爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 ) K. _5 `) t1 z# k  r4 N9 E7 J

6 X- U  Y5 B5 b/ S2 P( X. L5 b被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
4 \5 O8 j5 T( Z  q! r7 o光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。1 _8 \0 U$ O1 _- p- `
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：+ Q6 W" l0 E8 C& m% D* U* l
1. 表面清洗- U6 R6 C! N2 h/ H* T3 Q2 q/ q
2. 预处理
. v6 @- v! x; y) H, s8 D3. 甩胶4 f4 g# Q8 S' P. |+ g
4. 曝光
5 G. i8 N0 p. H' N' n5. develop（显影？）
& Y( U9 _$ N/ y, |6. 刻蚀/离子注入: b, X6 r) o: Q* X8 C) K
7. 去胶
4 V* b5 ?0 F& `( g+ F光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：8 x2 p: R- Y0 |$ w
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]2 s1 r# ~( G: G( e, \
对于光刻机，公式演变为：
4 Q, Q* T. P' ^, g8 |* q: g+ q[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
. l# I4 g: l3 ]这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：" Y( J9 p4 S7 N2 r
1. 436 nm (水银灯"g-line")
7 ^$ b0 {7 J8 P7 ]1 m2. 405 nm (水银灯"h-line") # I' [3 Q& V. E0 O6 f
3. 365 nm (水银灯"i-line")
7 @3 N% M! t: s  K- N' a0 Z4. 248 nm (KrF激光)/ N+ q. s9 W7 f4 s, z, S
5. 193 nm (ArF激光)8 c- K: I" M3 A/ V
6. 13.5 nm (EUV激光)9 r# q2 K% n9 Y& m4 Y& Z
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
5 H& ^+ v( c* y/ w按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
3 z# C% F$ P3 b, }1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。% e* F. I: O/ a) O
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。4 c3 q" a. }0 {- M$ C9 D6 b# E
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。$ `9 [+ x5 Z/ u- A1 B
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。/ j# U+ O) [2 b9 a. D
( S1 C: @; k5 u
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18; D2 K7 c: s9 v8 r
我还以为你才30多岁。。。
2 i' E. G" a4 B7 R' c2 r+ \/ L* A
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
- P3 b$ ~, w, g0 ?" m$ e) N1 A$ G' _! |- G: O
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。+ y! L, |1 l- U3 F) u

' K2 L' W7 H0 q0 d9 v$ g0 l凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢' S, X% u3 y5 E/ h, v: x$ L

$ |; m5 Y6 l0 A7 S" s1 T1 y工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
" q$ p$ f% T; i6 L, u" J+ t& `3 v- x/ o: T) E5 v& {' Y% c
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
# V3 M' K4 m5 d" }( }确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
$ V$ C1 c8 F' @4 C# T% U9 b
' r$ ]+ A4 [  p' ?1 @% O延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
" k/ J) e4 K: Y; Z/ Y那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。' M: ~# F- S2 B* a
2 v& j1 T& n+ O! e9 |' e  Z6 C
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html& L) S8 p4 w/ X( ~
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
, m4 |0 [0 L+ f1 e$ z2.1集成电路生产装备8 i) E( K- Q& v5 E8 B
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅6 J6 I3 t8 i6 [+ o! S+ |
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗8 c* _* f: B: W+ G
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm' W( v. {8 q; o3 O3 e( b( G
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影/ a. y3 ]) L' A
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm. R+ @+ }+ k  M  t# B- E  K
2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm- \9 b" ^/ q4 \; g% j+ K
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
) z$ {4 F  g1 R2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
) W8 D, h% j/ V' [, y0 j; O2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
6 T" u, T& Z$ O' O+ C& p2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°6 w7 D* F0 T8 ]' M6 U
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积3 x4 X& d0 p9 O& H: ?
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
! i8 r8 o( p( \9 O3 ^& p2.1.13化学机械抛光机
7 A$ l5 r/ F( a2 J) |2 x    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
7 l+ G0 M: Q  c& W    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min' r- L; U2 q$ T+ k% q( E
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min5 n: [6 t# d/ W4 o9 E" t! w3 U
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
0 \: g+ y. d$ g' B2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm7 P" ]; f  k2 b4 F) ?& l' F
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm$ q1 n( U' Y. d# f9 ]9 O' k

  U4 n& c. }  y# n- y很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。9 w7 T; y0 j) _1 }3 g
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:462 C! E$ K% a' W+ a$ A/ ^0 O1 V$ @( d
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

