TA的每日心情 | 开心 2023-2-8 04:51 |
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本帖最后由 moletronic 于 2024-9-18 08:30 编辑
3 M# Q |. j' s/ ^! |, j0 _8 c& ?
+ |3 \9 q# G6 V看到大家讨论光刻机的时候对XXnm节点有些疑惑,这里解释一下。
1 s! ^, U3 R6 U其实我们说的XXnm都是逻辑电路这边的。顾名思义,逻辑电路就是执行逻辑运算的,而各种逻辑运算的器件都可以用反相器(非门)为基础得到。在大规模集成电路里最基本的器件就是反相器,而一个反相器是由一个P型场效应管(MOSFET)串联一个N-MOS得到的。反相器切换的速度跟MOS管的饱和电流成正比。所以要提高半导体器件的性能就要提高MOS的饱和电流。MOS的饱和电流公式:4 Q( j0 v8 M2 o! w7 o3 @
^{2})
5 [6 _+ V. i( d, v4 f2 J这里D是漏极,S是源极,G是栅极。un是电子迁移率,Cox是栅极下面形成的电容大小,Vth是阈值电压(MOS管形成导电通道),W是栅极宽度,L是栅极长度。9 r- u# l" t" b8 j2 P3 f6 V
我们平常说的XXnm节点就是栅极长度,所以工艺进步就是要减小L。, O% o4 b1 \7 ~
提高W也可以提高ID,但这会增大器件面积,减小器件密度,所以不会做。1 |" J$ b3 o: A) v. X. B1 a% e
现在常说的FinFET/GAA等于往三维方向增大W,不会增大器件面积。增大W可以等效认为减小L,现在节点的数值比实际器件栅极长度小有部分就是靠这个来的。
0 u# |7 R5 O4 q# ?现在减小尺寸的主要动力是降功耗,P=IV,电流不能降因为要保持高频,所以降电压的同时要降L。7 y7 B" C6 X, Q
近十几年牙膏厂CPU的主频就没升过,就是因为ID稳定的原因,而90年代主频是一直在升的。
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