爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 9 ]+ f3 o- l$ t
6 @* P9 W2 z& W2 X+ d6 |
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
; I/ N. W' G9 Z& u) T1 p8 w光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。) r# j8 r3 p% e8 D7 {
还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
; d& r$ x6 V2 \9 [5 F1. 表面清洗$ v$ l; D  I/ Z) }- M
2. 预处理
/ N  Y, B) ?' g5 N) [0 |3. 甩胶$ d2 b, J' E, I& Q) s* e
4. 曝光
4 }- w3 t/ C, I8 l1 m3 L5. develop（显影？）6 X" `- \8 S6 e4 F! @
6. 刻蚀/离子注入
! X; e/ \% N. [: f0 a/ ^+ J. Z7. 去胶
: A5 M; L! f2 `! `, a光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：1 h0 m7 b8 B5 K) [4 g2 I0 F1 U0 e
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]
' U# \* @# N* ~. V3 S6 |对于光刻机，公式演变为：% U. N+ i" Q1 b; _0 S
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
( W' l2 f1 R/ V这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：* E/ y# v% b) C6 R" k
1. 436 nm (水银灯"g-line")
( B9 @+ v8 V' W* G2. 405 nm (水银灯"h-line") 1 _+ @6 b6 ^. {1 T
3. 365 nm (水银灯"i-line")
, C3 [% O. W/ }0 e" B, u. h2 f- G4. 248 nm (KrF激光)# q* x% \9 c% n/ ?  e
5. 193 nm (ArF激光)! C# J. ?2 z- T( ?
6. 13.5 nm (EUV激光)
4 `: I( H! p0 M. E* }! y工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。/ j; M( ~8 s# q3 s
按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
( q2 [2 M1 S- w4 i7 O9 f) E+ q2 D1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。
; O! Y. m# {0 @  D2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。' J0 I8 V" w  R& E
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。
3 o  d" j; \$ Q/ T5 G4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。0 J+ z- `2 V$ m" D- i
( P* g5 i3 ], v% i! F
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18: u7 G/ r0 S" o/ D9 O
我还以为你才30多岁。。。
% {  T/ p' U& t9 c$ a8 ?
西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
, j3 g& V3 C; D! ~% B0 d6 e( `
* i' E+ k" h0 }: }: o+ M; M国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。
! A) _3 O& J- j- Q1 e8 c8 ^# s" r( t
凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢
# o0 F: z$ |$ }. ]5 U0 _" @$ ?0 O. n$ T, `. j% F
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm; x$ d5 @$ k2 Y. ^# x5 \8 q+ f5 c2 i  t

0 F. E% A' M2 }3 r2 }按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。! K6 d6 ?+ }7 ?+ E3 Q3 b0 D2 }
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的" z7 Z" w; W$ c: y3 Q/ m7 t+ [# [

# F0 i, j1 B, Q1 ~5 p; q  J延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
, Y2 H/ T; o# K' {- r; J0 w. K那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。
' i3 b9 g1 _( a  j& v. h$ i- `' t9 S3 R1 T
另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
8 X$ ~% T# U+ m5 a和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：8 |0 M* r9 |  Z# G' I  G% T
2.1集成电路生产装备
' J# P) U/ ?' y9 g/ V7 y2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
% }0 f7 w1 O. s7 p2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗0 V9 h# E) o5 i% `( E
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm1 Y; p5 z, Z4 }' z8 Y$ O
2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影5 C, j" L: E5 d2 q4 b1 @5 [( g
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
9 X& H1 Y3 C2 ]' [' t# |' z2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm3 |. R% G6 j$ L( w* D, \1 y
2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%& m% R+ d! o# K6 n5 n8 Z7 C: v1 |
2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA$ }4 @5 C! I9 T! V0 H
2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀
7 i' l9 p, N( r* ]: ?% L" {2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°( B& \+ j: [4 n8 N* |  Z: d
2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
$ O2 z6 K$ [% k1 M9 g  N! e2 X2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积4 Q6 L$ A7 @2 [; ]
2.1.13化学机械抛光机 * c1 n( A; A. p) H# }3 [. P5 i
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min# \8 u$ A! l  d" F4 j# f
    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min
# _8 P, d3 i' E% {7 {    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min
& u, y' V! T+ v, B* _" L9 g    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min0 X/ [" c8 u& D% p- y* f
2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
! L1 V; m  {) M2 R2 K9 G2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
+ @4 @8 t: z' C, j) s9 G7 R' ?! W" U1 |9 j& x
很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。+ q" G) {  |0 L% z' a3 b
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
3 A' t) H# H. A5 ?公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...

