爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
5 \8 A! b# l; ^. b
% }* e  [3 E& K8 V3 f被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
7 R, k) b6 ~- U5 T光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
& u9 K1 v6 L. G. J1 U/ y还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
  {" [7 P' k2 V: e1. 表面清洗
: m- i0 C* x: a9 O7 H# C  K3 n2. 预处理  @  ~* }! i0 {* p! L9 t1 [  b* ~
3. 甩胶3 @1 S0 m& \1 L3 s0 C! y7 s
4. 曝光8 U+ s# a& o' K2 m& ^
5. develop（显影？）
2 S% r- y& g/ x: ~4 _/ p. |6. 刻蚀/离子注入/ G/ @3 Q( O* e
7. 去胶
2 ^$ Z( J* ?7 u' w* H4 }光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
% b& E. R5 n2 z* H5 W, w  a[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
& W# H! u7 K% p1 e; Y* E对于光刻机，公式演变为：8 ?3 V/ j0 T" J( T3 q
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
; w4 j5 ]' K$ r这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
" b* P/ `+ l. _1. 436 nm (水银灯"g-line")
1 R$ K$ t, }6 C# t0 M2. 405 nm (水银灯"h-line") % j; S% A% C# c/ c3 g& ^3 v
3. 365 nm (水银灯"i-line")/ [* f; v2 S  g& G" A
4. 248 nm (KrF激光)% E: y" f* V7 J. [0 K: V+ x: q
5. 193 nm (ArF激光)
0 Y' r1 O- L: I8 e4 J( U) C6. 13.5 nm (EUV激光)
' t9 ]" J# M4 Y, c  K; k工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。% k0 M- }% S( i: d+ W
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
8 T/ p- T0 O8 U: M1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。2 z* {8 I" I+ E2 E0 k( \
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
* L: d5 k& Q' n- l- j3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。- ^8 p  \! L0 Y) l
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。* G, ?0 q8 U% i2 Q  |

: H7 m# Z! l% c: M# {, }: K& |( }" }网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
2 I7 K1 @; D3 I8 L9 h我还以为你才30多岁。。。
- ]8 N( I1 s- f  Q% y
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。9 S- K# l; F; ?9 o6 S+ @4 X
; ~& S" l, y& o% Y& i
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
1 Z$ k" o$ e' o: C2 [$ K0 p0 H2 R. T  ~% Y) c% z
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
9 ]& ~) h4 ~. G0 ^: ^
: f8 c0 s! a8 T3 V. X" O1 ]/ `工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm8 F: [; g* B2 q" [8 L! A

$ q& v- B4 ^: k3 B2 o2 ~按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
6 d( o3 S" d! j; n9 L- f  Y  R- x6 h确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的" v$ m1 o% G1 _2 b" ^
1 ^9 C+ w" @2 V# w
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。5 W4 [/ Y: E: Y- S# i
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。  A6 R& V3 A, b( R) [
; s0 I) \5 ^# @2 b& \8 r9 p
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
! T5 ~! k5 P- [, b和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
9 {; }* Q& m1 N! f2.1集成电路生产装备& P2 ]! f  h  u8 f- W( k" l
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅8 x% K" r* d% o8 J
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗
/ D- C1 \1 x5 a/ p2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
* z) s2 v! d# L5 ~; z" H2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影3 Y* {+ q* H& E% J. q7 m5 u
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
8 b. B4 M- r  a3 m. Z2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
4 U3 y" R! D1 @2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
* Y7 Q8 V8 q9 `) p1 j6 o% u3 @2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA) e; I" p4 `. P! z& N" l
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
0 f) M* r% R& m) z1 `6 Z/ N2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
  m8 Y% j* L3 a; p% w2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积! c$ Z; F5 T& i/ h4 c+ b
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积. K+ U/ n  X# J* \, F! t
2.1.13化学机械抛光机 7 p  W8 T) H# U. s
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min, R, L3 u$ p$ l' _! |
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
+ v& \7 |4 p+ X' f8 q9 b/ Q! s    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
1 L3 H# Y/ s1 B4 A    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
* T+ a4 H1 i( u9 k& ]; y3 F6 \2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
% d. ]1 J9 z6 J3 _6 B2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm2 i" i1 n* ^# W5 |9 E

