爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 $ K7 e) @: g, h# f% J; r1 W
" A, y5 }. s6 P- L6 ?* ^% e
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
9 O% G% V- P% Z' |/ p5 f! V# v光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。# T% J: G& b: U
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：& I% H- @0 d3 x. Y& u' [/ ^
1. 表面清洗
: H, O  F2 u& q2. 预处理
3 l* Z& W3 C$ f0 g, A6 N# C# R5 p3. 甩胶5 e' z" s, ?; k/ G
4. 曝光
3 t: B' A* K9 f! U0 _5. develop（显影？）& Y+ f/ p, b& `2 X; S7 @, F$ r
6. 刻蚀/离子注入; f7 z- w6 s/ z1 Z% B9 K4 x
7. 去胶
# y/ E3 {6 f' v7 j0 c/ x光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
* U/ U# L+ I* M[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
7 g" @# K3 o, @* r: t对于光刻机，公式演变为：+ U; F6 E, p5 Y
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
! ?. {6 r( c2 d这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：8 h1 T# [3 O: K& l0 g$ {" [
1. 436 nm (水银灯"g-line")
' L' @# A! T5 S) T% ~2. 405 nm (水银灯"h-line") 4 }7 R# d/ ^5 W( g) i5 V8 k* z
3. 365 nm (水银灯"i-line"). N( S  d% M5 H6 L6 b+ O
4. 248 nm (KrF激光): B. y0 B/ \% C# v% ?9 }/ N) n
5. 193 nm (ArF激光)! q( p! `& x. \4 ]1 r
6. 13.5 nm (EUV激光)
% l; @4 d2 t7 G4 ?$ w3 Q工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
% `# U' {0 T: ~# l; ?7 l' `按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：, M( b4 e% ]# r: m9 ^# ^9 u! b
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
! z4 ~6 l* ?& W  M# k$ ^  Z9 q  e2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。( H8 D8 `8 z. Q+ I+ Q
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。, a; H! ~+ \! ~4 T
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
+ l' |3 l3 Z' d6 G3 i$ s2 ]9 M6 K- u1 R" k0 ?" A' u
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18# M( C. v$ n2 ~3 g6 H! U" n
我还以为你才30多岁。。。

" d0 d8 r6 I3 |0 f' y, |西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。- p. Z* b$ ~, }/ Y

# R$ D1 P- S7 }2 R! i国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。  t. m/ V" [% p
+ C8 _4 x; d! M1 K9 ]! G* w
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢7 y  i! f/ ~* a) H

5 V4 {& B7 [% n1 m0 [& j工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
: ?; r, t1 V0 ]8 F" p- ?5 g
' N4 b. [4 Q+ l. K. I9 I; ]按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。$ Q" H& e8 M: Z) N+ m/ T) L3 Q
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的0 e5 [" q, D' I

8 `$ G2 B9 ~; m' ~2 H延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。; r- t% ?# K1 I
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
) A% `% n3 C5 Q+ m' H; I4 U8 q) L7 P' C6 l# G, E4 z; S
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html/ ?; _& C  ]$ ~+ _$ U
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：. L* S: W/ s0 R' S8 p! H7 ^& T$ S
2.1集成电路生产装备7 l, s3 a# _/ T2 }' x; O# y6 @- f
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅# \0 X5 Q* U1 m( a3 S) ?$ Y* s
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗: x% |/ q6 H9 `. q! `, |6 {; q3 ^
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm; s0 l4 O( @3 _4 R5 O- d
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
7 C( v) c3 C; E2 o! q1 }2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
6 I5 W2 t9 P# L1 r1 F2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm6 @& F6 ]; Z5 {5 S
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
# r9 M- c. T3 L6 c2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
# V( h+ R  b+ f% i2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀+ `/ m7 D; h8 ?- y& Y3 @2 n2 t
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
0 C7 I  T% k' r2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积) `' p! u3 M6 y' N3 t
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积0 C3 x1 G( x# U2 W6 G# Y5 F
2.1.13化学机械抛光机 1 F; l2 z3 e( H
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min+ l; g! V) e* z6 `2 n' G
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min7 d# b5 i' h- ?9 T5 r: j% [: x' N
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
% N. ]2 f' Q( E9 ?3 G4 S+ {. ]    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
% K3 j: N. M1 @- o, h3 F$ y2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm% x* g. v3 u3 }+ t
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm/ O$ h) n; s6 x  Z

