爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑
1 l4 Y" m; \. `0 {" R+ o% p( c- p( j. ~, O! Q) W, m) }8 i% u
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
7 _9 L/ P1 M: b/ Q; L/ q  ~光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。: ^1 {0 F3 s. O) `/ J9 i
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
! N- y" I: n7 M( x7 J4 F% ]* ^( H8 o* S1. 表面清洗
! K4 K  [" X! Q7 H1 ~8 U( n2. 预处理9 b4 K- q3 I; f" F
3. 甩胶
% e& A( ?0 W/ l8 P1 d4. 曝光/ `4 f. h( C& S5 p! N: L+ d
5. develop（显影？）
% i" A+ Q: \, S1 `7 j( j6. 刻蚀/离子注入
1 `- S- a) s5 T7 ~' K* z0 c7. 去胶. i1 G3 t8 ~, |" }
光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：
5 Y  Q3 s2 k! b9 X( x# C[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]2 E' b/ v' C% C8 j$ |# W6 F2 P
对于光刻机，公式演变为：
% G4 h% m, r( P$ V[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]" Z/ Z- l" L) g. u0 Q
这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：1 t4 i0 A4 t7 X/ @& e- U/ @
1. 436 nm (水银灯"g-line")
0 l. |6 S* C4 {2 y2. 405 nm (水银灯"h-line") " R# ^( V6 R; L: d# Y/ C: K
3. 365 nm (水银灯"i-line")3 T3 j2 b% K. w
4. 248 nm (KrF激光)
1 o  ]* D6 _8 _5. 193 nm (ArF激光)
; v, K! p/ L$ d3 Y( O) O& u5 g6. 13.5 nm (EUV激光)2 M; e0 j% ?2 b4 i- w
工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。7 t6 @- T/ I4 G1 d8 j! K9 p: l
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：% @& a' A9 S! S. {' l- y$ x1 W) O5 _
1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
% Z& N$ e6 z( J+ `2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。' g' P! I- Z/ R! B* l
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。: X- _: q  g, A4 ~1 E9 {# m' R
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。2 Q2 g7 _- v" p8 J6 _3 H! n9 M. C; I

. N. I, O: Z1 g0 r2 ]1 Y网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:183 |' n& [! y: r) ]& q4 m; X: I
我还以为你才30多岁。。。

1 M2 k% M( B8 N, \; A  M5 C' e  x; d西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
9 b, P9 L, {% N  w% i! T0 X. L7 G
国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
/ L* X# `, e4 v) \& f3 n' p4 s! P& J6 J# H
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
) l4 U% c" L  i3 x% U" T/ l5 C( X: ^' m' u1 [+ B* k) Q3 D5 w- F
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
1 r6 s4 @3 _5 h, B6 H  m# S! f
0 n& N6 M( R! V9 r- I" D按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。
6 ~7 X- r8 n- q确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
9 C- M/ ]/ S& \: K" e0 L
# M, \( F/ [" }' M5 ]( B% d9 k5 i0 ~/ T延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。  X+ ?' U9 k# V
那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。3 p7 G* g; B7 ?

) A' r7 J0 e! E. M$ q, @) t( J5 X, w5 t另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
) ]* m; R/ _% `8 n% w8 U; j和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
! t1 l& b. }( d( H  o2.1集成电路生产装备0 s( ^. ^$ N$ p4 A& A. x1 l
2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
0 L' P" T; k' Q8 I2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗9 j$ `0 W& M" N0 c1 c. y
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
8 @+ P1 i/ s5 U. g/ B8 f2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影
8 ^; E; L8 d! n  H' r$ w  x$ z! ~2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
! N2 ^+ _4 d, a1 m; U  j$ @  J2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
( q. P7 x3 Z6 Z2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
- y: S8 p  I0 v5 K. m* c/ W* k2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA; |$ q: x6 `* M4 `$ \' E
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
7 W- @* v& Q0 E8 i2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°+ J" _& I1 D8 i! j% n9 o
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积1 O$ D# S( c" f* t3 N! I1 l$ d7 |
2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
/ g. D, r& r2 I* k" n, U* k2.1.13化学机械抛光机 4 b" Q/ L& f1 [( ^+ g' y) [1 b
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min7 f0 {3 }4 S- h
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min* j  a0 P1 ~3 r. s
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
+ v. I0 s" @6 f  f" U    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min" x' ~, z/ z- E# v# y7 W" G. z
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm6 F1 t. D/ k) \5 Q! a5 L7 ?
2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
1 ~) W. N! H) W8 n. o' Z* U
0 w- ^' M) p7 t8 F/ N5 I  b: ~很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
! p/ y6 M, x2 t9 D
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46) x2 B3 }: v0 [( i5 c& ~& n
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
5 O; k4 s+ d+ g4 i5 Y! \" B+ g4 a
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
; a6 B, I' T* v) m感谢感谢
. t& ]4 m: H8 w* B, L' [- z, t: x4 {% e
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
  S1 Z- }9 |3 E: Y
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
2 \. H1 E2 c5 \' _
3 F/ M. K  Q" U. e. Z( H个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
, W6 ]3 y" C! `+ o) O' `+ K, o( m' m
  f: j- c. a1 ]2 ?1、内行人一看就知道，还在65nm
* j, _+ Y8 }* a8 n; S$ m+ s2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
( a: ]" v: r$ i) A; |' u) ]3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
! |0 r& r/ n8 `2 v& d
, n. w9 P" w% V$ f. x8 f然后就要等EUV了。
$ U* W6 j. k6 ^3 {2 ?! R: P9 H7 U- `: J# p3 z0 [6 r5 F" J
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？6 W; {) i- I' E

