TA的每日心情 | 开心
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本帖最后由 moletronic 于 2024-9-18 08:30 编辑 " R5 D. V: j- Y% M5 U
+ v& A1 C2 {" d. n9 o" S看到大家讨论光刻机的时候对XXnm节点有些疑惑，这里解释一下。
/ B: a* X! \7 u( f. Y$ I0 H其实我们说的XXnm都是逻辑电路这边的。顾名思义，逻辑电路就是执行逻辑运算的，而各种逻辑运算的器件都可以用反相器（非门）为基础得到。在大规模集成电路里最基本的器件就是反相器，而一个反相器是由一个P型场效应管（MOSFET）串联一个N-MOS得到的。反相器切换的速度跟MOS管的饱和电流成正比。所以要提高半导体器件的性能就要提高MOS的饱和电流。MOS的饱和电流公式：
' u4 Q: b2 e% V0 R' W: ]7 O$ _^{2} "I_{D}=\frac{\mu_{n}C_{ox}}{2}\frac{W}{L}\left( V_{GS}-V_{th} \right)^{2}") $ l; b. ~' H/ B& D8 i# \
这里D是漏极，S是源极，G是栅极。un是电子迁移率，Cox是栅极下面形成的电容大小，Vth是阈值电压（MOS管形成导电通道），W是栅极宽度，L是栅极长度。1 s% Q' o2 O, B: ]: v( l' r9 I
我们平常说的XXnm节点就是栅极长度，所以工艺进步就是要减小L。
; C- w: F7 {3 j; c- z, D提高W也可以提高ID，但这会增大器件面积，减小器件密度，所以不会做。
: G/ W r% }% O/ f6 L3 E) k2 T现在常说的FinFET/GAA等于往三维方向增大W，不会增大器件面积。增大W可以等效认为减小L，现在节点的数值比实际器件栅极长度小有部分就是靠这个来的。, p; V) ]8 [7 I! z/ p" R
现在减小尺寸的主要动力是降功耗，P=IV，电流不能降因为要保持高频，所以降电压的同时要降L。
, ?5 S- h6 c* U& g, Y, l% c) ?. B近十几年牙膏厂CPU的主频就没升过，就是因为ID稳定的原因，而90年代主频是一直在升的。5 c6 R2 R* P' k7 b% b" L
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发表于 2024-9-19 00:27:53