* b) S8 r0 Y# H* y' F8 [" r很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。' V( b! m5 ?: v" S$ h' G
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
3 j& M+ @& u3 I公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
5 P# H  _/ F; H/ X- t1 M$ R6 Q
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19) P4 O$ q. \) P
感谢感谢, m) k/ K( B, Y: h

* U# g, E0 w. W5 W8 ^9 b* g( J工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
$ e& g; X( K9 I# Z6 ^- s$ b
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！  _- Q5 F' A8 r$ g) `4 H

, o: {+ _" G2 u3 K- y! _4 K# W个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。: a  P6 J, [! H9 {, t
, V* a% P7 P( G7 W2 M2 ^- k- {
1、内行人一看就知道，还在65nm
8 B. T( j) S, @. [2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
- z) ]$ w9 i4 s# f/ ]& C  J3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平$ k0 f7 Y; ?+ H4 m) `/ Y* E: y

: B; x! `5 w1 U  ^8 S8 }+ `( J- m然后就要等EUV了。
* d0 b* Z7 D, B7 ^* ~
0 y0 Q. _2 X% }会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
/ X! }. g# Q5 B1 }, k. V4 z5 N) z
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
3 L. ~3 c: o: ]0 j也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
& S6 J8 S3 x* s& w% P  h! t5 o" ?2 l; L- S
个人感觉：相比于前一阵 ...

4 D! W- P  G3 i: s) b; s0 e不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
6 c7 {" X: u7 Q! S8 ?- A# \5 q0 L- c' x0 s
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。$ e4 |0 l3 j6 j0 X3 _( u( O. M- O
" D: B& t5 n; X: h, S( ]) U" @# F
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
8 {! m$ I  x; U2 Y2 n  A+ F0 I: o4 z" c, F! N

4 \9 @" U+ f- e* Q. I; USAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
6 N) f% o6 L  H  S7 b2 `$ _, n5 U9 Y6 L6 ~

' X  Z: F$ n' p& |. J工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:429 F9 G# q1 ^# B: ]
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

& J0 p" i1 a( O8 z8 |7 j7 Y0 V' L也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
, y) o  B5 l9 K1 O1 {/ p2 ^8 [不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
; f6 {2 j4 j" L4 j% K3 @$ \' k; T8 `1 F3 h4 W# h. r( S
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

0 |! h" S) S7 d" X; y7 }1 m6 r* x6 ~2 c不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
& ]2 J5 F: x4 J8 |2 N/ ~也就是说，EUV用浸水没有用？
0 D9 d: R1 p  F: J/ ]1 T
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
5 \( ?# `, [# q1 l8 ~) P6 o理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

2 I5 O. F( l  e" k是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
- H) x; E7 g0 x1 O1 H是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

0 r; d. Q% ]5 _: p) F相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
4 ?* @% f6 L9 j- G# t; T我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
: }# ?" i* S  o  w/ u) K
9 J% i. S. ?# F& t; Whttps://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
8 C/ P- C. j9 l8 _也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！; |! n" c4 h6 }8 [1 r3 |9 b* ]
: ~* B; r5 b% g' G: k7 \0 Y
个人感觉：相比于前一阵 ...
; e& t: D" r; K8 u& e* m4 T+ b0 {

  J" [# A+ i; n4 s3 T
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
% o8 i  U( j) v- p
应该会在5年内实现吧。% e! Y3 L! @' F% D+ R/ C) O; v
, t6 R7 J+ r  X. l7 S
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）$ V! r) b" W2 Y9 @0 r. d  _
24-9-16 23:55
0 b! I: y' M. w. e& q! ~发布于 湖南
% U: A7 w  l# c6 q来自 微博网页版+ o" |5 L9 P6 }2 K$ ^( P5 U
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机7 J2 M7 S1 Q. K' A
不是运过来就能直接开工的。$ O* _; e' V# p5 K( S  S* r( q
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。( N5 d. f* }7 T! Y

6 n% l9 e6 V1 Y这个时间很长，也是我常年说：& @, b+ F0 v% Z9 u+ |* i' i
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。: `/ N8 y, T" c4 Y; O

