爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
6 j9 ?6 p1 R4 d2 Q. S' H) {: Y$ X
  Q- w! p( W5 s; N& [被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。) p1 G( J4 m* D. h7 t& O, M& `
光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。6 r$ \2 n! v: F- ]( p
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：- j' Q& o) r( W% [
1. 表面清洗3 X6 w; a. @2 h1 ]  I( W$ ]
2. 预处理# P  x9 P$ e8 e' Z% p# I/ X
3. 甩胶
# ?  ^4 y$ D) ?  C6 c7 J. {4. 曝光/ I, z2 e# ?- e$ R: Q( T
5. develop（显影？）
+ ~: ?: }6 P3 b( S- F6. 刻蚀/离子注入! ?3 u; d: Y# F
7. 去胶
' ]' C4 P3 g! b光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：' r9 ]5 F+ |9 o7 v
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]5 O; l1 ~5 b) c0 D9 m5 J7 K; `
对于光刻机，公式演变为：2 O$ A& ]+ m5 A/ z8 C1 F
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]% i5 a& l7 i' b8 i' g
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：5 ^, I- b4 B- U! |& d7 ]
1. 436 nm (水银灯"g-line")
7 m3 M- y8 R3 ^6 e: ~0 d* H2. 405 nm (水银灯"h-line")
+ V7 @: S: Y6 F; V/ y1 |3. 365 nm (水银灯"i-line")1 Q( Z, P/ o* x4 w/ c
4. 248 nm (KrF激光)
4 c$ @* r- P: H# b# ]" h/ p5. 193 nm (ArF激光)
2 w& U& _; a8 `6. 13.5 nm (EUV激光)* j$ ?; I0 E+ v- h. {! M0 {
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。5 d% O) D, [1 s8 O1 \( r0 f4 v
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：( w. S! C- [8 Z4 I6 k
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。6 L, _7 C) U+ ?) J' b3 ^3 f5 X
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。/ H% j) a1 L2 ~$ G
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。: v( S% m4 }+ @1 G
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。4 k; l; W1 U# A, q9 {' g
: l3 N3 R2 T, Z( A
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
8 f! A! D+ |$ p* C我还以为你才30多岁。。。
$ B4 V) ]" [" P0 u* q
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。  _! m9 F! ?% F4 ?7 {, A6 `: \
# H2 I+ Y+ I# |+ f$ m1 i' J
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
& Z0 E4 _7 J0 [4 Q  F% b: w2 c2 i2 q% y, n8 {8 M, H, R" f
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢8 o, M6 J6 j! _* ~
! t0 `3 B& g1 ]- w2 M+ h7 A+ e
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm9 L) I2 c5 K/ p" I
1 N5 K, u1 I7 q' I3 r5 E8 L2 q
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
1 U/ c# z$ N* d! J确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的# A% Q: \7 `, `' N

8 |& {0 r6 G2 }! e. ~* v" p! o延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
! i* L# }* D: v( A那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
: n) [/ m0 w  K" u' Q: a( b/ \" c, c) r) n3 j1 {- ^. @$ r
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
% g( x& s) f( |7 H7 [+ Z: h和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
; `" H8 {6 `2 T1 u9 j0 r2.1集成电路生产装备0 V, a" d5 H# j& c7 c9 c: t' _) {
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
7 O% ]0 `- X0 s; F2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
2 U* U  C! V# W' d2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
1 e# y$ k* p; f1 n- z+ c; v4 `6 J2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
9 d: `" L4 S& J) I& `2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
1 ~! q/ m: X2 u; a1 f, j2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm9 L& n1 ^9 k; K. e8 ^) v
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%: l* r) S) Z2 ?: P% w3 B8 i* }* n
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA2 [* D; L) ~, m* A. D
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀- u9 z) [3 j  O6 A% o3 R7 \$ |
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
4 D3 n8 K0 d: o0 Q2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
0 h  v% @4 l4 @. ^0 }( }+ h; m2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
4 H3 j6 g9 b6 C2.1.13化学机械抛光机 . U! o9 F, C1 `( d
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
8 g1 u$ P' I8 }    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
; M. V7 w/ ?, g: ]; n" r    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
3 a5 z9 L0 _! ~: m0 x# X. |    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min1 K- y. o* @* p/ I4 |
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm, x0 F) v% h: z! p/ }
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
8 x; D7 L! k& ^- J- z; B
+ ^/ b) q0 u8 p( s/ ?很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。9 d6 Q4 r$ s8 _8 L$ r2 \
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
  N) Q( V: ~3 [4 z: N( w公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
( B. O9 Q; D. V( |1 Z
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:199 L/ a: P8 K% f  k& O
感谢感谢" n4 j, R0 W$ B& V6 P

