爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 " J) s% m  k0 R' i( L9 L
. u/ E9 f. R- g: l& y) [7 v
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
3 }5 @& n9 m6 T' \" x# u光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。9 C7 {! i2 D* z1 w: a7 F/ m; g
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：4 n# ?. _6 c8 v1 p  |, w
1. 表面清洗
3 m  Z1 n' k! q( w* ?6 o- `: @2. 预处理
3 N6 r5 r; L9 M" `7 A  S: r3. 甩胶8 ~- q# N5 |3 s8 G. V- c# |
4. 曝光
2 Y' D# T3 D1 Q6 a; Y6 p6 O5. develop（显影？）
8 W' j3 Q2 T- p5 l# n% j6. 刻蚀/离子注入
. S3 F4 Y) r; l- k; E4 N' X7. 去胶  z. K6 ?. z, d
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：/ Z4 ~( z  e5 \* A
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
& L& \3 A! S- D) f! U* J; K# {, }对于光刻机，公式演变为：" x+ y3 X! ]' z, S
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
, A  W  A; S) ~: g- \) u' v这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：; o6 q& t/ w/ q4 N! z6 |1 W3 L
1. 436 nm (水银灯"g-line") . {. k1 u( W5 G1 G( \: [
2. 405 nm (水银灯"h-line") " `9 S; H9 Q: s2 p
3. 365 nm (水银灯"i-line")
# z. T  |- M+ {( I4. 248 nm (KrF激光): q: v9 n/ m# g) J/ O
5. 193 nm (ArF激光)8 r  J$ O. `6 x, j0 N3 _
6. 13.5 nm (EUV激光)* o9 B1 e' D1 M/ Z) T3 r
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
. [8 v) Z( ~: l按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
& P% p0 t# _' F1 H3 Q$ e: o# I1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。6 p, f' I$ `2 H( F
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。6 I. C3 X8 O8 H  t' ^6 w
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
- L0 {: `3 Y! A0 o" s; Q6 L4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。* [4 u/ }/ [! m4 W2 m% e% w7 A
7 A2 |5 Z5 o& H$ g& z2 m
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18, J9 Q) e5 I& r1 v5 g1 R& g! z
我还以为你才30多岁。。。
7 @3 u, f) O6 ?$ @) U4 }( e
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
; W& o8 z( U5 f/ W  J" H! _: g" n
/ G, j8 f) o( B6 Z2 `5 [国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
- p3 _& q. A, b9 ^; B/ s3 C. q1 B
: k7 B/ W5 v4 P5 y2 z; ]! m凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢% \: q& h: F& R+ B: {0 l' v

8 t* y! z3 V5 w$ j( O工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm- e8 h( ~! L' _, q2 {
7 w2 B: r8 C/ r( z  v, C
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。$ }/ ?9 H; Z7 l- T+ Y: x
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
0 S( ~# h1 _0 ?8 f1 C3 Y/ k3 b# k3 I2 {; L& N- i6 M
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。: j( Z# P0 L$ q% {. b/ j
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
9 t5 Y2 X2 B% |1 R; X# t( v& S' g/ x6 v0 N, P
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html% f5 R3 ~1 I) l. f
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：: W  F8 _& M8 d
2.1集成电路生产装备* u4 d! ]# n$ v- i
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
! z: D- X, T& b& e/ K& @. _3 K2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
/ a2 o; I3 {1 I; i5 k2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
5 x+ r) r1 i1 G' C3 D2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
# \0 e2 r0 o  f2 U' v: x- O2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
; j8 U# Q7 b& R# N: Y+ C/ x2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm  Q& N# p! t4 r: }+ m' Z4 g
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%/ x4 m- s( F9 s. |, L7 N
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
3 q8 X4 O& t% o; E) _  h" v: ?) O2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀/ O! y4 T& @" ]* E/ I4 A, H( Y3 B
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
/ i2 Z( F" K0 ]& q7 v2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
4 b. d: b1 A, S+ w, ^7 _* r/ V4 I2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积7 l; r" p# t# T6 R. X6 l
2.1.13化学机械抛光机
! X( G$ j" I3 @6 o* B1 e) L7 ^" \    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
- C- a8 r, A- L" M    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
( G. t* @6 R. j) V' O    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min! J# z3 Q: M. V2 }6 s  P
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
- z; y" b& D, L2 Y" u1 D2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
- Z/ c5 P) |6 y, B: B. S0 Q& n2 F2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
, n/ T8 Q8 A. z" U5 A6 P- F" O* k/ D* }2 v  M: M: X
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。/ E6 r- D# ^' ^* c8 \8 N, L& U6 P
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
: f' \4 \# o' Z5 O# P( u6 d公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