3 X9 H4 z' p9 }& P. \/ _' y个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
0 M: X- A) T3 U2 D8 r$ C. G3 B感谢感谢; L+ F( M  g" `1 I9 F2 N
9 p8 A* e, g) W6 {, Z, I
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

! ^, ?* T* g2 j" C. j也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！' |. `# y, i; A( T

( w# V2 p) |8 O- M. q' J/ W个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
; n* a( d! [6 i! k6 Z7 F0 {9 d: |1 P. U
1、内行人一看就知道，还在65nm
  f5 U8 k' r! q5 {$ n: X* C7 m2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm8 |: E7 r2 V; P9 u& I' \  _
3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平! B; t  W( W/ o& V  B
# g% ~. i% D! X! _$ K
然后就要等EUV了。
$ Z; l- p" T: @5 o8 E# s' C' c0 X4 u, G
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？: W" A$ m. A2 ^+ O( Q
% L6 y- [: _; Z2 _8 o% ~) @
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
+ X3 T" c' b3 m7 W- \也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
! Z" b. x0 `* Q4 Y4 e2 {$ d$ Y% c) m& o2 L# N
个人感觉：相比于前一阵 ...

! H: ^6 A, G. ?: N! \! p4 y不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
3 _5 s0 A$ j, Y8 `  d
" p9 t5 T* C. r从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
7 o+ k) G2 W4 I9 A2 y7 ?" l) Z0 K, U0 d; C% r, t
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
- W* s) U9 \  X3 Z6 K0 l  e
+ y# s$ R% r& Q1 i- B/ z! |* e. V/ ]% R
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。( n& N5 o! O7 r, d, [( A% C. o

' |, m  {  ?4 Y% F2 F& N. `6 Q9 }& B1 g, Y
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42" _$ c( X; I, w9 e
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
- N0 `# I0 b) p9 E# X; T
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
; q$ B/ k1 W1 }! b9 o不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
/ B7 a( ^) m: {* @1 [0 D) T7 L" y2 [
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...

4 a( H1 Z: P2 Q: l  {' L5 ]不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
+ j1 ]3 g9 m: S/ ~4 n. o也就是说，EUV用浸水没有用？
! t/ {, }( e7 P4 x. Q. }- v
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
+ \( \3 u+ X* `" Q. |理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

: g: p& A+ e1 Q; j$ t& M是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39$ ^& R; E& ]' P) N4 c5 Z
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
: L0 ^7 b# F8 Z
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
$ R, Y9 l3 y" K, x# b3 k$ H我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
7 f2 L% r2 A+ C
1 L/ @5 D0 K( w4 W( m6 O2 V  Nhttps://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00- |/ l& f9 u! X$ Q, v( s( G
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！9 p1 _" j9 g  I1 N0 c
' ]& H5 [9 u8 y9 x  H
个人感觉：相比于前一阵 ...

, P, l; _* p3 `+ ]1 c, o
; |. b# c$ ]: A& L
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

8 \) {. j, {* G6 ~+ w8 @( s8 R应该会在5年内实现吧。5 H( I, w% I/ O% f; ?

, {! E+ ^- ^7 u微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
4 Q- R3 ^( d; o( l9 g% U24-9-16 23:55
; z# N1 W1 [( Q发布于 湖南% d7 A$ ~5 r6 l# o" l
来自 微博网页版
8 _0 z- V, e) ]/ \啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机7 P1 u; V$ G% w2 e+ s" I4 \& ^/ Y
不是运过来就能直接开工的。
, o6 L- x6 ^, N* ^/ n: a* p他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。; f& u# C- A; p8 u5 _  l

) m& {" j$ L" X5 I这个时间很长，也是我常年说：
' e* \& X4 E8 @8 I7 q* q" I9 Y" u就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
, L9 y  z# Z3 @7 t$ ]+ R% v- ~* G# ^- w! ?
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
; b1 A1 ?% e1 a- v' r+ t7 ~$ H+ N: c3 S8 T; J+ r
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
3 X! M8 M9 e0 T# o5 T干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）: r6 ]2 Z. U# U. }8 V: F. c
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
5 J2 G( _9 }  ^  T9 a  A6 ?+ ^& s& E/ I但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
- Z5 |; P# T/ j
4 U& ]4 V: x. Q9 \6 t! ?  [" z8 _( Q没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
7 c. j( ?: P! a; g: f普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。, R2 Z" N/ j) Q9 g) x
#华为mate70# 也没多久了。
8 n' i% d  I' ?, X, y
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:063 _/ z+ u  a& I4 P& b- ]7 _
应该会在5年内实现吧。
9 G+ q& l/ b9 x; E; c" j* N: I
. F, T" K2 W6 |  T+ l- c: M7 M微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
) N# O) ~/ S  m" G1 _3 {" ^
7 z# A3 C6 Y, ~2 l! L
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:159 N& M0 n2 _4 Y; Q% n6 \% F
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
2 C6 m- A' M) H
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 . r, F2 ]) [( b% s- b% r( x# |
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
* D+ T* t8 j5 n( u但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
+ k7 b8 U. z+ M# {. Q