" G# H9 B- o3 i很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。! K0 L5 p7 v: ]$ ~
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46: `3 ~, u$ E8 t) r7 o% o$ h4 V
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
" j: t9 y# L4 }: J
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19, c2 G* i3 P  m
感谢感谢4 X6 Q: `3 R5 _( \
; @- U3 e% V: \
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
* }5 U/ k, H' r* k# V! {! Y
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
; E9 V+ [- k% d  a: R5 d# p2 l1 g% }5 K
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。3 d! @" v! K/ s0 w2 C8 ?( _6 p
( E' f) \/ i0 i: x% W  q
1、内行人一看就知道，还在65nm0 j1 ^$ S7 }9 {
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
# Q5 J, e  \  S- h4 ?$ p( K3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
( ^) Y  \! m5 p. U. ?$ C. D6 q; q5 `
然后就要等EUV了。
6 f7 ~  j. Q, b4 L- K( E, B
1 M. D1 E1 n" L会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
% n) x+ N6 O4 a, Z6 w
, J4 ]0 Z0 j- L在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
7 _/ T! V; q3 a7 k也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
4 Q# v# m, s9 f! D, M, O! ~0 |
9 r0 w$ @- V% [. T6 V' U/ @0 g个人感觉：相比于前一阵 ...

& |! [' X' s, \7 `1 u$ \6 R5 w不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
, v- [: |0 v; f/ _4 T, g+ F
7 E* H; O. g2 S4 `从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
2 U  C! T  l( j3 r6 y5 J
; o. q% v- N" c5 L以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
7 L9 O" s3 L2 r; I# H/ G$ N
% [8 Q( P- x3 Z$ Y# V* J  f5 V% K( k  Y2 `  e. n
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。6 s- _, g2 m* z0 \5 G( V+ F, W5 i

/ S' G0 Z; A; c  \! Z+ @, U6 V+ f5 Q- V# N% s
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
7 Y4 B) H: K& [2 YEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
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也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:467 _4 d  e, ~1 m0 [" j/ i$ v' }
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
- r+ L" T: a, W; c) Y
) \, S6 D3 O! R. Z2 g( ?从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
9 F' `) W: A0 t
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
1 m* ?) e# w0 G) |/ p0 `. Y% l也就是说，EUV用浸水没有用？

$ o; R; x7 L' g1 b* r- {' x理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
7 ?1 R. o+ U5 `* Y5 ~7 W理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
6 Z# O6 `  i  m7 G7 l" k1 \6 Q
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
' H$ M! H, I  d" G3 r是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

1 I6 l8 D9 e& r0 {( x相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。. l, p3 R; d0 A5 x" l: H! d
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。8 {- A! p# F: I3 y4 S  B
/ d* R; [% U8 j9 x
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
4 ~6 G' U8 p/ ]- U" A& J) J也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！% U  ~9 V/ j8 Q3 H6 ?
3 x9 e, ~. I4 v" x; U; ^
个人感觉：相比于前一阵 ...

( }8 }5 g2 E% ?, m9 z6 h# w- S: I! A; ?9 U- q
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

; h! x1 e2 Y# G& _$ N2 W/ p, y应该会在5年内实现吧。
: m; C9 T& Z6 D! y4 d* g" |
0 }5 j; |8 G  @. @3 p& }微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
* e  [8 w5 [* `0 A24-9-16 23:55
4 Y& B$ K; k1 P% }: \发布于 湖南& o2 e) ]$ {! L1 p
来自 微博网页版( W) L. W6 d) a/ T( Q- s  S
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机9 G* E$ _6 {7 O+ l( G* |
不是运过来就能直接开工的。4 R- O0 @5 Y. n/ x! W, _/ ^4 m
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
, b+ F; n( L. a! J7 y4 \' e$ r  }: r% a' P9 |) d4 h
这个时间很长，也是我常年说：4 U+ Q5 ^9 N5 F5 d5 o$ X  `6 ~
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。2 _. x, ]1 E# }0 Y
1 ?. n3 ~4 L& p9 l
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。9 z) Z! h- V& X" A) U! e$ O  F8 w* H
( `( N$ P4 y- _
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
" W, P7 E# F- `$ B干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
1 j! J! A  b6 y/ J: B1 O0 C9 h' K多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
+ P! ~9 @9 f1 o' K5 b5 t但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了0 k, C. F" n; _& h