- [* c, r1 z+ `: o个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
* U- ~7 N5 m2 s' E/ ^; d* j感谢感谢
: h0 ?2 k: y7 Y+ m
# x, H! U1 @" N+ Z+ @工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
. o* }! v) L# z5 f
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！+ _, ~; l( B! u( W0 s) d& f- N
6 N0 k3 S( E; F( b) t4 V$ j  o
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。. _( D2 v) l6 D5 S
  ]! `! _8 ^" i8 [9 o
1、内行人一看就知道，还在65nm
+ [6 T$ m# A3 t# G, M2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
" f5 ~. D, f; R7 z  t8 U( q3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平, Z8 s0 O3 N0 V4 z7 Z
, R2 n2 O6 t  @
然后就要等EUV了。
& F7 D7 L1 ^: _
. y* `1 }' U0 G' P会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？& o* R, b  a7 O( @6 ]2 M6 G
' I6 K4 \6 E% |6 o% w& N
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00" }/ H1 I/ `! }4 y8 ~- W9 _% I
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
6 _, Z5 e/ v; w( ~, B2 v3 [9 a3 B2 @' q$ A7 t
个人感觉：相比于前一阵 ...
( i2 k3 m' G: i* M; X
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。6 V2 W) D5 S& [; z2 y! l& A" ~2 b7 k
0 o1 J" |. t+ j
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
( ]0 x: ?( p3 g& u- O
; y6 v0 F. c; C以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
  d7 Q; U- G* ~- S; [% N. c, W
! z! u. J; h. v7 \6 }% k" H0 a4 c6 m+ i
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。) n5 a# i; B3 E+ B; H0 d: c

2 x. C! H* v3 \$ e3 [6 e4 y; @6 ]
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:426 U0 d: J( z% K' ?0 E4 T
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

: f: r; W4 I  l6 W+ B也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
2 O% `( M; C, u( g: _不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。, U. o0 a3 D5 H' q% f' g

8 R9 Z! g4 Y* X3 v$ c( o' {! u' W从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

8 _5 {8 P. J! S. p+ E不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:216 K4 v$ X9 ^4 Z+ P
也就是说，EUV用浸水没有用？
8 Y) h2 N% J% n3 N- [( d7 H
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
+ D7 c3 F8 t' o( `- _理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
% R; n' \8 p% ]0 X, q2 J
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39$ [4 t+ R& p: L$ _  C
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

; n2 T1 u! {7 M1 a& O8 b2 p相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。( X) Z' I' `2 b$ R* D; h, x
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。+ `! u( O) X* x: e/ i) G3 A+ @) e
+ j1 I4 a# T1 `0 e# L/ v
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00: {( _. v' d" a% L
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！" n" j5 n3 [2 i( X. Q3 q: u
0 T0 O4 Z3 h, T* P7 h$ \# T) z
个人感觉：相比于前一阵 ...
8 L. ?$ Z4 I6 [1 J3 t' k7 A. C! x' U

* _# \* d1 f& ]7 l
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
7 ?# s7 j1 [4 v+ ~0 `6 c
应该会在5年内实现吧。
$ E# X$ r5 c! u' S/ h% {% [9 ^0 f: W  o
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
; k( {$ j9 x! K4 k) F: I/ Z24-9-16 23:55( x$ a6 J% o/ T, p1 o8 h
发布于 湖南4 z% P4 [, v8 E' ~
来自 微博网页版. ^9 L7 ?+ O) |" g& V3 Z2 p* [8 F: |
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机! k* W- m1 G) \8 t6 p- @
不是运过来就能直接开工的。- B: H% F* \  ^* a* X
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
+ U& |* K. M* H+ N0 `* X5 Q2 i: r& G# u; k
这个时间很长，也是我常年说：
$ I6 ~' [3 L- ~. m就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。8 l3 @, \9 S1 y: L& V1 i, ^3 r* S
. |! a5 g; O5 V
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
4 d6 [$ Q% a" R+ v$ ]# v+ N! d7 B4 ?! X0 ]) f  O
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。% Z+ S! G4 p+ O) s1 R9 K
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
! P# i3 |2 c3 u  W  _' s: C; J多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）4 N+ |1 R" Y1 F" Y$ e' L
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了" V" L  y6 H/ \: `
" M7 W' E* i# Y* ~; H/ {% f( q
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
; J& U6 k4 _! V4 D0 p普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。  C! w( I' h8 A0 F
#华为mate70# 也没多久了。
  h- O8 i7 }1 y7 E) S2 T; z
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
& }; u3 W4 j5 v% m- X应该会在5年内实现吧。  H1 h7 i) Z; [, R1 i

