爱吱声

标题: 国产光刻机猜测 [打印本页]
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 15:36
标题: 国产光刻机猜测
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-14 23:39 编辑 ' S5 e9 c9 l/ \, S0 c
+ Z" X  i- Y( e$ ~$ A
被老财迷点名了，又看到“28nm光刻机”这种让俺不爽的说法，俺就来稍微说几句。
0 m, D, d5 C9 W1 m4 ~1 A光刻机是个很复杂的体系。大约30年前吧，俺第一次看到光刻机，那时洋名叫Aligner，后来又有Stepper，Scanner。但这些是根据样品台的运动模式命名的，俺个人以为也不算是很好的命名方式。
+ ^, _3 {- }- A: Q/ k还是回到光刻机本身吧。顾名思义，光刻机就是在半导体生产中进行光刻的机器。现代的半导体工艺非常复杂，往往包含几十个跟光刻相关的子工序。每个子工序一般又会有以下几个步骤：
! ?3 N2 C- F" z1. 表面清洗
8 i1 _; o$ A/ l0 k2. 预处理2 [' K! o4 I. n" }
3. 甩胶
& E; C8 F- ~& q4. 曝光
# z7 P) R  R4 v5. develop（显影？）4 M9 U! C4 g8 |& @( y
6. 刻蚀/离子注入3 f+ N$ t; y3 s# P
7. 去胶
! ^, K9 |5 ]% v6 f- u1 @光刻机就是进行第四步的。半导体工业有XXnm节点，这个XXnm，在早期基本就是光刻机的分辨率决定的。光刻机是光学系统，而Ernst Abbe在1873年就给出了公式：4 M! R0 {% X7 {4 _* \
[latex]d=\frac{\lambda}{2nsin\theta}=\frac{\lambda}{2NA}[/latex]6 F. `- D3 f) x5 Y
对于光刻机，公式演变为：$ L& J  ?3 x( J0 U5 x% v
[latex]CD=\frac{k1\cdot\lambda}{NA}[/latex]
6 Z( a* k% c' f) x6 W5 x  @$ @这里面CD是最小尺寸，lamda是光波长，NA是数值孔径，K1是整个光刻系统的系数。如果想降低d，要么减小波长，K1，要么增大数值孔径。下面是用过的波长：
; e/ K$ [- G2 f: \- ^1. 436 nm (水银灯"g-line")
+ \: `7 ^8 x' r8 ^) N1 C6 G8 x2. 405 nm (水银灯"h-line")
  Z7 S+ M- s! r6 a- l4 q3 [( x3. 365 nm (水银灯"i-line")3 ?( r  c/ y! @( o) k
4. 248 nm (KrF激光)
0 a! S/ B8 z' O2 a9 n5. 193 nm (ArF激光)
. b. T( m/ n7 ?4 t8 M  _6 d6. 13.5 nm (EUV激光)
% W( n+ i9 C, s& @! _工信部说的那两台机器应该就是用的248nm和193nm。早几年浦东拿出来吹牛的“90nm光刻机”就是用的193nm，现在变成65nm，估计是K1和NA优化了。在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。193nm可以一直用到7nm节点，台积当初就做到了。三星水平差一些，有两层上了EUV。牙膏厂的10nm（对应台积7nm）就是不想用EUV所以卡了6年搞不出来。
) Q( y: h+ D: @1 t; U! W/ H! o  d按照公式193nm对应的极限是90nm，但还能继续是因为有一些别的技术：
- g; `, k5 }. U1. 林本坚提出的浸水。就是在物镜和硅片间加水。这样折射率从空气的1变成水的1.44，相当于数值孔径变大1.44倍。/ J: h9 z6 s! g. q2 F
2. 光学临近矫正（OPC）。早年的光刻遵循的是几何光学，不考虑衍射，掩膜上的形状和印出来的是一样的。OPC会考虑衍射效果，掩膜上形状和最终印出来的不一样，这样可以做出更小尺寸。8 c7 j" @# S' f. I. o- V) b
3. Double-Patterning。这个翻译为双重曝光其实不好。以前有double-exposure，那个是把前面工序变成1，2，3，4，4，5，6，7. 现在这个double-patterning要更复杂，简单说是1-7，1-7要做两次。这两次之间硅片会动，要回到原位，就有误差，就是那个套刻精度。( t, p# y. Z; l; t
4. FinFet/GAA，这个其实并没有实际减小尺寸，只是让有效尺寸变小了，所以节点数字变小。+ H( q) |+ ^8 a6 k" z1 ~! G& u
" {# ?0 W3 w9 E9 _) E8 Z5 ]
网上谣言说国内的浸水还在测试，希望能尽快成功吧。
作者: orleans    时间: 2024-9-15 20:14
下笔千言，文眼就一句：“ 在俺看来这个“90nm光刻机”和“65nm光刻机”是一个东西，区别估计是Camry LE和SE的区别吧。”90nm至少10多年前就推出了，现在你说LE变SE，进步就等于没进步嘛。
作者: 马鹿    时间: 2024-9-15 20:18
我还以为你才30多岁。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-15 21:56
马鹿 发表于 2024-9-15 04:18
2 \: B: o1 o) f# |5 W; k  p% |我还以为你才30多岁。。。