/ _: ?& c. o. [  d0 ]( b: F现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
- {) `# D: M  U; ]5 o
& o# [) B' p, Z( A* t6 s% f简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。) w7 c* I9 ^7 r4 k% s. d
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
& g3 B/ C- c2 [. h  p多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）& d  W1 N% ?" B; W" i
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了+ a! [6 F' j" }* k6 q* x
4 J$ G% }" f+ p& {
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。; v9 J7 U2 P8 i$ d
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。3 r+ _* _# c" d. F3 C% S
#华为mate70# 也没多久了。
7 B% [& P' F+ n( P) x6 S2 x4 g
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:065 w  g$ k0 h7 O9 |% f
应该会在5年内实现吧。
2 h/ F8 s7 q3 t5 ?7 T6 x6 @9 V' C) d+ w
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

% L6 ^4 X7 f! l3 u$ h4 I
; o; I' }! z9 }这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15. S7 O& \6 I2 W8 g
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

/ t/ R, H. N' g& Y  f/ U, F但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 * E' K' Q3 j3 Y7 b" B( [# V
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
' _$ v( l, h3 ]1 {1 s. u, U1 l但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
1 ~  U2 M  Z0 G$ r# r: a5 k4 o
& _1 o" e# X5 Q' P! }4 r
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
; I. ^3 `# w  O1 _6 s3 L& d所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
. ?3 Y+ Z& e& {; s, H  ~: }不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
2 b8 K( j3 P# ?+ X+ Z3 Q' ~
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54) C4 q; X; q  ]3 j- m' J& C
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定( @, _) k& Z) f9 H. {" _
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
% j  c( e2 o7 N- U6 }, l
有道理。
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3 c! a& N  Y' D- g/ a" l8 X不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。; K0 Q# o2 q9 Y8 m( C' @
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中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。% ~+ d! i" W+ r6 Z
7 y+ y4 ~. B- ?' y- a6 e" M
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:089 n. A  d, p5 Q; e4 l' w
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

8 \! ?8 G/ A- e; H这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54$ M2 X: z& ]0 N; B
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
8 J& L- k+ a8 B所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
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还没搞定？
/ c3 a4 s% F, |7 J/ T& y7 ]* b; `. C我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
9 I! f0 a* z5 C/ i6 k- R尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
0 g0 W0 e+ X* t, o" m
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
  n  b6 Y0 k3 n5 _7 @0 f; U0 v按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定1 ^* x3 l: H) k3 ^, H4 A+ q
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

3 d6 l1 ~+ _: J1 n突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13' |1 u" Y6 q1 H* f
有道理。
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+ g$ c7 g' v' h& f% D5 W9 t8 N不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

* n; r; q+ Y& A可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。" S3 T4 B5 c1 C/ P. O' k" w
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
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雷声 发表于 2024-9-16 19:19& v8 ~0 N& y1 P; V
还没搞定？
! B& C# {1 l. u$ k! M我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
7 k8 k. W! D& m; ^; r; W

8 a" ?5 }/ J' ~0 bNikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
, |2 }8 h% O7 Z. D有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
& ^- [: A: K/ l: Z突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
; l1 I3 _/ R$ o6 M) n6 y; ?
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:310 b& b$ N. Q1 x9 i, ^) @
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

* |7 E. s' G4 i6 M& M需要用到浸润DUV吗？! c/ }9 c6 u7 ~* B1 K9 R' `- U- ?+ b

- k: L; J  l- b; R7 Z/ G我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
8 B  A8 O) i/ M/ A需要用到浸润DUV吗？
  o3 Z& ?1 b- b+ U* x, S, I) j- U" z% U6 _
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

7 I; _# d7 T% D# [3 Z1 c浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
+ A6 z/ I7 z* @+ U8 U可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

$ o' b) N! _4 z, Y1 p# u是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
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硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
5 A6 r: i9 w3 Y& `' S浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
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都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
9 ^6 w  \1 o" q: _( ^8 R0 G/ H按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
- P8 \0 X6 P; A7 e  e6 N7 z/ c所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

( I/ n9 c/ B! c" w具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
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沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
  E, V/ d2 q7 E, Y具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

8 k+ M& S9 a3 u$ J: q
( p! y* P1 ~' Z) B/ O; J) {8 I; f这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
# b0 u. \' L( q都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

  B  S. I( {; Z/ x不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13" X4 p' w0 x, M9 M7 S
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
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中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
7 F& a5 E/ s7 {6 V5 I在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。* U8 M5 [1 w# |/ d. X0 l0 M
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
1 [9 j; L9 m0 Y/ g  Y0 p
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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