, L7 O+ B) N  t! ^1 F1 S8 F( P微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
9 B! n3 w' a& r  ]% E

  \2 m! H. b& {这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15( \+ |) ]+ S$ L  g
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

7 x. e* r& ]4 g( d4 `/ W9 [. \2 X但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
6 @( O* ~$ I2 G1 A
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
. s" _: N7 |; k  d但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
! I' n: z3 [% u2 j* C2 x( L: q" R* K

5 Q7 m1 ~: }: Y7 n9 x8 D8 j$ U9 k# f- t按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定% c5 |: c3 c# n7 I3 H' ^
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
! |: K: N7 G1 z2 k' i不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

4 Z4 S6 y, Y- k1 p% ~9 X) Y理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54: ], h! |6 f1 J# m: k0 s
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
5 _& D. H" i0 F+ Y7 l; J8 U) m; ^所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

) a) t& m- e6 Y' A2 X2 ]3 o2 }有道理。
0 z0 Q9 m/ }2 A, S
/ r* P! O6 e5 q7 s不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
" O' f6 H& u6 t
4 p/ C- `( f& f5 p6 w' ~中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
: ?) g4 z& O/ N+ ^1 K1 e: |5 N1 I1 d# g0 B/ i9 A- b
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08# w8 k  J) V2 c! I8 |" w% q
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

" [% I3 t& ^% D' t4 S( [" g! X这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:546 z+ m/ U: h# S" M  Y) C8 x
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定8 ^* F: l" c4 ]3 Y+ V
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

9 a; W% Q0 A$ R% j" g$ H/ W) ^还没搞定？ 5 T8 [; k$ |5 c  Z/ [# c/ E
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
  n3 C) `2 w  t1 N尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。% F% C3 E7 v# q& e! w% S
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
+ u5 h+ ]( H: a/ V0 q4 T! l2 R' I按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
: C7 T5 q6 o' w6 n1 ~4 U$ l- I所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
/ b$ U  s1 F  ^; b% w9 ?
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13* ~( f9 l' N6 I$ j& r9 ]8 J7 M# t1 [
有道理。
4 N: B; n, _  j( t* f4 y- I& M+ s# b
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

9 ~) A6 ^+ i9 @可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
5 W: P( U+ |$ \" d1 R; @很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
8 j$ w5 V5 H1 C5 ]' m2 f
雷声 发表于 2024-9-16 19:19+ z4 z( A% `7 O: t$ p
还没搞定？ 6 c  p: i) C% s7 p$ h
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
% N  [* ~& P2 m6 i

2 S' U' I! H' c& S" V4 JNikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。4 F( T& }- n9 ]) v. }2 |
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
5 c) T2 t. K2 A; X) o( n突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

% x4 g/ q- J4 [" X  l存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
8 m) X  F% v4 Y( W存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

; P+ R( ?9 J* B0 d, U" o% f需要用到浸润DUV吗？
/ u" x  o% \8 {5 p8 E5 l9 }: {- }, y: C7 f& S: {2 b
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
7 p; V2 Q  v  p9 v4 z, {  d/ M需要用到浸润DUV吗？8 ]9 q* n+ F3 W5 X2 X, S

% S; L  B9 r# a& `" F2 H' V我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

/ j1 ]9 l5 N5 X* O' P1 }浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:231 d& A. J1 V! S, d( K
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

' u9 n* g) x7 w0 o2 t3 Q是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
8 j3 o# y  Z  K: O. g7 g
! V5 k2 Y+ @& B" C硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
: `! G9 o) E/ {* Z; B浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

- c$ o$ f9 D) A/ x都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54  `8 R% F+ V3 Z& S
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定  Y: g$ L6 g! G6 `
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

4 [. f6 [7 y3 q: \% S/ Q具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
6 a: @  \- e" a6 L  L
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
2 `; i( V( E: o- k) g& c  ^1 @具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

! J, R4 c) w6 s- E! V/ y
2 d. R  f6 O% Q  ]+ w: Y这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
9 n6 B) O2 ?9 V2 L" U都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
% V. w( o4 {! c1 e3 n/ P
不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13: F& d( x9 b3 Q1 Z) m
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

. f* @: M, o$ l$ F; R5 e中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:450 h+ I: ]2 `" \( p$ _1 K4 G6 w
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。1 x2 S$ D) r: z3 m
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
; Y( x4 R. |  p$ Z- t- E( `
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



欢迎光临 爱吱声 (http://129.226.69.186/bbs/) Powered by Discuz! X3.2