爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 - `* B1 p% W3 Q3 @1 \& b
6 h5 w3 R( W4 S+ h# {
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
8 c$ {& |) K) V' _3 F! O光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。- ]: K& y6 G; a# i
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：2 p3 e  g: Q6 L( p2 P) r7 |
1. 表面清洗
, ?5 @. K& i8 k  k9 X5 D$ |# e2. 预处理
1 o( ~! j+ u; q' O3. 甩胶
8 m* }3 ~" o: n3 M" D4. 曝光; s) q) Z( a/ I& D" M7 Y
5. develop（显影？）& j% j6 H) v% k7 c" o
6. 刻蚀/离子注入
/ M( k5 c5 N. _7. 去胶  j9 m5 s) j! X1 S
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
2 g$ E4 M3 \/ Z# H. o[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]4 T4 p# f5 u# _
对于光刻机，公式演变为：
1 n5 ~1 [- f5 v+ I/ u5 }[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
# b0 l, v# U4 ~" q这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：  R* V, t1 w* h$ K5 ]3 D. A% n
1. 436 nm (水银灯"g-line")
' z: V5 O& A" r# I! B2. 405 nm (水银灯"h-line") " t  @! q' i( _* K
3. 365 nm (水银灯"i-line")
! V, i/ W8 Z/ g) r* e% m4. 248 nm (KrF激光)
6 t* n' v+ x- T5. 193 nm (ArF激光)( a' d0 y3 u3 T: e, Y8 N
6. 13.5 nm (EUV激光)8 S, V6 A# A$ U' w1 k
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。) Q2 L7 ]& H/ D: o
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
# J& `; l: j8 V- T$ H1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
0 Z8 y5 _  [" N2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
9 ?5 |1 p1 y: \2 @9 I( @3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。; W( F+ S7 v% Y  Z: {3 w
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
" ?7 y6 d/ o. j& F. k
, m, y/ w9 E# ]网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
7 A- D& e3 a: _7 B我还以为你才30多岁。。。

$ @7 o/ K: n! |; G( O5 I西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
6 T0 r$ P& q4 T) ?
6 j# J  [; k( E  r国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
/ V/ N1 ^" ~7 i0 S1 R! G6 J" |+ A* d
2 N  p  S* h5 H  x$ I凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
! }( v' J9 t) K. m: ]* U, j' L) [9 L  y  N  p: w4 t; M0 I
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm( q: O" C  ]6 ~$ I; D

. S# e& B9 R# B按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。% c$ l' `- t0 w6 @  _1 [
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
% r2 V0 c& V& E, {  f  ?' D9 q! V- P5 \5 {6 \
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
% m6 e( F& f  c那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
. {9 g8 A& z6 ^1 S, ]
$ E3 s( H3 f% n; e' G' {另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html# G7 r, I1 `$ e8 V' d5 R0 N
和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：& b9 A7 z% p  B. }
2.1集成电路生产装备
; Q  N9 e% ?6 z  {2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅+ o; e, ~! a9 v" Y) X  l* S2 f
2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗& ^# b3 ]4 ~3 h2 Q- Z4 o/ L5 u
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
+ {! O, u% e6 ?4 c: `. C& m' G2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
  H" c/ G% p/ S. i: _4 B3 J2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
3 x7 Y6 Y. a+ C' e, ?- K. x2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm. `, a, k4 C' k1 A
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
* m% h- x, r# t3 Z2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA' Y3 v9 P+ X  S+ R) q$ o% C$ n4 s
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀7 E/ V8 N6 f# K% |+ w' ]
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
" y9 o  n/ Z4 D3 u9 p2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
6 O3 E  m6 {3 i) u, C' v, M2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积! e! w- e5 Z1 Y; p  W" b
2.1.13化学机械抛光机
/ A& B' H% x  e/ v$ r& ^    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
8 d3 S& S8 @1 _4 x# N    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
0 B6 Q# O$ c) o8 i; k* N    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
$ M8 U7 a. ]0 x% b. K    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
$ k4 F1 N" Q9 b2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm7 q, t0 M4 _% @8 ?
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
+ s! j- |0 Y: E0 E* `2 `2 l8 x1 V  i+ O
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。4 n- Z& h/ |6 G; b; ~
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
- L& I6 k! s- P) e6 U+ O& ]/ `" L  _公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

