爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 : \4 C4 ~. U! p- A

8 s8 d& R; I8 F4 v7 O! q被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
. z/ V; y+ @: r1 Z9 L+ J- P光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
( E; w& l$ Y) X. c" Q6 T+ c. E, q还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
- j; V! G7 F7 v) f! m1. 表面清洗/ U7 M0 x; i0 C- T- c4 W2 {
2. 预处理
8 _8 g% v4 H% |2 q, v3. 甩胶+ Z1 h, T' a6 L4 n9 v
4. 曝光
! u5 i# p' W( x* A4 R5. develop（显影？）$ Y+ d0 r2 Z1 f! I& L5 ?
6. 刻蚀/离子注入" `4 E3 I1 g) B1 T1 @2 [# R. V
7. 去胶; V. ^3 h2 B: Y* @0 I, c' O
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
' f! k6 y/ z% H/ A+ i1 Z[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
( f/ ~/ H, [# Z. t2 W对于光刻机，公式演变为：8 U! Z% r8 Q% u" h  P2 z
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
  s) l3 L* S# {这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
1 F! r% ]$ `4 p+ ?& m4 K1. 436 nm (水银灯"g-line") $ T; L- k1 B, |" H- s1 K) L# h
2. 405 nm (水银灯"h-line") 6 m+ J8 w0 d2 ]
3. 365 nm (水银灯"i-line"); P, O& n; h# r" J5 q
4. 248 nm (KrF激光)& e/ `. `' ~- o- U, v0 {
5. 193 nm (ArF激光)
  t1 }9 g- W$ [0 P! H6. 13.5 nm (EUV激光)
" Q- u: I. V& T' A9 o4 J; |: s工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。7 E* u# T# Y% Y5 a+ A( h
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：5 C3 _( x4 W9 p
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
  ?2 H& N! s5 X/ Z( x  ]2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。
5 O# [% J& s# U- g3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
! F( Y: V$ \& z& Q% ?4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。
+ }4 p' N/ N1 S
& m* J: W' K/ C; f+ ^网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
5 I" ]% G9 G- {, h  v: @$ F我还以为你才30多岁。。。

% U$ i( C  S0 Z( o3 o2 ]; X西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。& l2 q. j. {8 l6 ^' D6 Y

9 n' d# N4 F0 F* ]: H! M. g国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
! [8 X! \3 ^0 J4 V3 S; r9 J; A0 y" _) A+ t6 q$ b: J+ E+ `  {
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢# J" w( n  [2 Y) e/ H: Z

1 V+ {' R* a: }& ]' o# O工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
! o, H: B1 X! X) d- E# |/ L% N; X! P1 D
: m" m; m; S6 W7 u5 B& P( v按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。3 ]0 T9 r, |5 L) Q& g4 O2 I( a
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
! b) f) ~/ b/ s+ G! {/ X
" ?% A; ~% @% \; }- X延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。. q$ E" Q1 }* S' s& H+ x* w
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。9 T, H( p' `8 l# S8 E
; E/ M. N5 a8 @6 u
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
% G7 r8 h# b0 r  M5 t+ N0 d和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
  L8 O+ q% B7 ~( }2.1集成电路生产装备
; u0 }) l7 \. o/ n( V$ E6 S$ h% L2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
6 y$ Y7 }/ V, G  x: u2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗5 W' h) w( q: Y: h" k% n3 b
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
+ A% J9 c* J% q. B' \3 c# Y2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影% Y$ X  {: I- s; e  Q
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
/ ]. D6 V+ ]- {8 R1 p4 ?' N2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
! T9 v' O$ n* s  O2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%) I+ O4 ~/ M8 H9 n. ^2 e
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA; ]7 c/ Z7 B5 }. @. g
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀6 }8 p0 ^3 p5 z0 a9 X; {
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
$ g+ }: v0 T; C* K7 D2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积+ S- z& j, q$ J) Q
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积, W' c# A" n7 F5 d' G2 P# _
2.1.13化学机械抛光机 - `% D' s" [4 K/ {
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
8 k6 S7 i+ m  M2 K    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
9 H  |9 |) _6 v- i    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min; D9 a" L. v' O# P
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
# Y# s; a# X5 D& W: Q1 ~% ]6 ^) W6 z2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm- j  O0 d7 m& N1 L# Q: O
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
8 S  a# j! t$ H% z) Y  j& u( C
. _& o( @6 W+ ~1 U8 S' N很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。' b% i3 M! z+ P4 J1 t2 E
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
* Q. C% r4 n2 v' l0 y  q& ]公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
- H& K" P$ t* ?  G" m: L4 F! u
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:197 H5 h$ W5 T& x) a
感谢感谢, e4 L1 m: l" |! I" E
" ]% k6 w- o) a7 {) Y
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