1 Z0 Z- T7 e& E, u& u西西河一开俺就去了，那都快20年了
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-9-16 01:17
凭借目前公布的硬件参数，是可以轻松实现65nm的，20年前就已经实现的。但是加上现在软件的进步，也就是OPC，提升到45nm就没有问题。如果在加上偏轴式曝光或者移相光罩，突破到28nm问题不大。
" F3 c" V8 j/ e4 c
' Q! _( ]" W4 N7 z国内目前的所有半导体的前沿突破，都不在公开的生产线上，因为敌人可以拆解你的光刻机，制裁你的供应商，从而摧毁你的供应链。, n5 U$ \6 L, k- ^/ Q/ z

- f$ B: v/ B# N1 R1 m/ L凡是公开的，都是敌人无法阻挡的。
作者: 宝特勤    时间: 2024-9-16 06:24
在国外搞过光刻机外围元件的过来支持一下。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 09:46
公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度（wafer/hr），连续生产时长，透镜预热时长等等。
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:19
感谢感谢5 }' D  y# Q( V8 `. g" e6 }: A* {
, F& K) b" Q+ p& [: E' k. M
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
# [; x5 `; N' i& v. z5 \! m0 b( p4 `4 u% @
按照老兄的科普，我理解，现在有一台氟化氩光刻机，使用波长为193nm的ArF激光（氟化氩激光），300mm的晶圆，加上套刻精度≤8nm，以及其它技术手段，能生产65nm的芯片了。就是俗称的65nm光刻机。" y& ?7 z2 K: a- W5 k0 Z. J
确实还属于比较“菜”的 当然，工信部把它放在《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》公布出来，应该是全国产了，这是我们自己的
- ^0 W6 {" Q6 `4 y# I) X5 J0 u& v% g( O2 N
延伸一下老兄的科普，“按照公式193nm对应的极限是90nm”，假设“国内的浸水还在测试”为真，则从90nm做到65nm没有通过“浸水”，而是通过别的技术，可能是【2. 光学临近矫正（OPC）、3. Double-Patterning、4. FinFet/GAA】中的一种或多种。
; J9 o. a8 t9 M1 m/ |' i那如果突破了“浸水”，就可以做到65nm/1.44=45nm了。) i8 u2 N) u0 Q- _