0 y, \1 U& d4 ~- f+ p! h: u( _6 {工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
  w+ B& t: {+ r1 A, \& V
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
/ f, y, k9 A, ~& q; M6 f
4 q9 d- n  I, P; Z1 h" ]个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。8 m- M( [2 X% ^# ^4 e

, z8 |: H. X% X. T' M- ~1、内行人一看就知道，还在65nm6 c6 p: @" w  c8 k
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
7 U/ n7 C+ k# d3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平4 ~4 h* {6 Y% Y/ S" `1 w

) Q( I* Z  e# B然后就要等EUV了。
! k' o1 v+ W+ G+ S4 X8 \8 F9 G; R! i7 C% }0 X3 m9 o! I7 @/ k0 `3 w
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
2 V$ C) @1 s0 O0 W2 u$ G- f1 s' {, Z% R: U9 g- N
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00% s9 I8 D( {& Y1 E4 w+ p. [$ Y( z
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！( \& f1 u1 w7 F6 _" y

* l3 A* x  Y' X$ N# _个人感觉：相比于前一阵 ...

* q' g% C/ L& J( l; G不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。) Q' U) N" x) ]+ w' _3 r( ~- h

+ I. P. d6 H( ^9 z$ J% ~从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。& ^9 }* F3 Z5 `7 A; r- d

) ?' Z! i" i+ A1 W" y以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
) r2 l! H7 W! |! @3 ^. u1 S& ^5 j3 z. v$ [7 x

* S7 S3 \2 h" OSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。9 \1 s, i( R: R6 t3 _$ w
! F8 Y$ _; e, o5 Z$ l! J
6 P# ]0 F, |' d4 g
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
. J) [, U: ]( e5 i! mEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
7 w& z0 {2 n! M2 h2 d3 m+ U
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46; h  u$ a3 G6 g5 R
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。- C8 B' k) p# I! y- B
/ r9 ]# u" M5 {6 M
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

* V: U: T% \* c% d# u$ d) U/ N/ B不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
$ g: N5 l5 J" r& p也就是说，EUV用浸水没有用？
- M6 G* |! F8 Q
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:387 _0 J) _# A& I
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

: _1 l* K6 i# ^2 d8 K是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
* F% E' a! R& `是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
5 L) x% P' x" G
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
7 O/ `% n7 V1 q) o我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
2 a( y8 s" J4 M/ |( {
, `  \) D2 [, Q" vhttps://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
3 {1 J, H2 Q5 ?. m也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
5 L" [1 c( ]8 P4 n' M# d. Z$ [5 D0 s) W: _  y: ]
个人感觉：相比于前一阵 ...

! I0 U/ ?- _& n( w8 x) x# Y/ m: T& H* X
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
. L/ N. }) Y( P
应该会在5年内实现吧。
0 p: b$ s8 E5 Y* t2 i: ?& U2 @
5 H2 J$ G8 d- w/ y9 Z微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）& x( i6 ]2 A4 q3 n
24-9-16 23:55
* ^" J( ^+ U) b4 Z% U$ w/ F发布于 湖南2 Q( t9 p% c. b! K
来自 微博网页版
% @. d  J; W' H6 X: u* ~啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
: s+ P. D; a5 x  ^不是运过来就能直接开工的。7 y7 u; D2 i4 Q2 C
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。4 _: {& P6 c$ C+ V
" B: |9 ~  z0 E5 p6 S  _  p
这个时间很长，也是我常年说：
& z" p' d2 {& z% l就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。& w2 j$ S) N, v7 @  ^  m: h1 N3 S

+ ^8 x7 ^( s+ \现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
7 ?" s3 D! G" x9 n/ _0 X' A& _, J% m; C3 {- W+ R
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
- U6 V7 y. U8 C; Y7 f干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）# k$ q" @# t/ Y( O
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）$ q) x5 @/ ]: p$ b
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
7 P1 _/ x& |$ V; {. s3 ?. @- ]8 J
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。3 g2 i4 K. D. k0 ~) R  p1 v& \
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。: z& w  J" o' [8 d) w' @
#华为mate70# 也没多久了。
1 K! b$ r! |' c6 h( I
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06; j) p& Y, g2 W( r' T7 t
应该会在5年内实现吧。
  K: v# C% c+ s) R# }6 Y" F8 H1 M  L! z3 B& Y  l; {
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