, N5 `1 x8 @. B按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
9 l# \4 S2 Q$ ^5 X3 A( O所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34+ z* }/ Y0 ^$ W9 g; m' m6 I
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
7 P% s6 M- U! ]# B
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:542 a5 t: ?  r% X% `% S
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
8 n4 z- X7 I5 k, V. O  C; t3 X所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
* X9 g* h/ T; J* J; _" d$ y
有道理。* K/ X9 ?) }% R( k9 E

6 O" s0 j9 I- Z- S/ V+ C! r不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
; _7 S$ _5 d# s
9 C, H7 _3 q4 g/ @: v中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。) T- }9 r* K1 v+ f4 p- ]4 K
$ ^$ l, Q7 E; \% o4 v+ g& r
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
3 e* t9 u1 m' X8 d- E9 b理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

; |! p3 H3 e! X7 ?1 G这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
5 U1 S1 m$ B* q: S7 P( h按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
% ~4 K' L& g) F5 Q! a所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
3 Z- O' ^# ?4 P9 j
还没搞定？
1 Y. t# [! B, Q/ z% v我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。( t: @6 d4 J% C) |
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。: m; r' a! @9 M  [" ^8 S! q
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
2 m6 H! _) @9 [" ]- i按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
' k1 ]' e& B) U所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

9 r9 T; y# l* N; g# C突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
" b9 L, B" j' u6 O5 }* P" l有道理。% f- c$ O6 u! L9 B" C
) g4 F2 I- b5 m# I' v. [
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

3 ^6 r2 ]. {5 h; N1 R$ [可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
: k- Y7 A; B/ t5 A, |9 V很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑   c; W6 ]9 q. H* w. f
雷声 发表于 2024-9-16 19:19
; t6 h/ i- }' c0 h& O还没搞定？
1 J( f: E; Y8 Z4 ~2 @我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
: l1 S5 P& E3 j0 a1 b: K' e* |! `

) u1 D+ ^& @: U' N4 i4 \0 aNikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。( i" k. L4 ]6 Z) Q" E
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
" ?+ S4 {; S# R- k突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

: u- e2 o( `5 @; M存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
9 S) e/ L. ~1 U存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

. J2 p4 [5 ]3 K% Q7 g& g, p. o( Q# x需要用到浸润DUV吗？2 ^/ G) l( p' A' I# M

1 _2 P$ ~$ L' Y& F我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
( u- K# D3 e' B" L' i- j  a需要用到浸润DUV吗？
; N+ a6 s. N) Q& _7 t- ?6 p( G8 ^5 M- k0 [/ L0 c6 i' Y
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
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浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:236 O& [: _9 F6 f# T& N' x
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

; P2 A4 q+ B" c0 S9 x) \& v是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
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( _7 K5 J0 ]2 B4 b硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:372 c' J- A& B; L" L! c
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

" C# `/ m& Z- H/ t4 }都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
( z& I( r1 C2 S$ g按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
( e9 f( D4 d0 G所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

" ]' p+ d5 K9 r  l7 E( L) T$ z具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 - T, n3 T- }: ?$ b- q5 Z
沉宝 发表于 2024-9-16 19:432 h# B" k8 M1 K
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

: B* N* p1 _9 R1 O6 g3 }9 b" S/ ?* J* K7 W/ |9 h6 `
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40: Q. a% Z; s' F1 d! f
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

7 U; u3 M" s/ P/ T7 L不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
# E0 l, L! g$ }& {' b9 O" i这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
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中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
- X! M/ ]! L7 I: }6 q$ |在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。9 K$ ^: @$ v# S) u! ^4 ?
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

+ u2 c# A, t! b5 G7 Z" Q我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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