TA的每日心情 | 郁闷
2016-2-4 15:19 |
|---|
签到天数: 7 天 [LV.3]辟谷
|
( t9 u: S0 L7 A0 P/ k
兄弟，我简单说一下我的看法。不一定对，仅供参考。
+ T, T/ _3 ?' `) `首先，我没做过CVD制备石墨烯的工作。
- \+ O) n# c; U% h9 n/ x/ u: b其次，我了解这个方法的原理和缺点。$ O4 |. W3 ^" e8 m6 w8 ]! g
我是从常识和逻辑以及化学原理的角度去分析这个事情。
# H) \: a6 M: J
) B: \- s" v4 B8 |% C: g按照逻辑分析，石墨烯的单晶（暂时用这个词，觉得有点别扭）生长和转移如果恨容易（你的说法），那么它的的成本就会迅速下降，品质控制也不会出现问题。如果这个前提成立，那么石墨烯作为新一代透明导电材料，至少可以部分替代现有的ITO，进入下游产品。作为结果，我们在市面上就会看到类似的产品。技术不是主流产品，也是某个先锋型号或者是概念机。可是，我们没有看到产品，就意味着上述条件均不成立，抑制倒推到初始条件，即生长和转移不是一件容易的事情。: u$ ]* F0 x# k3 Z2 Q2 W" k
' X( K/ e/ u# u2 B3 [5 k
化学原理和常识告诉我们，尺寸变小意味着比表面积变大，表面能增加。稳定性酒会下降。% Y# g0 \, H* D7 ]$ U
将稳定性很低，表面能很高的材料要独立存在，是热力学极度困难的事情。因为物质有自然降低自身体系能量的趋势以求得稳定存在。
. v, q1 ]( q2 h2 }' k# x- h9 a6 g) e9 r
最后再说一点专业上的东西。0 b" g0 O3 N% U+ Z- z
你觉得石墨烯的单晶生长不会比单晶硅的生长更困难。这是有问题的。! h* ^# Q" g) T! G* L: v- E, {
再晶体生长中，单晶硅的生长属于自然结晶。就是说，只要控制好结晶条件，原料自然就会按照固定排列堆积起来称为单晶。二我们要做的无非是控制好条件，尽可能避免干扰导致缺陷，错位等影响单晶品质的因素。
- N) Q+ I# _3 ^
6 f, `$ J7 D& l9 _石墨烯是二维晶体。这个东西在单晶生长中叫做受控结晶。就是说要按照人的意志，只能想两个维度展开，不能想第三个维度堆积。这个其实是违反结晶的热力学和动力学的。所以受控生长是有难度的。
' o% a- N: r) U# Y
# }3 {% |. j. r8 @3 F: W- _+ U) f# j1 @在人工晶体生长中，有一门技术叫做择优取向生长。就是利用晶体对称性的差异，在某一个维度的堆积速度可以大大超过其他维度，于是就会形成所谓的择优取向。在宏观上，就可以获得一维的晶体棒，二维的晶体片。但是这个其实都是伪一维和伪二维。因为在微观上还是多层原子堆积。只是厚度不同。: e$ j) R6 O$ {7 f% M, }+ u
4 m" d* z- Q z1 j1 F. j( L
石墨烯的苛刻在于，要求在其中一个维度不做生长。却要在其他2个维度做大面积无缺陷展开。所以相当困难。
+ C" \- \# A# F9 U, i2 L" e不是不可以，是比较难。
( T' F1 D" }3 C+ D; e5 o
5 ?0 I9 i$ y4 ^( x2 b9 ^5 H+ O |
|
雷达卡
发表于 2016-1-12 10:28:24
显身卡
楼主
