TA的每日心情 | 开心 2023-2-8 04:51 |
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本帖最后由 moletronic 于 2024-9-18 08:30 编辑
( o( Y4 }5 }# n6 `4 U0 x% U& x# I& ?5 r4 W/ y; {1 u3 p1 Z6 G/ w
看到大家讨论光刻机的时候对XXnm节点有些疑惑,这里解释一下。" x0 o0 b, Z9 A% `6 `0 Q
其实我们说的XXnm都是逻辑电路这边的。顾名思义,逻辑电路就是执行逻辑运算的,而各种逻辑运算的器件都可以用反相器(非门)为基础得到。在大规模集成电路里最基本的器件就是反相器,而一个反相器是由一个P型场效应管(MOSFET)串联一个N-MOS得到的。反相器切换的速度跟MOS管的饱和电流成正比。所以要提高半导体器件的性能就要提高MOS的饱和电流。MOS的饱和电流公式:
: M2 q# v" v5 {, h1 [8 k
* w) \) O; j0 ~# w# t0 l4 r4 F这里D是漏极,S是源极,G是栅极。un是电子迁移率,Cox是栅极下面形成的电容大小,Vth是阈值电压(MOS管形成导电通道),W是栅极宽度,L是栅极长度。) q& h( F- `* w7 Y
我们平常说的XXnm节点就是栅极长度,所以工艺进步就是要减小L。$ x4 k h# z, \( x
提高W也可以提高ID,但这会增大器件面积,减小器件密度,所以不会做。
2 Y, ~4 A' W+ V6 r) e现在常说的FinFET/GAA等于往三维方向增大W,不会增大器件面积。增大W可以等效认为减小L,现在节点的数值比实际器件栅极长度小有部分就是靠这个来的。% b, L4 S1 y' i C. e2 F- U
现在减小尺寸的主要动力是降功耗,P=IV,电流不能降因为要保持高频,所以降电压的同时要降L。
3 c" F% L& c. O# s, r近十几年牙膏厂CPU的主频就没升过,就是因为ID稳定的原因,而90年代主频是一直在升的。 W4 K. Z& X. v! P
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