; R8 \, X# f2 c没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
* Q% ?5 a& v! w+ Z2 o普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。' p9 A2 b! |' g6 l
#华为mate70# 也没多久了。: g# d! Z& e3 W. L
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06# W9 N* |$ W# U0 U2 n
应该会在5年内实现吧。8 F2 P- L- \  c/ n. o! b5 E
4 X# F- T% c- H& \
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

% A! u8 ^3 L; q( l- M4 q" D6 C' i% o6 B# j0 ~
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
, H' g0 H5 \! H2 p9 m$ G3 @这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。

4 {7 i* v$ Y' J9 c' D但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
5 a1 F1 {% u. i3 N3 c4 y6 p1 H& \; [
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39$ Y  {: N- X2 O7 y2 E; _
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
$ y" B1 v) ^* `9 S

4 e- ^! Q* X  x# N" K/ D8 n- o8 ~- N按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
1 y, V( n7 |5 r1 a( b所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
& S9 C. M: ]: T* }$ Y不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
3 n: e7 H! M- m# c* _1 X9 a* @
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
8 i, k% o& m  i( c* w' \! Z7 @按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定+ a8 W" u* J. l
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

  {4 E" w7 x; n8 w6 I( d0 d有道理。& Q; O5 }. @$ C, g& d

1 ?! r3 V- i3 ?不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
  B& m! P- R" q/ H: `& o: T) N( F
4 Q& S/ h" K9 m: H( Y: n! ?: ]# A: ?8 F中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
4 z2 ~% W1 ?. ?" C  f! ?2 ~3 j6 X0 [0 x
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08- K6 E3 t% ~' g& _. O" j; S
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
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这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:547 _9 s6 y* a* d3 }- d! M
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
$ P* V4 w  q0 D+ H( E. z所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

" F: A! b' l* p& N: c: [6 F还没搞定？ ' T3 }. ~1 \: Y' S2 R
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
# D2 W: B4 `0 k& G尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。; F$ |( s+ X4 {8 g
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
- {8 V) j% n" R5 J0 }. }! m按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
/ c1 _+ y/ z7 d所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

6 ~8 S) {" @% {  d7 a突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13& B* z! x' @2 f) s9 X6 a
有道理。
* G  F+ F- f* e! c4 d7 ^' h. v" |' i6 c0 H
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
0 F; i6 d( @8 i4 [  X
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。$ i" {8 n- R0 L" A% `
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 8 v/ _8 b5 r& S, s# Z: |9 c
雷声 发表于 2024-9-16 19:19
  g) e2 z' ^( j! n( B还没搞定？
+ l* b. O) p$ ^, m; w我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

, ?, Q  U( x) c
* o, x1 P, }0 p" M/ X: ONikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
3 \2 q  \. O* Q3 W$ ]有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
" A3 M( a6 c% D! k' `突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
7 ]+ k2 a& P3 n: M1 `8 c$ F9 m
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
- X/ X- f& P. x% a* c: I# A存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

2 ^* [! ^0 n( a& F; V需要用到浸润DUV吗？/ U. Z" O9 d) k& v5 q7 U

! O  H) \# Z8 @我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34+ e# i! e! {! ]$ |3 y; C7 [, ]
需要用到浸润DUV吗？
  P$ L2 d! B+ N1 t8 r% @! O2 E" D3 Y; o9 P3 s# G; X) h$ a
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
7 ]1 t& u3 l7 g% Z9 D) k2 C
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
/ N5 L; G$ x3 K可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
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是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
2 r" j' Z. W$ ~0 \
* x) u  |7 F) k( V  N5 w硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:379 _$ J. M1 j6 t
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
1 z4 R; ^, A1 w
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
4 P0 u6 b5 Q( J按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定, R! i2 O- k; |% k% h% a$ s
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
7 ?$ E) X! m* F9 q# X2 q+ q
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 6 P9 H, C$ p0 `) }/ p' b9 ?7 I
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43! J' \) Q. W. {* I+ |& w( b
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
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2 J0 {6 q2 M2 p; r1 V4 ?
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:403 f& S$ a1 |: h7 t! q
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

; q" _0 T0 t' g3 U/ f: r1 P不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13; R5 W! P% v1 E8 p) S/ Y1 C
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

7 A8 b% M' W5 L* f% \, K中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
4 D; r3 ^) j8 q7 I1 f在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
% j$ j& W: j3 c/ k) ?6 v我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

4 s" v8 X8 s. D, s  k我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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