爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 & _% t4 n7 h! I( a, k0 {. Q
# D* R- F0 s" U- i8 L' |. W8 A
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。/ N5 f+ E$ W& w& _: q8 z
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。$ I! T' u# H' z
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：+ s0 ]8 ]4 _7 t' R% h7 W
1. 表面清洗+ N% z' M  \; [$ l9 m3 O
2. 预处理7 g" `2 V3 q: m$ P- `' Q9 @
3. 甩胶
( A, E3 j' D  P, \4 y- a8 R: h" \4. 曝光" @2 \: a4 @6 I+ P
5. develop（显影？）
9 ?6 n- z# D0 P/ w7 t% Y7 Q3 M6. 刻蚀/离子注入
% B1 @6 I. g1 |* X4 z# y7. 去胶
7 Z3 \6 J. M, J7 _1 ^0 F# y光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：7 F% X/ V: [6 D9 q2 |
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]: N) w: S) K3 q/ x6 k
对于光刻机，公式演变为：" `! O/ {; D3 H- R
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]8 l/ a+ i' z+ M  X. S1 A
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：; i' n+ K6 L$ {# J8 `) C8 _* F4 |( R0 h
1. 436 nm (水银灯"g-line")
8 c3 ~+ Q+ [' ?3 b" l2 Z* L1 N2. 405 nm (水银灯"h-line")
, e) S+ U; o% `& j9 K; @3. 365 nm (水银灯"i-line")
7 Y# w4 m& g/ h5 s9 [) L4. 248 nm (KrF激光)
3 W4 t. \$ A7 a1 w& R- d5. 193 nm (ArF激光)  g) s2 p0 n3 Q  X% p1 [" m; a
6. 13.5 nm (EUV激光)
9 j; h2 r8 j  h8 X0 L0 r  N; P' e工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。1 o7 a% i' l5 K; ]( ^; [( {- z
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
* s8 z- f5 q6 i. L3 M7 ~, S1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。1 I8 N; L6 \% h& D5 k
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
- H+ N. n' {( g* ~" Y4 ^3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。9 N2 u! Y3 f6 K3 k" V; f
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。: k& ?: l1 ]. H6 J+ w  c$ `

: V& D0 T, `/ p" m, ?0 [网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:185 @0 a; l0 b( F' |
我还以为你才30多岁。。。
  C% P: J! L9 L1 k
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。4 Q: ?8 u1 Z: |8 \( J( v5 t; m

" H9 V; m8 P! r0 b2 J国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
! v" Z. L, F) v! h( T: H8 l' u% j. i' {
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢- D1 j/ s0 H( x2 q5 o- Z
' v3 H9 Z, y, A5 |: Q
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
, _/ o  A$ @9 R  p
% F1 [' ]1 [5 h9 q$ a6 D5 j按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
$ ?' U# {, n/ J2 j% \6 {确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的; y3 ~" F4 D, T, A
/ b$ D& c$ @4 k3 T+ D
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
5 T: g) {0 y9 h, u( P, H: {% {! t那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。9 D' p, X5 v2 R6 y4 R$ K3 l

3 F' _9 ~- S7 r" s$ W2 N另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
8 s# t7 K0 g& ^; b. B6 c! R和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
$ L. L; \% ^! O! b- ]) b" r0 y4 L7 Y3 l2.1集成电路生产装备
* b- I+ ?5 W  B- @7 W4 m- j9 \2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅) m( z4 U2 Z( r
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗: _5 B5 e& z( ^' J3 [9 ?
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
0 ?+ u) a/ v5 S; u) M6 U/ b2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
) b6 L, f: i7 }/ a- x9 _" R8 b3 ~2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
" C4 a% q+ Y( J* q% N# R2 s. r" F2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm  F. N! t0 p, m/ s
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
- }* l1 F& ?6 @8 ]" T2 O0 A9 P1 ^5 I2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA2 [8 S( K' i' T* G  }) B
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
; b) {: l8 w/ o2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
; w3 x4 E9 p/ W2 U/ ^9 ?+ d2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
5 B# {. Y1 B: N2 J% o4 h( _2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积2 U0 W; ]& e4 H* A
2.1.13化学机械抛光机
( b& y* I: ]4 a1 B& |4 p8 W9 M3 e    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
8 _7 J/ i$ o; S% z    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min7 u( p/ }8 J* R# d9 i; G8 ^
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
( N: c5 [5 z" u9 D3 n4 O    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
/ I  l. U3 o" l! Y4 C8 E2 u6 t2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm. [( a  _. @7 g# u7 O
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm: z. g: Q: A; m9 s
& }1 J' Z+ \6 s1 T; e
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
  `" [5 F# ?" _% I6 s  O. n* C4 T
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
! m% ]9 l5 k  K5 ]9 G公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