8 j4 _/ _' c/ P" x0 F& T# m5 P! E个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
* ?; r* q1 {# x. B3 P! `( @感谢感谢
) L. R+ |# t# }- E/ d) ~( i7 z& `. e( J
: X( b3 j/ j5 y" j, w% X工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
3 |+ @# U" t2 X" y5 Z# b6 r4 R5 |; S9 r
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！+ T1 l1 g' \8 L0 ]# h

3 w* f1 c  {0 B' q4 z5 n. |个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。+ ~6 m0 p: ^) x5 r

6 k2 ]0 O+ W3 B7 q2 H- E7 o1、内行人一看就知道，还在65nm
+ ?- M8 I' ^# I$ x2 A2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
, \( z5 _5 }/ j* I3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平' K! u4 v7 }8 G. ^# w' R

: Q. ~' n) C8 `0 T/ n然后就要等EUV了。
; }& Q, n( X" _" ]8 d
& Z* I! D/ S) A$ w, g1 E1 F会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
. M6 ?" E) A5 u+ b) O5 F, N: o5 |5 m
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
' D, D$ @1 d) D, G# C( P5 l也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
6 p5 p/ v+ H8 c; t2 {" V" k4 B* w/ f5 }3 \, y& J
个人感觉：相比于前一阵 ...
9 r$ r! u$ N* O/ d3 a% H( C
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
- @) W7 H; @& M5 S( }0 g# U; K: e& [- @/ D3 t/ K2 C
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
! x& B% K2 T' i7 ?5 E2 M
# I4 a! L: T; M' ]; D7 O; D以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。+ t. {# y- C% m% k

3 b0 J1 P+ j- s, F1 M5 w4 A
4 k$ d) a2 V) R7 Y9 Q* l6 _SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
% k$ z, R3 \6 b: U
1 {" e7 B: @# i5 F
& w, _# |. l0 b8 e2 Y工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
! D5 M$ x9 \, t: d7 kEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

0 u4 O/ W# F3 |) c" e/ K( g0 Q也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
( _" ~$ w# Q7 f# o+ G不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
" J9 R, T/ t* D! T& {+ v$ l4 E; O# ]- K+ ^7 w7 g" x! u
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
( |7 p  _% h/ d! L5 R
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21& w7 e2 \& j  p- Q6 I5 c5 |7 j. ~
也就是说，EUV用浸水没有用？
0 J7 D8 T$ o7 d6 A' [" J: E0 m
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38) M1 ^9 j4 ~; E
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

" @1 h6 m& P" B3 j* l- @0 {是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39- u9 }+ O3 N: x, P+ b, H/ ?
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

$ A$ I, U( n, c8 z- k, ~) f相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
9 G  l, B- ~! ~6 f9 z我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。+ U5 V, j/ h4 [$ H
4 u( V5 ~6 F; c% v7 i; O9 H$ S
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00, `/ \. X% k/ p$ f
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
! b  F# O' \7 E8 k+ t5 V! G* d3 h0 J
个人感觉：相比于前一阵 ...

& Y- |, p1 O6 U0 i: V7 Q6 h) e; p+ F( |& Y" j7 u3 R4 x
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
4 L) \7 D3 `  b: O4 m8 y) U) a
应该会在5年内实现吧。6 u' B# E, J9 P* {5 }1 b
$ K! q- o; Q, q0 h! Z$ R
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）, s# E8 ?( S7 f" ]( j7 Q2 c2 T/ a
24-9-16 23:55# K7 U! b  g2 n0 ~
发布于 湖南
" U3 h8 \7 J& T! S来自 微博网页版% [6 V1 M$ h1 j4 [9 c! U2 A. C
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
/ P& [* |$ X' o0 q  d不是运过来就能直接开工的。
2 q1 L7 j. P4 r7 x7 H* T3 B; R3 [! y他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
3 |( F# U7 o& f. R7 y" l; b' ]/ v* Y: y" P: d4 Y
这个时间很长，也是我常年说：3 B" J9 a. q3 J7 L
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。% \+ v$ [+ J* G, v, b  F
% u. }0 o! V: V8 b. S* D
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
2 z/ h" c* E  c4 h# h/ Y, P  G) g
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。, j5 k1 l1 L6 O& U* R% \2 d
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）2 Q' g6 a1 t: g
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）: O2 j, I5 J5 e; D, V/ S
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了4 U  h, \* T" {# Q: f5 N0 Q

