爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
7 O3 @, p0 a2 r5 U6 J
' a& L+ G* q& d9 U被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
  F1 H/ r" q, V0 C光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。# k. C( G  z* T$ \, b3 R
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：0 }0 i4 L: z3 t: B
1. 表面清洗6 h* Q( X4 N# r
2. 预处理
! S8 I" H, Y; I$ h2 Q) {3. 甩胶) j) o7 w/ \# L! i" [0 S$ n# t
4. 曝光
3 z4 A: Q* B/ P5. develop（显影？）1 n- i: z$ ^. h4 I  X
6. 刻蚀/离子注入
, }0 N: m8 v8 Z6 U. r  Q$ M; c7. 去胶; |" l: b( ]$ Z+ o1 s9 C
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
' [/ K  F' g* t[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]) ^' ]# j& R7 {' |* J- h. `
对于光刻机，公式演变为：% Z2 [( _+ Z5 s
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
! R  O. B* J/ n; y9 |' h( U这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：+ Q6 y5 A. }8 C3 L
1. 436 nm (水银灯"g-line") 0 x8 U0 Q  J9 W9 v; m3 [' K% j
2. 405 nm (水银灯"h-line") " p! q. u' d- A; ^, B8 ^) w
3. 365 nm (水银灯"i-line")
# C. P8 V7 b& ?! z4. 248 nm (KrF激光)
9 C- {5 r5 f0 {# N5. 193 nm (ArF激光)
6 a# h( G* J7 A. g9 Z$ X6. 13.5 nm (EUV激光)
: F! I( q' L) h! [& W7 N- T工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。. S* _% G/ o4 [! `" f
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
9 b5 T- e( X- a5 W7 l! @1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。; @4 R, _- s8 q) j: a
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。5 `  I, O8 b, S9 h
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。+ L+ F+ i1 U  z& J/ b
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
* E) W; R& q! d5 G& o9 N/ s8 m8 g7 Y$ V$ W  [; l3 h% {" n1 O
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:186 x$ K* T5 L5 ~6 E  n
我还以为你才30多岁。。。

  b: I1 o) `  \& H+ f3 k6 x西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。7 K; y+ X# B: @2 g* l, i+ A1 X
2 v( ^. L; ]" V* R, G
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。0 X5 h! i% X: @$ L9 T. |6 Q8 U

0 Y  ~/ p) e! |4 A% O! j6 a凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢7 @) Q: g! y% Q* C- J4 R# U" r

9 s% @# D+ \& }* }3 i* h6 v工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm/ ~& S; ~* t6 [' \) E3 q
: z. B5 B9 L2 s5 }4 [4 Y! t
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
' a! E0 u# @3 s9 D确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的: n2 w- `! L8 J' Q- g. g

2 d  d, v0 j( Q( |6 U延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。" D1 W& z3 |! \# {  b1 G
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。, K4 u! g1 M" q3 o1 G7 f
# l' I4 d* k. t
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html# U+ P& \4 v7 Y" S# }0 y) r6 o+ F
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
" R/ f' Z8 Y' u7 r0 `2.1集成电路生产装备6 A- k" K$ f7 m6 R$ ?% x- t
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
( e9 p4 M- _) \. u8 v4 X/ |2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗3 F; u1 {# `% D7 u
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm* i7 T9 V% y! w! F
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
- D  n9 e! l# h7 {4 Q7 i2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
. [$ u% O7 U- A8 P9 Q' y  T2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm/ r1 D4 m; t4 |  J) a- |
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%2 s4 G  u1 S. C5 G/ M9 _" A
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA5 B7 b% g% G+ M5 G  O9 @1 S" ]
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀5 W. F1 B4 w) `& I7 [/ D
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
: `: J* Z3 J' f; l, r2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
+ j6 X( }  h: h/ L, y8 h! F2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
) h1 u6 }; r% V+ g2.1.13化学机械抛光机
$ u5 O% V# i8 P" |    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
7 w9 Q% a$ X  K, [, {- v    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
3 i8 B; i# B8 [" k/ M+ Y7 ]* D    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
7 D# p! J/ m# R: r7 @, c# _    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
- T) j8 a# E9 Q& t+ w. w6 n2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm$ ~$ Y7 ]6 C, H! z- |5 V2 f
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm: X, X+ [6 L) s  G) `  H9 H! V

8 i9 A( j, I0 H" h' e- q+ J很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
9 k% L* I' o2 f! O1 ]
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
2 r0 N+ l8 I* m- k& a( B2 a$ g4 R公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