& q8 Q( I- K6 d9 t) G/ }- n" g在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:000 Y* g6 L) h. v; k  L- ~
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！+ G& _) r/ z6 E+ Y

4 E2 m- @8 b. _3 u' g个人感觉：相比于前一阵 ...
  U; l" _% Q& M. ~' o+ [1 ]4 G5 Y
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。! J4 ]* V! s& u' g

& }" o# {( x' [& j4 G9 m: s* q8 v从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。2 o; k$ B/ H4 i; [' n+ w+ Q5 `: v( c
# E6 k+ x% Z7 ]- {  l, ~) S+ v
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
' l2 B* Z5 X; ~2 T
$ r6 P# g( P2 }2 \& b2 O, F  o7 o4 A/ q& Z. N% D& }
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。- c) [+ f$ Z. ?4 K% m6 r) D
2 T: ?) S7 {; k( n

& B- W( f5 D9 p' A工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
$ A' r+ J3 N, b/ k5 `  P5 }( uEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...

# z3 l: ?, }; \8 l' q; R! K也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46. k4 K4 \- p6 l) i+ E* z
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
9 {3 l, v7 v* o4 M
  t3 q; Z, Q" k: B6 z( K从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
$ ?, L6 P. U$ o: S
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21- z6 x+ l7 l* i5 J, O4 @' G
也就是说，EUV用浸水没有用？

' Y5 b1 _$ s7 ~, H4 P理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38$ `: M' S: H- O1 y0 S
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...

7 Q- e# a7 @; h/ {9 D% K+ J是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39$ I. q6 q& m& ^$ `
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

' h% l" l. C) R3 c  t) {相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。, X# h' J& G5 C
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。
+ f5 s+ M' u, v9 H* I) H, R, G9 |
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00+ O5 q) O, L; x; C: O* p& x# H# R
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！4 M" X1 |3 ]: Z' `) B

/ t- O+ ]- s3 y( v个人感觉：相比于前一阵 ...

% l* z  ~1 J& R3 K4 \! ]# ^+ x3 M2 k# G9 o. K8 S! h' y0 e
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
& k' g/ M- T/ S9 B
应该会在5年内实现吧。
. L! d. M0 M+ X0 Y/ x& m: i6 C) _& y4 [" ^7 }, s& ]
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）% `4 Y1 O. M6 j
24-9-16 23:55. ?4 U* L/ w9 H" _
发布于 湖南! A& z. j/ O/ k
来自 微博网页版
- w) |+ Y: m% }7 g4 v8 K; \+ {1 G啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
) u! [: u2 E/ t不是运过来就能直接开工的。* M! Z# _4 B9 U( j
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。
2 Q2 L- e7 H  ?1 {
  b. |, l1 I# N! i: d这个时间很长，也是我常年说：
( x2 O. i* M! z& v8 b就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。1 x, k8 U! t; e+ ?  L

! T' T5 R1 \, }8 I2 [& ^% Q4 X0 d) U现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。% j# A. |& B/ P( `

4 a5 O* E$ N# m简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。' ?+ _0 ^3 C% B4 F- D
干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）  F# ?. y9 ~: Z/ _8 o- S  U
多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
" w- p4 H- M' b3 ~但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了
( e. z8 H+ V# z  e& H
8 w& ?! }- a5 U! M+ I) p没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
: T& A5 g8 j$ Y3 D2 K2 ?/ f& j普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
+ s7 m* O  c( N#华为mate70# 也没多久了。. ?3 l% m0 \# K, M* x5 V$ N
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:064 x, l2 j* Q7 J
应该会在5年内实现吧。
, N* p+ B; p5 @8 N- U, O0 R3 c' U: a0 G) Z' T
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）