* U6 K  _2 S1 Y8 L3 f2 l个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
( \0 \$ W% y; B' `感谢感谢( C+ e2 f5 q7 w$ w1 P

, l8 y; O5 Y6 m" w  _工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

8 h5 Z8 q5 S" |; ~9 |7 {也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！: D* ^) w; X& d/ [& h& \, e

* K% f1 e0 y2 d个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。$ G2 k6 @" \" n1 B$ _
$ ]6 Q- x/ _; W! V- s7 j3 [
1、内行人一看就知道，还在65nm
: q" r" N' H) ~% |6 h2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm4 v0 M. S0 O$ M  b5 J; s% P9 _) N
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
3 F. s! W2 w+ Y% }/ N; o* H4 e2 |9 t& O! R% B5 E
然后就要等EUV了。
$ u  h) j& ^8 l1 m& B  H2 m, U/ e7 P  K
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
$ i) e- {" d/ t4 b; X/ s/ ~1 ?
5 b$ _# Y' y/ F1 K在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00$ y! x3 [9 w" `1 O3 i: z3 [
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
  f3 m2 [( A6 T6 h( L, j& C
7 A; [, k% [9 W个人感觉：相比于前一阵 ...

- w8 a5 \' a" }- ^" P不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。4 c8 y$ @' Q: Z4 z' i
8 J8 B( a: m) q
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
) q, ^  s; ?) b, G  p3 R; G& ?, @5 [- g6 [/ W  N7 |) G1 F8 y
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
- v9 u2 E! w' ]1 ], e) O7 J( ^% Q7 Z2 w3 ~$ N$ i% V4 E
2 W$ E* X" S$ o" T! H4 i7 E% \
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。7 A" l, S" Y2 ?; I% d
' X! ?& C6 {- \; v6 Y) D1 K

* `# _  m5 W% f) x) U) \- C工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:429 w# R5 U+ D2 w% }* Y( l( w6 C1 G! u0 D
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

% p3 C7 a- A1 C; d2 s也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
% v& G  B& h8 V: W( F9 m% R9 h( O不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
# r* T* v# D  h3 h: |: Q, q- S4 \
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
0 L, c6 ]! w  y: t1 |- N' ^* E
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21' {8 Z8 a1 ]) o& u8 t6 p
也就是说，EUV用浸水没有用？

8 \6 A. q; u$ I# l4 L* h" ^理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
1 G: b1 L" a4 o3 R# ]理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
- r9 x. Q* Q) L) U
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39' c9 Q. r( ?  i" l: B3 a6 ^
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
/ g0 J+ X5 _$ }4 D% W
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。% ~6 l. g8 e) W
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
# T8 w' u9 d1 \8 S/ A) h* z% A& `" K/ k. W3 l  _  Y
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
; M7 u; G0 t$ \1 x2 ^. d0 \+ h也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！- f4 I- Z2 D' p$ Q* F- H

4 u4 n. v  p4 \" n个人感觉：相比于前一阵 ...
; X/ ^1 L) f' p/ {3 Z, Z1 i% B
( }" K$ O  i4 J( p" N
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
2 o' ]. a! S! a- E" P* a. v
应该会在5年内实现吧。' s* Q8 j& g3 Q0 k1 ~7 z+ I
- [* N. u7 N7 }6 Z3 D
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）4 y  t5 O0 _- V7 c& t2 a1 y( Q
24-9-16 23:55
# [8 h1 V2 @: X发布于 湖南7 r: p* I6 s7 R3 x5 U
来自 微博网页版- A, C- O1 P8 r' l( {' S+ i
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机8 L7 O0 _& C1 c$ y. g' ~
不是运过来就能直接开工的。
5 o0 `( c6 q# g. S1 H0 Q& ~他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
& a# {( n4 _" V( P8 a% v$ w* W' E9 R" h: ?; S- H8 g2 t: D% e8 U- @
这个时间很长，也是我常年说：
" }" m, ^( z" U2 U就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。+ r# C: O% c1 o+ s$ _: [/ t
1 x1 U. v5 \7 |% |5 F! z
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
5 m3 ~/ N) ^6 |7 X3 x) Z& l
1 g- H' _/ H3 |7 ]4 X: b- r简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。/ F) M* q" e* |6 |
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
' L& g6 `9 A# N3 q多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）, c  x' _& v/ d; {& Q0 i, s  P
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了4 n# Q" u3 W) Z9 r3 K
: E  P" n+ L8 p: N  |4 b
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
' U+ A- C/ |! n( |+ g普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
  z# {- A2 P2 p0 h" `1 P#华为mate70# 也没多久了。" D$ r5 _0 M. n& X) j, ~
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
9 A( d* U  [% e. v应该会在5年内实现吧。4 e" o0 O; b5 E- X2 r. o3 l8 z3 g