4 s( S; _, f1 w个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
  U: ~$ O7 G$ c& H' _感谢感谢" Q3 R- `4 s4 j! s' Y/ N  V

$ {/ v# A+ }* b工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...
1 Z7 b; D5 v' }% r4 w, u
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！  y- \+ Q& s* }
  @7 Q4 t9 F. U7 S0 z$ ~6 b
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。
. M, r% W: [) \+ q0 l; e
# f- p9 k/ @+ Q. d0 @) }% f1、内行人一看就知道，还在65nm( B# F- q2 T0 C% [6 x; M
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
: p3 H! ~0 q1 a* t; R3 \, Z3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
+ E( H$ _# X- T$ \3 t. K7 H5 |- s6 h9 \. q& g1 q+ g! [
然后就要等EUV了。$ q% R4 _6 r+ @

1 C, B4 k6 I5 E6 k' t+ t0 E会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
5 U. ^. k: r9 X1 D* R& v6 X, L1 ?. D. M; ~' b# {. \8 q/ T! K7 e; ?
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00/ i( I) U; X) i
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
7 z4 i- M2 ]* X  m9 `7 ~( Z9 N# k- [" _: z+ _, v0 B
个人感觉：相比于前一阵 ...

) J+ M  v$ b  S4 o4 ~不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
* S. p+ W% P7 r) h3 A1 o, p2 M" f
& z1 E! t6 |* b6 g; _( R从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。0 j$ I4 ?: S# {( F/ G( ~
6 U3 I/ A+ o! P/ u; c. [: S3 G
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。& ~( u! h& @5 m8 M$ U  e, k! S
# O. `. ?  E8 h

4 c. W- q! |. n4 Z1 bSAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。; v8 T% N' x2 m3 K8 ~

2 k. K- _' p8 k) E  \' R& y! W+ [( M1 r+ ^' ^6 y
工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:422 ?3 w1 V7 L/ r, W" D
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
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也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
3 I9 b8 {0 y, E3 b; }( m不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。, ~$ `+ w! Q+ X8 s2 d$ D/ M& u
7 f2 V5 ~, P9 \. z( c' Z8 e
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
# W* X* T  Y2 e- j- Y0 K
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21
- v+ s- Q. s$ G* L* _也就是说，EUV用浸水没有用？
0 i+ G9 q7 {) f" \* b4 T! J
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38# `7 `( ^% o4 W/ Z/ ~1 m9 n# P) t
理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
' S$ A5 N' p0 H3 B' {+ v
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
( D: u2 F3 k3 K0 L, Y是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
5 ~0 e4 q& [! H# O/ K
相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。; e3 x$ M/ m  L
我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。& l+ g0 P0 Z7 l1 J

! u  t$ a5 m. z: E$ |0 @https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00& n* @5 `/ |6 u" b
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！) I; g2 w8 F: d
7 ~% K4 a1 M: |- a6 H! O
个人感觉：相比于前一阵 ...

" T9 B1 L, W" X0 D
: X# I% q+ w+ X- y+ x8 f: q
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。

7 l* r6 j* u- O: K$ P2 l应该会在5年内实现吧。& A; O! O2 `% e$ c

& Z2 `  `1 Z% g' `# j3 D微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
  w9 O. @8 ?& P( K+ A24-9-16 23:55
6 Z6 ^/ {+ R! e9 x; r5 p9 N5 v发布于 湖南' d: {4 t, m6 @" U) h7 ~
来自 微博网页版3 P- g, w0 R! y1 I* k! z
啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
5 E  ?6 m# _5 B6 Y! P/ m8 ?不是运过来就能直接开工的。8 S, b: N$ h- R* u: V( o( f
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。: Z" @9 [$ e! v, ~* j+ e

" }7 V+ Z" `' ~+ ^( D这个时间很长，也是我常年说：' W& x3 C% ?; [" B# F
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
/ o  Q  Y( ~3 k0 Q4 g  O6 C& D+ m2 f3 n" e5 }' A+ I) u% d6 ^. v
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。
- {' @! H# m, Q5 Q% `% N- W: N. @2 F9 G
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
2 i% g! W+ M( n6 ^6 V+ R干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
% M  J2 J0 r8 z# }多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）3 q% n/ m6 a6 C6 J- |
但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了% W) ]2 I6 I" i7 w' G8 b