; ?, g' e( O% U" F4 A3 o没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
3 a! I! e7 B' }普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
* J5 c0 e$ F* g* f: h#华为mate70# 也没多久了。
2 b# y3 t7 w# e6 n6 E: \, ^2 b
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
0 t' M1 o! h5 r应该会在5年内实现吧。% x' a2 Z8 I* e2 F7 `
# {( n& v7 T9 \! y% g- h
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
! E) C5 Z9 V# x' w: b4 ~1 Y' K
4 y& s- c3 f8 Y* H* V; U! ]0 O* k
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15: v. W5 b* n8 ~- }8 c4 j% g
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
/ ^$ v  n4 k) J' e) h# u3 Q
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
7 V0 s- M* E3 F- _
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
- U- T: @) W- k. T; ^7 ^9 g但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
1 K2 M7 C0 [, b/ b. D' H8 x, ^
% |8 @9 s' J! n
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
3 d/ S3 z+ l: W0 a0 F所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
+ e. ?3 U8 O) _. e% J不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
! f6 s; n' C' x2 t; X+ U) m; H5 W
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
5 C: f9 D- w* q/ |$ L0 }& D2 l按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
0 _, K- v: I, d/ a* A4 h* `所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
" @+ w# F6 v1 g; ]+ U& _4 L
有道理。( e: R" Q9 N8 }1 n) F1 d

0 K$ p6 F( O( d# @; u不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。* _! K! m/ W4 v7 V+ q
: x+ I/ R! u+ S1 {% C
中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
2 ]' b5 I9 f5 B; N# ~& ^0 G# q! v3 K% B% i) r4 k* ?% G4 ?
这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
& v7 y) m* V% K理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
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这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:543 R! u9 r* I4 E6 g
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定' s0 i5 P1 v! G7 r: q. W% I7 b
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

" r3 ^" ?; d4 }# v7 _+ a/ P还没搞定？ 3 D( e5 {) s( I$ q
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
+ ?8 V! a" L  x/ F3 R. V6 e! D尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。9 \# {/ r, E& A6 X0 J
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:544 R. C9 ^# T2 d5 K% o( C. U0 s
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定( d; j; u" N0 L' g1 X; F
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

" i' y8 ~* R3 L6 M! T, |6 i突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13- K: s( l/ T: {6 K7 i
有道理。5 ^1 {. i( F; p3 {$ t0 i

. P4 d, B7 V( p; Z1 A不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
5 X. w) {2 z$ E& e7 u# `
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。8 ~; p: v% q2 m1 i; M. p7 v
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 8 I! c2 X9 m2 \7 s' d
雷声 发表于 2024-9-16 19:19
& d2 B! V: R4 u9 b/ A9 m( S还没搞定？ ( A$ K' W9 q1 X& J" \# z
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

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* {* p- F1 h; Z3 ?% BNikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。, T  `- `6 a& Y( `- A
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:218 a( B' |/ h$ t& l+ K- k) I
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
3 ^! j* _6 t4 S4 I. Z: k$ e
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31/ S+ n1 N0 }' `8 P1 c) M1 @
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

# a. n% r# Z5 X# U需要用到浸润DUV吗？1 B) k: K" m$ c4 u) s- \
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我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
$ ~: e/ {3 s7 m5 J. S需要用到浸润DUV吗？
/ S: n2 r- x9 B% i* R2 s. w1 d' ~$ H. R; e/ o9 T  A
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

, J9 N) G2 ?7 R6 s浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
2 ?* ^! o7 Y0 `, I, q* O& H- t3 G) ?可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

1 C0 b, ]: K, m是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。5 P0 U6 {* }/ |! J1 ^+ f
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硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
. T0 [* |6 ^( V' D0 R) ?+ i浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

+ ^4 x- y1 [% G' h都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
& b( _! F9 \2 E6 O按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定3 y5 ~8 }5 B& Q& Q5 p
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

# S  I: F' Y& d6 k' I0 A具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
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沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
: H2 a4 }% N7 N具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
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这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:404 N: N) q  B6 p& S
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
" @$ K& x0 }4 s1 Z8 z
不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13. Y3 d/ v( i6 N; ^2 P) K
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

8 C- f" T" `7 L中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45# b: J6 Q7 x# v2 f+ f7 N0 V0 L# d
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。, B. M- @* O. q$ E. k; z' q
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

6 W# T) z( U% T+ r5 g) E我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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