TA的每日心情 | 郁闷
2016-2-4 15:19 |
|---|
签到天数: 7 天 [LV.3]辟谷
|
1 D( z" L( z7 `0 h) ]兄弟，我简单说一下我的看法。不一定对，仅供参考。4 \: m8 |. N, g! f0 q% @ @7 ]
首先，我没做过CVD制备石墨烯的工作。
& o; S6 b) e; ^6 k' T其次，我了解这个方法的原理和缺点。8 E' P8 ~* J z7 e6 p5 c
我是从常识和逻辑以及化学原理的角度去分析这个事情。
) T1 c1 Z6 d1 o _$ M8 j7 K! X' @, K; v/ S5 I7 s2 _ F! Q
按照逻辑分析，石墨烯的单晶（暂时用这个词，觉得有点别扭）生长和转移如果恨容易（你的说法），那么它的的成本就会迅速下降，品质控制也不会出现问题。如果这个前提成立，那么石墨烯作为新一代透明导电材料，至少可以部分替代现有的ITO，进入下游产品。作为结果，我们在市面上就会看到类似的产品。技术不是主流产品，也是某个先锋型号或者是概念机。可是，我们没有看到产品，就意味着上述条件均不成立，抑制倒推到初始条件，即生长和转移不是一件容易的事情。6 @/ F1 T8 U, F% q/ K, v
* V- d9 `- E z& Y7 B5 j$ E- P% |化学原理和常识告诉我们，尺寸变小意味着比表面积变大，表面能增加。稳定性酒会下降。) d1 O( ^, V* ^0 o" R; ~
将稳定性很低，表面能很高的材料要独立存在，是热力学极度困难的事情。因为物质有自然降低自身体系能量的趋势以求得稳定存在。
$ z3 m" e* y! _$ @3 m2 D$ t; [* A0 R9 }1 K
最后再说一点专业上的东西。
5 k& T2 t2 ~9 m( l你觉得石墨烯的单晶生长不会比单晶硅的生长更困难。这是有问题的。. X; U X/ H; w7 Y* H+ p) d- b: m
再晶体生长中，单晶硅的生长属于自然结晶。就是说，只要控制好结晶条件，原料自然就会按照固定排列堆积起来称为单晶。二我们要做的无非是控制好条件，尽可能避免干扰导致缺陷，错位等影响单晶品质的因素。/ P, M2 |, n% K- q4 s
0 s r# Z1 l3 A石墨烯是二维晶体。这个东西在单晶生长中叫做受控结晶。就是说要按照人的意志，只能想两个维度展开，不能想第三个维度堆积。这个其实是违反结晶的热力学和动力学的。所以受控生长是有难度的。5 I. d; Q9 F0 @7 r& n- X: z
3 ~3 D& P: P# j5 a5 ]在人工晶体生长中，有一门技术叫做择优取向生长。就是利用晶体对称性的差异，在某一个维度的堆积速度可以大大超过其他维度，于是就会形成所谓的择优取向。在宏观上，就可以获得一维的晶体棒，二维的晶体片。但是这个其实都是伪一维和伪二维。因为在微观上还是多层原子堆积。只是厚度不同。
7 y. S6 `: a1 Q# o6 P) g" }% {$ T8 H& q" T7 E5 l9 c
石墨烯的苛刻在于，要求在其中一个维度不做生长。却要在其他2个维度做大面积无缺陷展开。所以相当困难。4 g' D3 A/ [# x* i
不是不可以，是比较难。5 A+ t7 h( p8 H/ }
! @' D$ i( A* p1 b! {
|
|
雷达卡
发表于 2016-1-12 10:28:24
显身卡
楼主