. T# r: f5 z' Q* t; _9 u& ?2 U没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。8 s, E. U/ J6 o, n0 [5 Q$ x. p
普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。
1 T; k, y+ f3 a0 P0 ?: H: e" b( r#华为mate70# 也没多久了。+ a9 S" q: `/ H, N7 t: h4 r% _
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
8 N, R8 b0 U, N应该会在5年内实现吧。
$ p* ]* |* j2 T- n9 j" ]- {% [) X, I6 a* K
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
+ b" C& l2 [' A2 F- \5 R

) O5 p+ Y0 e0 D* B4 n) c这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15
+ f/ R, G& T) X: e" z这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
2 _( i# [( k' ~. C3 }" ~& x
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 8 Y. y; t2 w% n  U! a$ W' G
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
  B6 D. R" h) `; Q# E  I# U, O4 z但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
  ]3 \/ }# t6 S" B, L
/ R& u$ M9 ]* m! F9 d
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定' a& B) b$ o  }) F! i. b) _
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:34
  @; Y8 g! }& J& x" U9 u- j不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
* h" f# S0 F. @
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
7 T3 e9 A& b! F6 Y- r; j& `/ Q按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
! j  |) }7 y/ p所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
- ]5 b5 |5 A9 e
有道理。5 c& A# [) X+ @8 K$ X3 V7 s8 p, `5 @
: @( F' s+ N: l
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。$ U5 C/ _1 h& Q, i* k  m+ U

0 @0 D1 `/ Y4 c' e6 k4 B) }中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。2 l. A3 S: \& b  r% E

0 n/ }1 E! e6 @( w  `% c这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:086 _+ V3 e' d8 Q% l% J; s4 E4 j, c
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...
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这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54' [, t) o3 I2 T/ B: L2 c# }
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
7 l0 p7 z. e0 o, U8 y1 @2 u所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

, v5 b: J- `0 D: p  u还没搞定？ 1 V5 b' E" e& r7 T0 r
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。) s. k4 w! Q* S! \& m7 C
尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。
- D2 Z$ ^0 k& @
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:549 m+ `, L' v' {8 I
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
; g& k' I! f4 e7 m所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

: [. I( ?, v5 r3 I9 o0 \突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
7 k8 w# w! a4 i有道理。
2 ]! Y" n$ l" K1 E+ p9 J# |# M
1 ^3 {- @  o4 [/ B" C" b( j不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...

. @* v/ F% o! C2 e可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
) ]4 t9 r% x8 L" ~2 t很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑
5 r0 m) B. l6 F2 G% o) k" x
雷声 发表于 2024-9-16 19:19: l$ Q! l; J7 X: s' ?: U) @  ~
还没搞定？
5 T" e/ Q( f. R$ a; V. s我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...

$ P7 p& l0 _5 L/ A7 X) t# }
$ B, i( u& g* c6 H$ [2 C  R$ g# sNikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。) @1 g+ C5 o* I+ |1 i! h
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:215 f/ \8 h3 ^* W3 G1 G3 C' l4 u6 [
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
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存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31- b/ x* S6 p) q6 O1 o6 d
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...
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需要用到浸润DUV吗？
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我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:346 N* ]$ N0 }& @8 B. F+ a, C+ i9 \
需要用到浸润DUV吗？
& H2 y9 f3 e8 I3 ~4 A+ I* N9 \+ a  D( W# U- X, h
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...
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浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23
; J8 [& d7 O- ~可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
! a, D& Y& G, o+ P& j
是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。$ l" l& \! y" {0 D1 j" G3 Q

2 [  a# y5 x. T8 ]/ m0 T硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
; p$ {& Q7 V9 `( ]$ H$ i1 y" G1 g浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
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都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54! u3 n8 G2 b* s9 ]4 W, l! u0 l
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
8 Q* o3 r5 a: c6 r所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

# K7 \  w$ ]2 O3 j% t$ G4 _具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑
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沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
% {" T& l- k1 n# L+ h具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...

1 _8 m$ _0 [6 |5 O4 J6 Z: t7 K+ R! m' ~; e$ m% \
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40
5 H: J8 A" r/ S$ ^$ |% r- j& V" [都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

3 J! M! i1 e7 V1 l; h2 j( e% r不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
3 U8 B+ v$ R% s+ O7 \) `7 O这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...
  {) _# u. a7 n0 C9 y/ S
中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
* ?, b$ O& Z( ~/ u# J在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
, y3 {3 C: F" w3 R1 R- c我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

( F1 g1 f5 p* @1 F) F" P+ d我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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