TA的每日心情 | 郁闷 2016-2-4 15:19 |
|---|
签到天数: 7 天 [LV.3]辟谷
|
1 K. c1 j% T7 a$ P兄弟,我简单说一下我的看法。不一定对,仅供参考。
( y9 D& }0 q N" D& X首先,我没做过CVD制备石墨烯的工作。5 f0 E! J' X% @* b9 y
其次,我了解这个方法的原理和缺点。4 |4 Y! H- ^+ a6 [* F, g
我是从常识和逻辑以及化学原理的角度去分析这个事情。, x: |" y3 `) k, g, x
; ]5 s) l- h- C# Z7 w( R
按照逻辑分析,石墨烯的单晶(暂时用这个词,觉得有点别扭)生长和转移如果恨容易(你的说法),那么它的的成本就会迅速下降,品质控制也不会出现问题。如果这个前提成立,那么石墨烯作为新一代透明导电材料,至少可以部分替代现有的ITO,进入下游产品。作为结果,我们在市面上就会看到类似的产品。技术不是主流产品,也是某个先锋型号或者是概念机。可是,我们没有看到产品,就意味着上述条件均不成立,抑制倒推到初始条件,即生长和转移不是一件容易的事情。% I8 f ~1 `1 v( r0 h/ e- ?% Y
- b- I# a5 d4 ?" ~" n0 m4 o
化学原理和常识告诉我们,尺寸变小意味着比表面积变大,表面能增加。稳定性酒会下降。6 J S# o- L+ [# w, o( z: ^
将稳定性很低,表面能很高的材料要独立存在,是热力学极度困难的事情。因为物质有自然降低自身体系能量的趋势以求得稳定存在。% b: P8 A4 o2 J$ k$ O, C3 J
+ F" r6 D4 v# B5 O
最后再说一点专业上的东西。
1 I: M0 j( N# \6 W你觉得石墨烯的单晶生长不会比单晶硅的生长更困难。这是有问题的。9 s0 I& a, F- Z& ?& R- ?8 P' c
再晶体生长中,单晶硅的生长属于自然结晶。就是说,只要控制好结晶条件,原料自然就会按照固定排列堆积起来称为单晶。二我们要做的无非是控制好条件,尽可能避免干扰导致缺陷,错位等影响单晶品质的因素。! z- \& B- d p' N; g" A* D. r
1 U1 l) [: Y) D8 c石墨烯是二维晶体。这个东西在单晶生长中叫做受控结晶。就是说要按照人的意志,只能想两个维度展开,不能想第三个维度堆积。这个其实是违反结晶的热力学和动力学的。所以受控生长是有难度的。
* T! E# M; p2 y0 b4 M+ b4 e' B9 P' Q
在人工晶体生长中,有一门技术叫做择优取向生长。就是利用晶体对称性的差异,在某一个维度的堆积速度可以大大超过其他维度,于是就会形成所谓的择优取向。在宏观上,就可以获得一维的晶体棒,二维的晶体片。但是这个其实都是伪一维和伪二维。因为在微观上还是多层原子堆积。只是厚度不同。
% Y( J0 q+ D& @
8 L( k8 y/ G1 C {" d7 D4 L石墨烯的苛刻在于,要求在其中一个维度不做生长。却要在其他2个维度做大面积无缺陷展开。所以相当困难。7 G% q0 d& P9 {$ ]. m8 C
不是不可以,是比较难。
* c/ J! ?! Z# E: e* k+ a* ^6 x8 E
* l. ^* |5 ]: U5 R& ~ |
|