6 L6 S( `' K4 z* @, D+ Z3 I, ]也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！% |2 F; Z7 L* K" Y# x0 w
! _# Y; L( y5 X/ L
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。3 b: ]/ e' T* F; }
/ a, F/ m0 U; o- @
1、内行人一看就知道，还在65nm( H9 I% W. N. ^, T2 h. B6 ?; W
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
: I: ]* ^6 C# S3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
1 `& }# w8 q  U
# [' @, t+ r" B% S) A5 y' C: O然后就要等EUV了。7 t! A4 M6 L4 j# p$ X9 |

6 o$ E, _- A3 b  S8 B会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
7 m) C7 Y9 L# \4 l; Z6 q
5 ?6 k/ W; K9 u0 i1 g7 v在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:000 r) ?$ B' b7 T$ N+ y
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！: i2 k$ B0 D% Y# [; z
5 `" a( d7 n6 e, Q7 b
个人感觉：相比于前一阵 ...
8 k3 M3 J2 ~8 X" A) p7 j
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
  Y( O- _4 c% N9 j: H" M6 `: f/ [8 |1 T% M5 Z1 a& i+ C
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
5 r6 I  b2 j6 Y8 v9 D+ W5 W/ `5 L* c: C/ s0 [
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。& x: g  i) X$ _/ Z

8 |  [3 `* P5 U4 Q
4 q% r& G/ Q# Z5 }5 TSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
% g3 K/ n  B2 R9 E' D
; V4 D8 T. W! \3 L
2 W* c9 b( L& ~8 P" ?5 e! _7 p3 c工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
7 }8 {+ w: e! a0 Q! wEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

# d) D. {; Q/ y( W8 }也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46, T& p7 i8 y) @; J) @! U% C2 `
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。' X% ]7 L* x  [
3 ^+ S8 Q/ ^" z7 s/ u3 W8 w! {
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
) ]7 j1 c& t) q
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
# W& y- w4 `, v, X也就是说，EUV用浸水没有用？
. @; e7 H& m" h( y
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
- O/ p$ Q% a4 ^1 m) R5 K0 G理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
& n8 c& {2 X; f/ o5 f9 d
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
3 M5 O! K4 S$ U" P4 E是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

" O$ w4 S2 @& U) X' w, S0 |相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
, N  D% I6 o! l" ~4 _我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
6 X3 S/ l8 M  `& D7 I: Q; h4 h$ J  Z0 }0 r# R/ x
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00
4 D. W" q8 v' t0 g也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！' w0 M% p5 Q: W5 E+ B7 }

) r8 }7 Z5 U9 o3 Y% }个人感觉：相比于前一阵 ...
0 u2 T% J) o+ W; \  k( u

# [$ r  V8 n( t  j8 i- {) w
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
( \* h, V* [8 V9 [8 W
应该会在5年内实现吧。" ~: u0 {1 u0 Y2 G
: I9 j) M0 X+ z1 C0 W$ K3 A
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）0 E. E# \$ b, R* c5 C4 j
24-9-16 23:55( N0 R% A, A( C3 i8 y$ Y
发布于 湖南7 L; u/ }8 ?! p8 z. D
来自 微博网页版
8 [0 t9 H/ u/ J9 N2 l) S- R啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机. \- P, _- g; U# l5 C0 q' |+ K  t
不是运过来就能直接开工的。
: _/ ?' P. e& [, w# i他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
) @& u( j# r2 [7 Q6 \! x9 O+ \  |( W* ~
这个时间很长，也是我常年说：
3 i9 O, j: \/ f9 \# V就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。1 A' [, _1 y# z5 t
1 F: ?. Z$ N. N+ T/ }
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。& t: g- q* G% J% B4 r) p8 i  c
" n5 e) m, h& P& j. G" ?
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。# I& R; Z/ ]3 M, L% S
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）+ @1 x" A: c4 p1 Z6 Y& Z. z
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
( H1 b( c+ b) ]* \+ ]1 R0 I) G但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
( K6 ^- B) e( K4 g! E- P" W, C" {
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。: N" ~/ Z2 b. {  d0 @
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
9 R3 g1 D2 z' v2 {) O#华为mate70# 也没多久了。* t! S2 o7 x2 N6 k. G
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
# f5 v+ c2 G$ T应该会在5年内实现吧。8 A+ d) ~" J  x  Y9 C9 |

