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标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
* B  i3 E; i" s/ D5 e, W9 {, z& ]0 q! i' R9 s! K
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。* r) F4 u, c. j( X3 X% w& _
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。! p/ R  ~# I  F' z% J. `0 d( c$ x
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：, e' O4 d+ b" f  E$ {" T# ^0 H: V
1. 表面清洗3 C7 |' a4 C, a+ f% N; q
2. 预处理3 M% h, `/ C5 u$ F5 F: U- D& `. M
3. 甩胶
: `# k! E( o  z/ K( n1 Y4. 曝光
3 L; b+ _& a- o" a- S3 L' A5. develop（显影？）) b3 o# Q% R( E0 X
6. 刻蚀/离子注入! C2 O8 w8 M( K* y4 H& }1 q: L- M8 J5 ]
7. 去胶, }; e8 I" b4 o3 o
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
. r# r( Q- d( j0 |[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]1 K% d; M. ^& \$ v
对于光刻机，公式演变为：( Q$ A9 {/ u$ L5 C! ?; d! L
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]& b% H1 A% E: r, e) @
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
3 G, Q9 X9 F- p1 X1 K$ }8 K5 V" \: k1. 436 nm (水银灯"g-line") ! C! i% \* _4 U- _
2. 405 nm (水银灯"h-line") ) k- G  \/ R* c3 o, Z
3. 365 nm (水银灯"i-line")+ O3 ^# `3 y( S! ?- d3 @' B2 [! h
4. 248 nm (KrF激光), @- T  }4 F$ h* H( t
5. 193 nm (ArF激光): a: [& a) T/ q+ F- o# B
6. 13.5 nm (EUV激光)5 l) Q; ~0 B5 N/ N* a$ v9 [0 g
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
( d: O% h) p( I; o( h0 S7 z按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
) W1 E  |( ^; {, Q, [1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。* y. G% e, d0 u2 I0 s# P5 f7 T
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。4 X7 N, `/ U1 T2 Q
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
8 L$ j- u( }/ Z8 O+ p1 O* t4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
- }3 B) S# t8 }" X$ ]  p( L
0 Z2 R7 v7 F6 v网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
' x/ R% t8 z5 k6 S. g我还以为你才30多岁。。。
% F: r* O' E& f* a+ q5 i' Z
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。, ?; _5 ^2 O7 a- P8 |

* E3 n, d5 [" R& {. ~: [4 m: `国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
1 q9 x/ M! j, M3 N5 R: C* I) W7 O/ j" L. W; f5 a* W
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
' q3 T$ e" \4 R& ?* s) ^/ Z& v: @6 |$ f# Y! Y
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
. L! j$ U  X4 `  f6 j3 `
& ?2 g. Z+ C* {. N. t  B8 P按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。. @# m0 ~6 P& H) |  @, q
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的" i6 Q8 B9 n3 [# a0 j; I, R
# r- }4 o5 Z/ ]* u) c: a
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
4 c' g3 d' D/ L: Q那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。2 b9 p5 J3 b! M+ k

2 C# j% O$ F* v& \1 x+ Y另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
% V( W, y9 Y# k/ H7 _6 l5 o9 y和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：% i1 F; j7 o0 \4 D) S2 U
2.1集成电路生产装备
, k3 d3 r  H; |6 R: I/ N3 Z5 M2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
& [+ X9 S1 j  \: F; V- h2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
) g4 ^- ]2 S9 K+ x2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
( Y6 Y. g: g1 ~  V' w6 Q2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
3 a  ?2 L" a4 ^; s2 h& c: s: l8 a2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
1 O: K$ L. n& e% h% a7 I' Q- d1 }2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm# D( y8 I$ Q; j  A! Y
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
) R+ h0 R: }# b3 }9 L% P+ @2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
+ }5 |* Y% p" g( W. K0 h. r2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀; ?  s8 m3 `; T" C2 L! G9 n4 l
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
* D; R0 T  ^7 X4 O- U2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积# N, |& C6 ]/ \1 w) ?* j# C
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
7 l0 |' n% U8 u0 i) q. A2.1.13化学机械抛光机
1 P& y2 T+ T2 I6 w    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
# ]; H( B, k4 z. D! N. W: B) q" ]    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
4 Q+ C$ v4 _) j/ w; n( c    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min7 J+ r1 H, N: s0 N2 j! T
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
0 A" C$ F! c* t* i- w. t! L2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm3 J1 d& A  c  o* q+ w  R
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
7 K4 m: Y2 H' Z8 Q
0 D: M; T" G. ^很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
' ^" {" E: v. b6 P1 `
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46% u7 O# G" h+ v$ V0 F
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

