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标题: 半导体节点定义 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-18 23:58
标题: 半导体节点定义
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-18 08:30 编辑 # K" q7 _2 u) Y% T; j# P( j) }
; D* \' N4 [) c1 G7 }' p/ m: u$ {
看到大家讨论光刻机的时候对XXnm节点有些疑惑，这里解释一下。# C* Z3 N1 z9 \) c
其实我们说的XXnm都是逻辑电路这边的。顾名思义，逻辑电路就是执行逻辑运算的，而各种逻辑运算的器件都可以用反相器（非门）为基础得到。在大规模集成电路里最基本的器件就是反相器，而一个反相器是由一个P型场效应管（MOSFET）串联一个N-MOS得到的。反相器切换的速度跟MOS管的饱和电流成正比。所以要提高半导体器件的性能就要提高MOS的饱和电流。MOS的饱和电流公式：
4 f) C( y2 c# x# Y& U[latex]I_{D}=\frac{\mu_{n}C_{ox}}{2}\frac{W}{L}\left( V_{GS}-V_{th} \right)^{2}[/latex]
/ [4 S! G: P4 U: p这里D是漏极，S是源极，G是栅极。un是电子迁移率，Cox是栅极下面形成的电容大小，Vth是阈值电压（MOS管形成导电通道），W是栅极宽度，L是栅极长度。
) B  \" C4 A7 k我们平常说的XXnm节点就是栅极长度，所以工艺进步就是要减小L。3 i( c% W; {" N1 S+ ]  O
提高W也可以提高ID，但这会增大器件面积，减小器件密度，所以不会做。; v* C7 ~; q9 l0 N, w
现在常说的FinFET/GAA等于往三维方向增大W，不会增大器件面积。增大W可以等效认为减小L，现在节点的数值比实际器件栅极长度小有部分就是靠这个来的。
4 H, W+ T  @# y9 }/ `5 Z1 j  L. _现在减小尺寸的主要动力是降功耗，P=IV，电流不能降因为要保持高频，所以降电压的同时要降L。. E* l2 z, K( c2 E  p4 j
近十几年牙膏厂CPU的主频就没升过，就是因为ID稳定的原因，而90年代主频是一直在升的。
! K2 L% g2 D9 a1 s9 E& z
作者: WiFi    时间: 2024-9-19 00:27
这个真是太好了！总算真正明白了。
作者: 隧道    时间: 2024-9-19 15:52
搞个图就一目了然了。
作者: alaok    时间: 2024-9-19 20:22
隧道 发表于 2024-9-19 15:525 I- ?0 S, p$ e& p
搞个图就一目了然了。
4 A" _; u! `" s& h; T& _
想进一步图文并茂科普的话请移步下面的链接
# }( i# O. o, O0 b. \/ ~晶体管的发展史：技术如何逼近极限？https://finance.sina.cn/2021-03-14/detail-ikkntiam1218666.d.html
" ^. z7 \+ d. R* c4 ?' _晶体管基本概念 https://juejin.cn/post/7010690489741475847
作者: moletronic    时间: 2024-9-19 23:44
隧道 发表于 2024-9-18 23:52
: H! D& D. Q( z8 l. ?, [% ~搞个图就一目了然了。

8 p# ?& W( S' R* E2 w, F一直没学会搞图床。。。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-20 04:16
上学时候学过。。。后来做电力， 不接触这个了



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