5 z4 j( p  N$ A1 x5 R个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:192 x* d+ |! l5 W# s6 Y- d
感谢感谢: i/ {2 ~. d- h5 n5 c

1 Z) ?4 c, L' s# c  F工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
+ T4 m# ]9 ~: T! R1 T' L
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
2 c  y+ C1 G, V* P+ }: S3 ?; ~) M+ b" f' C
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
; Y$ F6 v4 f+ e9 T, d" X
5 s0 e! @# \4 V& X. j4 p) v" O# m* O# |1、内行人一看就知道，还在65nm) T$ s/ ]4 o9 B& W, t
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
) D, q; P2 s2 U3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
( W3 G/ _+ }, q9 P) _8 e+ r
: _$ A2 B) F3 V: o+ f0 E! L然后就要等EUV了。
7 ?& V7 B3 B1 O# n4 P. r/ q- R. L' ?2 q0 L; u9 \
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？- X+ s/ H% _9 }* x

# A+ @, t3 z5 \+ e3 \0 d在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:004 c% `2 ?) [3 |9 s- C# w
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！# A! {7 x7 x9 c5 v" |
- F; g3 A, J( `) n! f5 O$ Q
个人感觉：相比于前一阵 ...
2 c5 H6 m2 V. u  b
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
# r7 y( _" [% o4 g* v* E2 ~9 ~
- S/ B/ r  I8 u/ z) O% s: Y从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
% Q. [' f; G& H$ v
  V/ x% N* ~" L/ {( R, N% R6 q以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
* T: k) X% ~! h$ z# i. X: _. C+ [7 i3 `, f+ h; t/ }9 H% c) }

6 [3 n) ]$ N" i) C% TSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。+ T4 T% d( C# J+ d1 L$ _

& s: K) H) I) ^' `
  v/ z1 Q3 N' D6 ^  a8 H; a$ a工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
( C1 P1 c7 I2 g$ ^& `0 yEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

4 Q" W9 A* c( W4 V3 a" q- n# a/ [也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
+ K- P1 o& l# r3 q8 P4 W不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
9 p( U% A0 K* k, l; o3 b) D# L( H& y
) ?9 J% @+ K8 M' w- o# H) N* N从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
* s( `, X! [3 A
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
! }: `4 k9 a6 x9 r% k; L8 [也就是说，EUV用浸水没有用？
4 b8 `' t3 e; j& x6 K+ o' A
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
5 u) o: z# q1 z, x( w3 r- K理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

  V. m( B, c) S8 z( j5 h% z, M; m是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39$ }" s" c( }( ?6 w
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
! i7 L; @& J' m/ C
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。) W% n' D) S: K# n0 h
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
2 ]! V3 W0 t' k
% b$ |0 r/ @6 G1 Q' ]https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00) H0 y  y$ M( P2 z7 F  C1 @$ _% z
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！2 J9 F  j6 g9 N& V0 S
% D/ `+ u9 E5 l
个人感觉：相比于前一阵 ...

9 z/ G( o+ A0 G! M% f9 Z2 ~4 I( H; e# t
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
3 }: S" i1 }) [7 Z2 y9 o! [
应该会在5年内实现吧。1 @+ i  D2 r0 |5 w/ ~
4 H3 j  V8 y' W/ z2 R" c- }5 Y* M
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）2 V% M; e, ^( Y. a, }+ \
24-9-16 23:55
& H! Y2 W6 q' [. \( w发布于 湖南2 q8 E# z$ c$ ~! P4 r
来自 微博网页版
; \! F! t( d% |: i  A啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
3 B) `4 D/ p& l6 s, s不是运过来就能直接开工的。7 s5 G: c. M4 j9 O5 x0 j0 L7 X
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
" @- \& |1 e* M  j9 j4 e7 i4 ]/ y. G+ S; s( X/ T" u
这个时间很长，也是我常年说：
, I' Y7 y, Q& f3 x- \* W就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
, `* S- m3 y/ N/ D! z" |( |3 }+ c0 J) o! Y% @- r9 ?
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
$ _# e' `/ M& b) l6 c2 u9 Z( z' A, M. b+ o# l+ A0 L
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
# G& O" K! d( m. z0 Z7 [$ @" X8 J) B干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）" ^. t- w) A8 h9 x- r. [5 R9 i  u3 u
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
! m' z0 J0 U0 a' q8 r但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了& m, q" l. r& S1 K# S
7 K" }; d: f  |" F5 |! @& B/ _. t
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
4 j% Z' S- F# k- F! f. W2 \+ _普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
9 |/ K9 k) u" D1 H1 D. T6 C#华为mate70# 也没多久了。: g7 M/ }8 u4 s4 }2 `; f4 C
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06! _  N$ O/ t- a+ V# M
应该会在5年内实现吧。, V' r9 A5 Q% x4 X& C% G
! {' M& P9 M) s% C1 N6 z
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