* Z  C& }! ]; ]& I2 e: U1 M1 v个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:198 `: c$ @! X0 k+ F' L# S  v
感谢感谢
* x; O( c. U* u$ ]2 E( A5 W4 Q7 d  V, f; h- K; }
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
' P) q: ^- M# g1 A0 G. G
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
6 |& ?1 O" f5 M; e2 x' B1 K2 q" o3 X8 K# o& y, E9 m8 b' H# a9 z
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。( z9 F7 j/ \. d. D% _
7 l% x& d* n7 ?2 U2 F7 \* Y
1、内行人一看就知道，还在65nm
7 c0 }6 M+ L/ \8 y" a3 b" c2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
5 J$ `3 e5 {- O3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
2 B  t5 ~9 z' v9 \8 C
! i5 b3 d& l; p. Z0 V2 V' A然后就要等EUV了。$ c/ A( R& z- c1 S) Q" s

+ |' V! {& X$ f2 ~会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
4 X0 e8 w* [7 u# r+ [0 S6 O, N; v8 G; {$ @  y
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00* s7 _2 b7 m+ _( E1 F8 ^
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
% g+ c7 P6 I  Q; b4 l4 Y1 R3 a
' Y, m3 \3 G/ ?2 U个人感觉：相比于前一阵 ...

  G; q- i* t4 r2 V& n( B, n" Y4 }# v不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
* @  m! w* n, F
* G% L- @3 L- `+ K% q从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。2 J: I+ ?! S1 e  R) }# i
3 k5 Q9 y3 M0 C8 U
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
) v: l9 ], {# b2 L- S% O
( j4 \2 {: E; M1 c4 z* J( }
/ k9 {' [; h+ V0 pSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
( A) y5 ?6 B5 L0 p& k/ ~- q3 Y, ]6 s* B% `0 a: V! r0 X- z
! V  z: R/ k+ u- B# t: `/ p) d
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42+ @) @/ y1 }. {6 n$ M6 S0 l
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

% t! B! Y" g$ g) D; f5 I$ ^9 F' N也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
& b% P, S( k; m4 \: Z) S) y不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
- B$ @) b  W1 G& J, z! Q1 x- m" ?/ p. W1 s, {  {5 s) G9 a
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

7 @1 F6 L7 {0 i( Z; A不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
! z* r  }6 E5 S也就是说，EUV用浸水没有用？

6 K' h7 g, x  {3 v9 V理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
3 Q. N/ B/ C0 i: ^理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

% M5 O+ U8 U) P! y+ d+ d2 \6 a' Z是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:392 i( X/ h/ R+ w/ M4 u5 n- s& b
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

' y5 H5 u. e. i4 E- f相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
5 B  b" \6 f& m3 W9 s我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
, l# ]. K- P' a6 E' E5 V3 ^" f3 W& [& z: r( M6 A, b; N
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:002 r* m0 [$ e+ _
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！/ q1 ^4 ]/ W0 \

, \( O4 y' C1 A, r: Q" R! u2 J个人感觉：相比于前一阵 ...
' t# y6 U$ _" b: x
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这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
# f6 G& O; R6 F! n# b
应该会在5年内实现吧。) U- x; B' T  P" U6 H: h+ [+ ~
, P1 u5 j7 @% d4 O' x5 l
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
+ l7 q0 H, K( p$ ]5 ~24-9-16 23:557 R; b' `7 T% M
发布于 湖南
" H7 C) m1 w5 \& w$ d7 |0 E3 k来自 微博网页版
) I. ?4 G7 F* W6 U, F啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机" ?8 _0 r+ y- {* |
不是运过来就能直接开工的。
, t5 z, q' {4 K, ]% D4 x8 n他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。  |* Y! b4 p0 g7 }! ?+ ~0 t# x
! `  f. @! W3 }- j
这个时间很长，也是我常年说：& K4 C; {' D5 n, w  N  u
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。& X" o* L7 m  v3 k; c

& ?( U+ _  Q+ A# R# D  b现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。1 q4 y' h% X* o, z

, y0 L9 w! {1 h# a! q, l% e简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
# y1 q! c3 s. M( e干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
8 `* G+ u5 Y) J# Z* D" `多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
* X% E; A+ R6 E但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了5 b0 X* d8 U+ q, h