5 I/ e4 u; h, {& F: S- k, |; a
4 o. s: W. [$ D3 H: [这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
- q6 B4 d# u/ B/ y. j这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
0 c/ x) t- V/ J1 @, e
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑
3 R: u2 N+ |! {) C
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
/ E0 s, y' {- Z; z7 m8 ]但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
! A" G! B7 A# [% u! y' K

: o4 e* ~% M' S# ~0 V% C按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定7 J& p0 r: D3 G7 x( Y; _7 B
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
6 _! M: v) g( j: k不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？

6 ?5 g" T# X! g2 Q. W8 U- [$ \理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
  {$ u0 B# d3 }0 @% s! `& u按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
9 R6 Z# d6 ]  V; w* O' B所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
/ f) N9 F' ]! F$ ]3 c/ K! ~( v6 r  L
有道理。
! `  K, N% V  N; H; ~2 U' G- U3 M4 w4 q: ?; u3 Q- \
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。0 R- T  M& F  \  Z+ F& |

( J5 S8 h& U; s3 U7 F5 `3 a中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。# h4 H" I6 T3 W* a* |

: b; E8 U5 ]% m" J. X这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:081 B  U5 |. O! f
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

  F! C4 b# v( I7 ]这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
7 X( I/ ^& O# F0 H6 L' Q按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
* d, i3 ?" L. f/ u* x4 E所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
+ \+ z& F& D9 b& h% \% p. I  w
还没搞定？ , L5 e1 E- d0 ~. n! B/ o
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。: e( M4 c3 o0 l' Y2 A+ J* }
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
0 w' g4 h9 l* r. i
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54+ o- P$ \: ^! Y3 u5 u: g: V- E+ ^( W8 p
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
  m6 P5 S& ?' e+ h( U/ J所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

+ @  U  R. E  J: B, _& a突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
' C% c8 G0 t  M( Z5 c' p$ _/ P: U有道理。
  h1 H' e6 l; I) i1 J  m& W) v( d/ k
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

, G2 W3 Z; B- v  m* `4 _/ B) K可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。3 \4 d, ^  S6 d; s( L) C
很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 1 I' }, K& L: X1 {- V6 ?
雷声 发表于 2024-9-16 19:19  `7 T( \, X& ~9 @7 [( u4 a
还没搞定？
" s  m# V* J* V7 A我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

9 `1 f% {0 L$ `- T. Z0 v% J, M; x; \9 V- g
Nikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。) {' @$ Y  G: p9 c4 ^% l, s" J1 v5 X
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21$ a. b1 S0 ~$ I- q' R
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...

& E* C& S, B) c' g存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31
- \2 i3 y# k# z- z7 }7 D存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

5 g7 t# e1 x' D需要用到浸润DUV吗？7 E8 r# t: X* ?5 |/ Y5 X
( e1 z$ `3 ?; X8 N+ B8 F6 \
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34
6 z3 \; Z2 t  D: L( \需要用到浸润DUV吗？
; A* \; z( P' J
( n5 T% Y& {: \9 @我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

1 `) m. b' g* t3 @3 ~3 V浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23& ~" G, J9 V) f
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
. g- E  {1 q7 W$ D( {% o
是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。2 E/ Q% v: K. U
) Z1 A8 ]! C# w. r2 C% f+ Z
硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
6 {' Q8 s+ S1 D1 v浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
( D1 G# p/ p0 R
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
" T8 t: t( e. e5 Q5 a* O3 w/ S按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定( m) |9 n/ c0 ?$ l; `! x% |% o
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
8 L/ S4 }# b8 E' n! q
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 6 ]2 M3 g( p, z
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43" {9 A0 I) Y) _$ X4 Q. K7 E
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
1 A  r* i: A5 `9 K6 U8 B
; b+ P( V7 h: i- C& S" C
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
6 ?9 m! Z/ d1 O* b, Q+ n3 q+ ]都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...
0 F8 V' q! {" Q' I2 a+ }
不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
' ~% g& P4 Q1 }* \& w: V- \这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

/ ^3 f8 Z" C# t% G8 Q# t- A中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:453 j- E/ d6 }! B- T
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
% c& x* d: ~; v5 h* f  q我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...
3 L' Q1 b; S& }& t7 W2 k/ A
我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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