; W$ D- z; i  P5 l7 K6 c
) l3 {  H8 ^! R这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15' W# d( h, ~7 B; O$ W/ Z6 u' Y* W
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
7 n' L- E5 k& a( F
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
, t9 |$ w- ^- e3 r- m. K3 ~& [
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
, c" a# j3 T$ u+ E1 N' x但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

& f( @' V6 X- ^" W8 _
( z  K. O. P( u% ?按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定( J* \: V+ V0 z! x' f
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34) T5 d7 u1 c. z
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
4 d. u7 L; q+ h: T" R( O# D. J% U
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54" z6 {6 k7 V- s/ N& O
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定& [! d2 X9 e" G$ K7 Z( Z2 p
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
& `5 e6 h: H. I
有道理。
8 g# R' x( ]! D6 f* s* e0 x6 `1 Z& ~: L6 m: D: R
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。: v, @3 W/ }+ @
0 v. Y+ Y( m, ~& ?2 [  v! s0 K2 O* K
中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。' H+ T+ H2 C2 s' T
9 p3 s, _- Y/ I6 T! v' I! M+ H
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08& ^7 _8 I1 ]! S) w. n% E! y: i1 ?
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

. [8 Q; S2 K9 T这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:546 u1 h& `5 Q/ ?$ R! b  E5 ]
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
+ k+ o1 M% y  f. N1 e; q6 z所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
6 D- o! D: h5 V4 F1 r' ~' [8 z
还没搞定？
# b5 d* P2 t& C. e( `, x# H' p, e我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
; j7 L: w: t1 N% e尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。6 t; s- L5 t+ b8 A  C
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
6 Y$ a# I% O8 W: a  |4 I按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
  O6 U  F7 `# H, l所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
3 [+ M7 D4 ^. _3 J7 x: z( D
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
* G  W+ R# P  e; V1 R有道理。1 x& s: X+ ^. v5 R% m8 I

$ q0 M: p, K& I6 d/ M! }/ v8 O4 o不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

7 `2 k5 u& V3 v& z% v9 ~可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
. _4 [5 M5 K: K' `" ~4 Y2 v8 @' K很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 ! S9 U0 y3 w7 q, m0 C. ]0 ~
雷声 发表于 2024-9-16 19:19
, D4 _( r' E9 n( z% n2 A3 m* T还没搞定？
* i- Q# L. V( G7 J, X) e8 D我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
! X& U9 {1 b8 n* w

7 E8 Q6 x4 k& h+ d* ~" tNikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。# F: {9 P! [# X  E( ~. v. \1 ~
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
. V0 d# D, B0 {2 W突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
2 F. b9 f+ \8 {. x% P
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:316 f2 a& q3 W/ m7 |3 _1 \
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
# i1 z& w& M+ u# W( l& e; G5 k
需要用到浸润DUV吗？! Y0 p& q0 U) X
; p; e  R! T' n$ `3 R
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
! w2 q8 ]( l9 X% ^. g" O; Q需要用到浸润DUV吗？8 }& c) f0 s" ?

7 Q5 A5 e9 ^1 _6 I3 f; O我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

8 Z  g4 @/ h# s9 Y5 @" k浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
( s9 a+ _4 O* g/ o可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

7 l2 U' N1 B5 y/ F$ Y是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
; J1 W4 K% G3 h  H8 s; L* H( w
( \- Q+ X, W: o& F; f$ D硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
" S$ ^& g% I- k, e7 M浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

% r' n- q! P" s' w7 w: Y都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54& H# l1 O* a5 x1 \8 O
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
5 u$ S7 K& i6 X* Q所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

: m  s# G8 C: P2 I, [具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
/ [( }! @5 P, Y. p6 _7 d
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43' n5 D1 s% M% S2 i- p; v( W" `; i
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
5 A0 f  R7 c/ _1 }8 g# U# q

' M" E% W! U3 j4 c4 {: k这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
3 D; d' l: k4 c' a% b都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

# _0 w: p" I8 F1 h7 A) e  C# C不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
( a5 s( o" w. \9 \+ Z* i5 N( ~2 j) q这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

2 {/ }% e" M- A. V9 n) g2 u中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45  C5 t0 [2 m  }8 w7 j  \; m' Q
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
- F, ]; k! T( {9 x1 [' Z我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

, F# q: y* p$ V7 p7 n我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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