TA的每日心情 | 郁闷
2016-2-4 15:19 |
|---|
签到天数: 7 天 [LV.3]辟谷
|
2 Y0 R* o6 q6 U兄弟，我简单说一下我的看法。不一定对，仅供参考。) W# c. Q4 g# H
首先，我没做过CVD制备石墨烯的工作。7 F p+ H( ?5 q6 B/ ^7 d
其次，我了解这个方法的原理和缺点。
[( `$ P, b- U* I8 B* M我是从常识和逻辑以及化学原理的角度去分析这个事情。2 V2 w* u Y0 U1 @8 R! a4 P
8 k% j- b1 j3 [* }, [7 {) K1 ` ?按照逻辑分析，石墨烯的单晶（暂时用这个词，觉得有点别扭）生长和转移如果恨容易（你的说法），那么它的的成本就会迅速下降，品质控制也不会出现问题。如果这个前提成立，那么石墨烯作为新一代透明导电材料，至少可以部分替代现有的ITO，进入下游产品。作为结果，我们在市面上就会看到类似的产品。技术不是主流产品，也是某个先锋型号或者是概念机。可是，我们没有看到产品，就意味着上述条件均不成立，抑制倒推到初始条件，即生长和转移不是一件容易的事情。
. b8 s7 E" Y; M# g K& g+ X% z6 u0 ^/ ^: h. ~3 X8 o
化学原理和常识告诉我们，尺寸变小意味着比表面积变大，表面能增加。稳定性酒会下降。
' C! f5 I- R- f: h* h" L: l6 G将稳定性很低，表面能很高的材料要独立存在，是热力学极度困难的事情。因为物质有自然降低自身体系能量的趋势以求得稳定存在。0 ^5 K% n! t }# s1 }. ^
* q) F, B; r9 v! \4 A2 q最后再说一点专业上的东西。
( L" j, \; ]9 b1 {1 Y你觉得石墨烯的单晶生长不会比单晶硅的生长更困难。这是有问题的。. F/ m2 E5 S( d; ^' V
再晶体生长中，单晶硅的生长属于自然结晶。就是说，只要控制好结晶条件，原料自然就会按照固定排列堆积起来称为单晶。二我们要做的无非是控制好条件，尽可能避免干扰导致缺陷，错位等影响单晶品质的因素。
; p) c; R+ Z1 |& r) t! \4 o2 ~* b! l* Q- h4 h
石墨烯是二维晶体。这个东西在单晶生长中叫做受控结晶。就是说要按照人的意志，只能想两个维度展开，不能想第三个维度堆积。这个其实是违反结晶的热力学和动力学的。所以受控生长是有难度的。, X5 F" }2 o0 G0 W
2 Q% p3 q+ X. ?# Q; g- m! j1 q在人工晶体生长中，有一门技术叫做择优取向生长。就是利用晶体对称性的差异，在某一个维度的堆积速度可以大大超过其他维度，于是就会形成所谓的择优取向。在宏观上，就可以获得一维的晶体棒，二维的晶体片。但是这个其实都是伪一维和伪二维。因为在微观上还是多层原子堆积。只是厚度不同。+ \' B7 N" z1 y( c
0 `! x% B" X6 o2 r" }( X
石墨烯的苛刻在于，要求在其中一个维度不做生长。却要在其他2个维度做大面积无缺陷展开。所以相当困难。
9 K- r( ~9 {4 r( P不是不可以，是比较难。
: _' m. ~2 T$ G
8 k; s6 b5 Q) g3 Y2 l1 ` |
|
雷达卡
发表于 2016-1-12 10:28:24
显身卡
楼主
