TA的每日心情 | 郁闷
2016-2-4 15:19 |
|---|
签到天数: 7 天 [LV.3]辟谷
|
/ ?. v* d$ H, y4 d1 s9 |
兄弟，我简单说一下我的看法。不一定对，仅供参考。
0 H! Z8 P9 p4 A% @6 h% t& N5 v. r首先，我没做过CVD制备石墨烯的工作。
5 Y; `1 a) R2 H3 p- L/ a' f( \其次，我了解这个方法的原理和缺点。" @2 a) ^9 i# u
我是从常识和逻辑以及化学原理的角度去分析这个事情。
3 T7 D5 W; ?' E& S2 T7 ^6 L4 Z/ y6 a M1 S2 y. I, e; d5 w
按照逻辑分析，石墨烯的单晶（暂时用这个词，觉得有点别扭）生长和转移如果恨容易（你的说法），那么它的的成本就会迅速下降，品质控制也不会出现问题。如果这个前提成立，那么石墨烯作为新一代透明导电材料，至少可以部分替代现有的ITO，进入下游产品。作为结果，我们在市面上就会看到类似的产品。技术不是主流产品，也是某个先锋型号或者是概念机。可是，我们没有看到产品，就意味着上述条件均不成立，抑制倒推到初始条件，即生长和转移不是一件容易的事情。8 n+ E) |0 o1 T( x
1 g, d7 E/ f/ M7 S* m0 x
化学原理和常识告诉我们，尺寸变小意味着比表面积变大，表面能增加。稳定性酒会下降。
6 \* X: c" u: h( N将稳定性很低，表面能很高的材料要独立存在，是热力学极度困难的事情。因为物质有自然降低自身体系能量的趋势以求得稳定存在。; H: ~: J) o p I- Q
- V% I) u R1 E2 c+ c; X2 S最后再说一点专业上的东西。
+ M- k2 t/ s! P4 s! R你觉得石墨烯的单晶生长不会比单晶硅的生长更困难。这是有问题的。
1 _& [- k- T5 b$ t/ r9 x# K* y再晶体生长中，单晶硅的生长属于自然结晶。就是说，只要控制好结晶条件，原料自然就会按照固定排列堆积起来称为单晶。二我们要做的无非是控制好条件，尽可能避免干扰导致缺陷，错位等影响单晶品质的因素。
3 d; t0 L. o. {* U0 F
" a8 U1 ~. Y! s4 x- G) b0 Q/ ]: P石墨烯是二维晶体。这个东西在单晶生长中叫做受控结晶。就是说要按照人的意志，只能想两个维度展开，不能想第三个维度堆积。这个其实是违反结晶的热力学和动力学的。所以受控生长是有难度的。
2 q( C& x. T& }/ y% s
/ @6 b5 R- y# e1 a5 _2 p在人工晶体生长中，有一门技术叫做择优取向生长。就是利用晶体对称性的差异，在某一个维度的堆积速度可以大大超过其他维度，于是就会形成所谓的择优取向。在宏观上，就可以获得一维的晶体棒，二维的晶体片。但是这个其实都是伪一维和伪二维。因为在微观上还是多层原子堆积。只是厚度不同。
1 R* t' p1 U+ p+ K6 ]& r" g" \2 p2 m7 b+ }& B: W- i" |: s# V
石墨烯的苛刻在于，要求在其中一个维度不做生长。却要在其他2个维度做大面积无缺陷展开。所以相当困难。
* ~: J# h* h5 W4 H8 P# ~不是不可以，是比较难。
$ j3 m, K, z3 i& z* C' s5 ~5 ~1 x, x6 B8 B9 n
|
|
雷达卡
发表于 2016-1-12 10:28:24
显身卡
楼主