, j  X5 W& Z; @/ o" @, W# d6 b6 z微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
8 `3 v7 x9 @( i, Y, D% b% p% q4 W3 `
6 a7 P6 N, C! y" {
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:154 p4 S- B2 W8 q  F  A2 i8 u8 d5 w
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

; G# N2 n7 z% s& s' b但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 2 b4 [+ O2 {- C4 X% E( L" X
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
" `# H6 M; n9 m5 |3 a但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

( d# M. C9 B: f4 w! |$ X1 ~  f! }
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
. y9 R, F+ \$ v% X所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34+ ?1 \" j! u1 W& U( F
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
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理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54/ o* q& M0 U. ^/ C
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
1 w4 F' x& n! e" h  P6 O. S4 x! e所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

5 N. \/ b  H9 q, |0 u6 [/ `4 D6 {有道理。
1 J; P/ A2 E$ t/ B% ^+ Q: \/ j6 i: ]9 T( j
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。2 i5 `# T6 Y" \6 r& t

( z& j9 b5 ?1 U1 v+ Y4 d中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。( r; B9 k/ z4 J' ^

0 {1 W) S' |% T8 L! T' c) [* r" S2 G6 s这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:082 t" p( q/ J. U) ]
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

  K- \$ n  ?% ^% d这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54* w9 w/ k8 D1 w' b0 D% y
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定2 B/ V5 S9 Q, `! J$ h
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

) N& Z  L2 O! j2 Y) g# k还没搞定？
) X" V) q1 J: A. }& h; u: Z7 I! _我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。6 H2 S: A. h' |' U1 W6 v( @
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
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作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:549 Q. t0 m. w  x4 Z9 n/ A
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定) T  I) w& Q7 |# I6 j
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

( L, H( N8 K0 H" x8 f% c突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
( t7 [& R/ |: ]' \; Q& ]" p有道理。
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; u9 g; z7 W7 |, B* T6 \& q不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
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可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。# [5 q3 n6 h) h. c/ e( h
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
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雷声 发表于 2024-9-16 19:19
) L. m$ w, u( g还没搞定？ 2 \0 E. Q* ~( N) p: Q+ P
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
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0 w9 q0 ?7 P! E% t
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
/ H" E/ r6 S! U有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21, Y' {/ ~$ p% U. O
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
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存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31- w9 {  D4 I' Y
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
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需要用到浸润DUV吗？. }6 G0 J/ n; z( H
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我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:340 R5 r0 h3 U2 J* Q, T
需要用到浸润DUV吗？* H  M' s5 r( A2 D

& f% l+ f! P1 x0 l% u我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
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浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
9 m4 c' f, M9 P! }3 X可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
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是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
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: |. I1 J5 V& m7 X  f# f% f; F硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
! I) H& n$ h" `6 p5 E% G# i0 P浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
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都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54, y; A! s1 H. c- F. \9 `: x
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定" J7 z/ [7 D/ F5 w5 F7 P
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

8 A* M, \/ h/ N, s# t具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 - A, \# m% ?' H1 B- w+ I
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
9 r6 A9 Z, P" A/ U# {" ~具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

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这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
7 o1 I) U( m; j/ K2 W  R; q都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
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不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13  H. L' b# L0 i; X  V3 d
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

( u8 Z  J; O/ T0 C4 z# S# K$ X; }中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
. {, B  K2 }) d) |9 @4 h/ @, `在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
' C" F% @% }) P: V! n0 K我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

+ r  y( J; W2 x: {1 k2 O5 J我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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