TA的每日心情 | 开心 2017-4-3 16:51 |
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签到天数: 67 天 [LV.6]出窍
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本帖最后由 云汉 于 2012-3-18 21:51 编辑
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, X+ I. a$ c0 g目前占最大份额的薄膜太阳能电池是非晶硅太阳能电池,通常为pin结构电池,窗口层为掺硼的p 型非晶硅,接着沉积一层未掺杂的i 层,再沉积一层掺磷的n 型非晶硅,然后镀制背电极。
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% Y; m# Z# @4 `9 L1 V) `一个简单的非晶硅太阳能电池剖面示意图如后所示:
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非晶硅电池一般采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 等离子增强型化学气相沉积)方法使高纯硅烷等气体分解沉积而成。此种制作工艺,可以在生产中连续完成,以实现大批量生产。由于沉积分解温度低,所以可在平板玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料膜上沉积非晶硅薄膜,易于大面积化生产,成本较低。在玻璃衬底上制备的非晶硅基太阳能电池的典型结构为:Glass / TCO / p-a-Si:H / i-a-Si:H / n-a-Si:H/TCO/Al。
" |" H' M( v0 S' t# e为了提高电池的转换效率可以制备双结电池,即在第一个pin层之后再制备第二个pin层。非晶硅电池的光电效率会随着光照时间的延续而衰减,即所谓的光致衰退S一W效应,使得电池性能不稳定。解决这些问题的途径就是制备叠层太阳能电池,叠层太阳能电池是由在制备的p、i、n层单结太阳能电池上再沉积一个或多个p-i-n子电池制得的。
6 Z$ k+ f* f2 n) b1 ^叠层太阳能电池提高转换效率、解决单结电池不稳定性的关键问题在于:# D3 g1 d! K- u% G, d) m
①它把不同禁带宽度的材科组合在一起,提高了光谱的响应范围;
% T# q( I2 P; F6 K5 E: m②顶电池的i层较薄,光照产生的电场强度变化不大,保证i层中的光生载流子抽出;
V* L: l g' {' } M$ x, _8 q3 Z③底电池产生的载流子约为单电池的一半,光致衰退效应减小;
, F9 S6 k, k5 X% D④叠层太阳能电池各子电池是串联在一起的。; X [2 L6 P7 p
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非晶硅太阳电池的制造技术同半导体技术相似, 在实际应用上会把单一的非晶硅太阳能电池与相邻的电池串联,做成一体成型的太阳能电池板,因此太阳能电池的内部导线的连接相对的稳定可靠。如下图所示:! @" L3 h. w+ a# m+ Q
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4 s& f' ?0 L `" ~7 V当非晶硅太阳能电池完成后,可以在金属铝的一面以EVA (乙烯/醋酸乙烯脂共聚物 Ethylene Vinyl Acetate)为黏着剂,再接合一片玻璃。形成了两面是玻璃中间是太阳能电池的结构。如下图所示:
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同时为了进一步提高硅薄膜电池的转换效率,继续进行开发三结硅薄膜太阳电池,利用三结太阳电池分层吸收光的特点,减
& m1 I; H& e) k" z6 S& q& J( Y少光子能量在吸收过程中的损失,提高太阳光的利用率。
% L, Q: P' I( t& F# X- m* e, K' z* N电池结构设计:三节硅薄膜电池有两种,即非晶硅/非晶锗硅/非晶锗硅(a-Si/a-SiGe/a-SiGe)和非晶硅/非晶锗硅/微晶硅
# l$ F. v0 p% |7 {(a-Si/a-SiGe/uc-Si)。
) M" w7 c4 i/ G- T9 i/ \以下为非晶硅/非晶锗硅/微晶硅太阳电池的示意图,把最下面一层的微晶硅子电池层做成非晶锗硅电池即为非晶硅/非晶锗) u: i t2 [* @7 | Z
硅/非晶锗硅太阳电池。8 p2 f8 b: L; w( Z
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; E3 R, f+ m5 n! c三节硅薄膜太阳电池需要在制程和设备4 U1 Q. T) L' p4 F1 J. {* A: ^8 l
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