TA的每日心情 | 开心 2023-2-8 04:51 |
|---|
签到天数: 1811 天 [LV.Master]无
|
本帖最后由 moletronic 于 2021-1-30 18:26 编辑
3 P" W6 p' z! L, K, C% O" S
* F* B4 v; }2 y* Y1 h
5 w, u7 a& Y- Z8 P, f& F1 m3 t那文章没仔细看,掺杂区弱光翻转应该算是好事吧,对应flash里面低电压写入,这种东西要作出产品,可以搞成硬盘结构,磁头换成激光头。当然它无光激发下会不会自己翻转就决定了它的存储寿命。就跟论存储寿命,flash<硬盘<光盘,一样的道理。
( b. o( r* |- ?9 p+ j4 Q+ f不过材料这边全世界的习气都不好,太爱吹牛。零几年,science评了了10大突破,都是些纳米相关的,俺当时扫了下,就觉得有三四个有问题,后来果然有好几个撤稿。。。% `7 t9 j3 o8 }' |4 v
顺便,俺这id就是当年做博后时的project名,吹的是用一个含铁有机大分子做存储单元,那个铁原子可以掉1,2,3个电荷(每次大约需要0.2v),这样intrinsicly实现2bit qbit(因为分子的尺寸小,符合qbit的要求)。。。当然俺们吹的时候从来不提常温热扰动就可以让那个电荷态势改变。。。 |
|