积。增大W可以等效认为减小L，现在节点的数值比实际器件栅极长度小有部分就是靠这个来的。
9 f$ M  t! E' z4 ?- t4 I+ q现在减小尺寸的主要动力是降功耗，P=IV，电流不能降因为要保持高频，所以降电压的同时要降L。
近十几年牙膏厂CPU的主频就没升过，就是因为ID稳定的原因，而90年代主频是一直在升的。

WiFi

这个真是太好了！总算真正明白了。

隧道

搞个图就一目了然了。

alaok

隧道 发表于 2024-9-19 15:52
% k+ o4 d' p+ H$ s/ e* {搞个图就一目了然了。

; B6 L  [- Q, J% f5 [想进一步图文并茂科普的话请移步下面的链接
晶体管的发展史：技术如何逼近极限？https://finance.sina.cn/2021-03-14/detail-ikkntiam1218666.d.html
5 d. ~8 N' F2 w3 u$ L: Q晶体管基本概念 https://juejin.cn/post/7010690489741475847

moletronic

隧道 发表于 2024-9-18 23:52
- U! n. w$ o4 T搞个图就一目了然了。

, o& c/ u9 T# j! E8 V一直没学会搞图床。。。

马鹿

上学时候学过。。。后来做电力， 不接触这个了