1 S) ?- j0 ?7 l- K6 A; Q
3 [3 Z$ V. t% T" y1 O6 ?这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
- p! ^! k3 @/ b8 U4 Z这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

) y8 ~/ S3 ~4 z) L3 r但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
# G$ v1 b- G4 E1 R9 H! K2 N8 i% ?
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39+ T$ j1 M. y" F+ q2 S  T: h
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
4 u9 f, \/ `! A; p. s" q

: o. n2 g9 l) c/ D% S9 ?) n0 [4 F按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定; S" A" v9 G. f5 A9 O$ t
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
5 G& S( T$ V* X不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
" _5 x0 h9 }& ~8 I( _( L, R
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54% S# {9 n. I$ r! S; E# ?
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
: ~* a, `0 G5 N8 s! G1 e% \/ ?4 k; u所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

8 Y/ j$ p  f6 `& S有道理。
: }6 m9 _% a- ?8 C, V9 T4 ?; r9 c; h: N( G) u3 x
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。% H- Q% x* Q" `8 m4 }  \9 l& z" |& i

2 j; }! ?6 t( u3 s! I0 l! y中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。4 J" }$ T2 ?0 Y: Z" n% Q

3 O5 L+ {5 i+ n4 V; N0 H  a这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
. H" ^/ c8 D& s+ X理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

" J; n  e$ z4 C- O这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
' X! z; ^& Y. s+ |1 f按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定( P5 c1 r2 f8 ^, j% v% ~, v
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
' k5 }6 M& \6 U% B, u3 @
还没搞定？
& a" V8 o8 @/ x: X" c) l0 @我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。  T+ z7 A0 L, W) F  J$ l. R
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
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作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54" }. H/ n7 H% c0 L4 I! @" W
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
( ^& Z- a& E6 x" t& Z所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

2 o) ?5 J+ k+ C& s$ R/ x6 u9 p突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13! ?$ b1 G1 f$ z0 m8 G1 ?, ?
有道理。
0 y: [4 A$ Y6 k1 V
  q/ z# K) t  T不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

, ^2 r1 w8 R. I+ c* Z' H$ n可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
4 `* o' |9 a5 K6 a6 m/ l很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
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雷声 发表于 2024-9-16 19:197 c0 H/ r# r/ A6 J
还没搞定？ ; a$ M4 t2 R( n) D
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

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8 z& U' Z9 [+ o0 y# \Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。- V# X, x; W7 w. E# c
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
$ H3 R% b( d+ |; g突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

2 j( q" ]' F, X8 c3 W: h存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31) k, h+ |" M6 V1 B
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
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需要用到浸润DUV吗？( n4 E: v4 H6 h* q  I! m

5 G1 P+ P! W1 q- s/ D我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34& S7 ?) Q) \, f. q
需要用到浸润DUV吗？
% S4 F, c) [0 a$ s9 i& q3 ]: O, Y- m& I! ?0 u
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

4 a/ p% T& X. Z0 ?浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:239 q# _8 h/ z; ~* y- {9 U+ Q
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

# `+ ]" j6 E, A! z是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
( Q% D- _% Y. I- o! E# ~
6 ^/ ?) [% m6 D( N硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
; b( W0 q7 E6 D& L浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
' ~3 `7 I. p5 k
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
3 b" O6 C" y# [; D, r  ~7 i  g按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
8 \9 j7 W& Y; m" d5 Y0 I所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

) f2 Q# A$ j! v& m0 T具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 ! y1 j! u+ X& t& ?9 o
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43# W% }- w0 L/ e4 b! N! K  d
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
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1 A  B$ v3 }; p4 G5 ?& ]
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
4 ?" u# S; r2 }- W: y& p都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

7 a8 ]- M1 Y8 D4 R不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
" a- P. p. ~- t, z+ \' j这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
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中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
3 o: r! h+ S" S; s在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
7 y7 e4 `3 [% O+ l7 P2 _我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

# A+ v9 I+ E$ o4 g! d我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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