5 u8 W* a4 y; }# g没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。- ]( e( f/ s3 m' d( f' N- Y
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
* ?: B1 ]/ m' N* v+ }#华为mate70# 也没多久了。
& v* f" t! ^* r7 W* f
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06: K: U# |1 ?& y" w/ [
应该会在5年内实现吧。
2 O, o, s5 A# q6 M* _3 `+ K
* H+ F2 b$ \& b% F' C% u微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
5 P( [5 I- l0 l/ s+ m8 `
5 I+ E; l5 k) X3 ]
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15% m7 s  v; K2 N: D7 j2 J4 N
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
0 k5 Q6 ?# `. P5 T9 b( M* ~
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 % e7 d7 {$ {- K) z( Z! B
晨枫 发表于 2024-9-16 16:399 y5 @3 ?7 ]9 n% C: f
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

: S" ~/ v- b6 {2 a* b& z) ?. f. r( W
& e, ~7 T+ z7 }5 V& B2 h3 C9 b按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
! b8 O# C+ }, j' g  L所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
+ g& ~! D% H3 V! m不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
9 R0 ~( T3 x9 J& |7 m  r
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54$ M& `+ }$ p% i
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
% N* w% F- N% ]" D所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
( H/ G) }  O: x2 x
有道理。3 c# m/ }6 M, I: }( G- j

1 a' F8 f2 e" h! o* }( e不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。& Z" T' m$ e" x% W( r$ \
6 G, G: \* U& H$ ]' f) ~
中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
5 V* M2 G8 p* G" V1 f9 `+ U) [1 Z  d; }6 Y. {2 p" i
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:085 r3 ?! ]: A: ~% `
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

. p2 d$ K/ X: A) r这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
0 }7 j: |3 s0 q* j% ?8 o  c7 R; m按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定9 \/ B6 ~4 W+ k6 T6 e( Q' a
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

) z8 a! T" i$ I2 i9 M# G还没搞定？ ; g1 d$ C" R1 R$ G  H/ z3 Y  @6 b
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
' l1 c" q# N9 f7 ~. X尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。( W0 |) m2 g; \0 M/ g$ H7 w% H! x
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
! {+ _& W, t. N按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
* _: K% U+ J5 }所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
5 f% O6 C0 _0 _3 m* M) ]
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
/ B& J" {- v! b/ _! U  A有道理。% Y* r9 u0 G) E8 n4 {

3 J: E" O9 z: z! t1 R不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
; r, Q( {# s& Z0 `
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。; `) \. u9 S2 [4 R" {  L! v
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 1 f; `7 u) T& N7 T
雷声 发表于 2024-9-16 19:190 F. [1 p5 \! ^6 @
还没搞定？ 2 N! Z& B! Y2 U* Q/ ^$ G6 b! H
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

% R- |7 x) I8 S# t
: S; ~! P% v7 g( x# ANikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。3 a0 n. }  x5 H) z9 Y% q
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
; x$ ~  d5 f- F7 I突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
, Z) Q: A# ^& P, y' H( L5 x- B
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31  k. K3 c) A7 r/ `
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

  v6 R4 b% G  q% e& s, z需要用到浸润DUV吗？* P5 I0 z9 m0 A6 V1 z
* x% _" H+ f; e) U
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
. k1 ~3 ?5 B4 `& h% v& G) Y3 l$ Q需要用到浸润DUV吗？
. O5 l, \$ H: L; d) N
3 ^8 @+ E4 f& z. h- L) ~我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

% q8 M/ H! c' d# U浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
  l  b! [9 x8 c5 r5 \可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
4 y6 ~6 l5 I2 Q& g. _% C
是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
( K+ n% |. e# |' i
& m9 }! A1 T+ t/ |硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:370 c& g, Q4 {" `; i( u1 m
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

* k9 K) `! }9 d( g& j都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
# B. b5 w" r7 K* d, H* Z按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
  n$ j% k- D9 X) ^2 I9 y所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
, K, m- @/ z+ m' O- R; l
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 5 h+ v9 Y2 v( j, `% I
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
4 V( h' _; ?2 A& H0 r2 D7 T6 l  c具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

- ^9 K# B1 {" Z0 ]6 E( s8 V$ @
: `( T4 k/ f  c这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40; |( P! m. w3 u3 V# s, T; V
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
5 [( _' }% i6 j1 T
不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
: i( ]' y, ?. H* s) o2 V' O  e! q- i这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
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中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
+ [3 W$ t* L$ s2 A2 f在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。8 s# `& x6 E0 q, v9 k2 R0 Y0 H
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

- B- v0 C  W. @) ~+ Y我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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