* ?) p( _) r2 T7 s" `9 b+ s8 O微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

! X* I$ |7 T) X9 L: i! J) {& \) I
! E% ~& M3 h! A2 j2 [+ V8 B0 N. I这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15% F# x9 f# g7 I
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
( v8 u2 F: @' d% P2 z. |4 r
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
, m* k0 O7 H0 y* N5 m( W6 |% a
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
  u$ j9 ~6 V1 b* `4 [但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
' D2 K8 A$ ~7 f& S( V& P' z5 }

: z# k0 N& Y5 e3 U6 K( R7 e按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
. ]6 W1 a# k6 G$ I" |" S所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34" @$ w7 U' R: V; T0 e1 z$ h
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

, f1 k0 C% r/ l理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
, |" B" j! J, ]按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
6 D1 p+ i4 v/ X% d5 Q, w% s所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
9 n0 S' d* O9 {
有道理。
9 S$ `4 f4 J$ U2 U/ H
( H+ S* @  i- H6 r不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
* d/ y- F+ q/ m- L0 g; ^' }" c& v6 Q
中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
8 \% r' W: T% S, g4 c
+ h) ?, z3 d$ S- g& U2 J这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:086 i6 f' r, y' \' H
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
+ s! q6 ^5 |. @, J
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54% c7 p# s/ G- C" i2 Y2 N6 d
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定, ?! ~/ B8 y1 s& \
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

  Y) Y6 d; A* x) E7 S. e0 k还没搞定？
/ G9 r8 i$ d8 E  {" i$ o6 i我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。! h6 F2 ]; c8 c" U
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。& ]& G. d' r3 g* K) x
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54, E& R) J; ?- N8 `, O
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
* K" V9 g) s/ l* ^$ n所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

! `: [3 o- ~$ C1 s% u突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
$ T8 w' o) T+ S7 _- c8 w+ P) u有道理。! X% I* K5 K5 E" ~$ j

1 }+ G. N  C' Z不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
! W/ B( N; y4 \3 |
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
, T- y- a& a" I- I1 w很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 $ Y! s2 Z* q  l1 \9 X
雷声 发表于 2024-9-16 19:19
  J4 v' {( Q5 Q( |; D/ f% J, [1 x5 m; a还没搞定？
8 C( f5 x% g, O: C# Y; `3 x我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

4 I* o: l; A, A" H2 D9 j- T9 ^; o4 M5 ^. _" y$ z7 b1 o
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。
! S# f; `; W8 i3 }4 M6 ]4 p9 b# Z  ~8 |有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21
4 h) ]- }1 o( v7 Q突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
& L( \1 r# y) h( l1 k1 s( P0 g
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
4 z% X3 T% k: |9 }8 ]# v存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
0 v7 c; s1 z" R! z2 @5 D) p
需要用到浸润DUV吗？/ h/ F8 a" M' x( S7 X

5 A+ Z/ k9 w& ^0 s我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
1 J: g# H8 a: W& t9 |' @0 r需要用到浸润DUV吗？2 I  i& M" k1 _+ G- H  G- }9 N7 t

, ?( @' F8 ^, ?3 G4 ?! v* r- P7 D我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
" ?9 _4 R4 d+ Z
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:235 Y2 i4 K4 [0 H
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...

& \% P3 I7 ?6 S是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
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5 s: c: v' h; ?. ~' a0 F+ R硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37! h- ?3 Z  X, e5 ]# @& _4 J+ n
浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...

" L& X* `& `* o, m" f: u/ ?都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
* `3 P% V* Y. a: @# X5 @9 n按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定; r' d  \  Q: ]9 @0 b" x" J' h
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
8 a3 V/ R6 z. a5 l5 H
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
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沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
7 l3 Q! b- ]7 x6 e具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
$ I; E# P) Y/ F

* W: Q' y+ N" A# n8 R# a9 L# W这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
  x9 T3 T" J6 q2 e; z8 y/ w6 R都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

0 a  ?5 o- ~; E! R+ N! E. l不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13' O1 n5 J, a1 |1 t6 j3 F- C
这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
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中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
9 n+ Y7 t8 @( ^; C' ]在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。' z+ n2 W( t' P2 ~
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
# G$ Q4 v/ g" x6 K  [2 S) ?! K
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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