( Z% `4 _$ B7 T1 @" M! f8 v另外，在工信部的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》中，https://www.miit.gov.cn/zwgk/zcw ... 7d635932a464ee.html
( g) y$ X; {- ^' o* A和芯片相关的远不只这一个光刻机，还有很多项：
7 L0 t3 Y/ u) M" W2.1集成电路生产装备
  L3 C+ P% \; @6 Q8 ~2.1.1硅外延炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；应用材料：硅、锗硅
. w) z# f2 Z& E& a9 B2.1.2湿法清洗机 晶圆直径：300mm；工艺节点优于28nm；用于关键层清洗3 G% }# c! f+ ~
2.1.3氧化炉 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
( [" @. u. y' r/ b: b; C" N; V2.1.4涂胶显影机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层涂胶显影5 P9 U) ~! h; t4 y; G8 [  r, Q" L
2.1.5氟化氪光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：248nm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm
. {2 u, J7 s3 K8 r. i* E2.1.6氟化氩光刻机 晶圆直径：300mm；照明波长：193nm；分辨率≤65nm；套刻≤8nm
* K; a5 s) J4 ?! l3 U( I; i2.1.7高能离子注入机 晶圆直径：300mm；注入均匀性≤0.5%；能量范围≥1MeV；能量纯度：99.9%
4 M4 ?4 T/ [: A3 a8 z; q  g2.1.8低能离子注入机 晶圆直径：300mm；能量范围：200eV～50KeV；注入剂量：5×10^13～5×10^16 ions/cm²；束流大小：0.5～30mA
+ x; G2 v: j! h7 e, O2.1.9等离子干法刻蚀机 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层刻蚀5 N' {7 v5 |9 k# W, L4 G' S
2.1.10特种金属膜层刻蚀机刻蚀 晶圆规格：12英寸；CD1σ均匀性（片内、片间、批间）≤3%；MTJ特征CD：25～80nm；MTJ侧壁损伤≤2nm；MTJ侧壁陡直度≥80°
4 A- _% M* r3 j9 w( a2.1.11化学气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
4 ^  |/ S! o" ?2.1.12物理气相沉积装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；用于关键层沉积
4 R0 w1 I& n' B+ _+ i2.1.13化学机械抛光机 & @  t" s, t3 g% X& W7 r/ i
    铜抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率＞5000Å/min
; [% f! i* F  j    钨抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于14nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2000Å/min9 r- o9 D) C" t7 K- R5 C# t- W1 D
    铝抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥2500Å/min1 w* ~" ]  H( A, [! Z. m
    介质抛光：晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm；片内及片间非均匀性≤5%；抛光速率≥1000Å/min
+ {4 V2 N  [7 F6 `5 a4 A0 v3 x: z2.1.14激光退火装备 晶圆直径：300mm；工艺节点等于或优于28nm
2 N0 [3 K$ j( [6 J; H" ~2.1.15光学线宽量测装备 动态重复性：宽度≤0.1nm，高度≤0.15nm，角度≤0.08°；准确性：线性度≥0.9，斜率：within1±0.1；表面颗粒增加≤4颗@＞30nm
1 i1 j8 q$ N3 I7 {0 j: g$ I: h8 |
; s" s8 \9 X, |很有几项明确说了“工艺节点等于或优于28nm”，甚至有“工艺节点等于或优于14nm”的。
/ Q& j; [( |6 L$ W, n  `7 f
作者: 老财迷    时间: 2024-9-16 11:26
moletronic 发表于 2024-9-16 09:46
; G* l2 x% _# F" r4 F公布的参数只能确定的说解决了65nm的有无问题，对于代工厂来说要不要用还有几个关键参数没说。比如生产速度 ...
  F7 E$ q1 d* y- N% E
个人猜测，在这正式公布之前，国内（大陆）自己的代工厂商，肯定已经有使用的了。以目前的政治、技术氛围，各大代工厂必然要背负相关的任务，这关系到大基金的投入、将来的单子。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 11:34
既然公布了，肯定是用过的，具体效果估计比几年前的“90nm”强吧。那个有谣言说就送出一台去某武汉厂（估计是YMTC）验收完了就放一边落灰了。。。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 13:52
另外阿斯麦能做到的：NA=1.35，K1=0.25，对应线宽是36nm。台积7nm的实际线宽是22nm。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-16 14:00
老财迷 发表于 2024-9-15 21:19
& f# d0 [# }; o8 p感谢感谢
4 |4 @3 Y* j8 {# W' S* M0 b0 S# T2 u; k$ F, c2 @
工信部公布的是：2.1.6 氟化氩光刻机  晶圆直径:300mm；照明波长:193nm；分辨率≤ ...

0 t% u; D3 j7 X/ W+ b' w也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！2 F: g7 H: a  f# s- Z
& f6 G) u8 Q8 i# x0 p) X
个人感觉：相比于前一阵的绝对保密，现在放出这消息肯定是有用意的。- D5 `: q/ a& m+ t' f
- i; N. t8 W! A+ I, [1 W" E# s/ _( q
1、内行人一看就知道，还在65nm6 f- D& j8 d4 R$ z* E8 X5 G
2、没说的就不知道到了哪一步，而中国肯定不会满足于65nm
. _5 C7 N% z3 `- _% Z/ P3、一旦这一关过去，下一关应该是28nm光刻机（咳咳，我知道这说法要被内行人狂扁，你知道我的意思，暂且手下留情吧），但说中国还有15年的落后可能误导，追赶总是更快，尤其是这在现在根本不是最领先水平
8 y) w' h+ n# A& ?, L
7 T0 x5 J0 B  Q7 Z; u然后就要等EUV了。! o2 {" s6 u1 M% K' y
7 ?4 o' U$ ^$ W* |$ W
会不会中国人首先解决光源，索性一步到位EUV，但干式先行？不是说俄罗斯EU V光源给力吗？
* C6 g; J1 C" v" P* A' }' r8 }/ o0 D4 @9 u% h% ]
在一段时间里，一旦中国28nm全国产化，芯片爆产能就有工装保障了。这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-16 21:42
EUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 02:46
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00; Z! g4 t) U  o+ {9 Y4 j
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！
  j" D0 P. M7 z0 p& ~
6 |8 {# ~4 T9 @' Y0 E个人感觉：相比于前一阵 ...
$ e/ N/ t6 y" y/ F
不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
! f% \) f0 p, R! E$ x' P+ i/ a# E% J/ C; Z0 b5 a4 `4 X; ]1 R5 S6 y' ]
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm (EUV激光) 的区别。只要没上EUV，那么全都是193nm，即使是台积电的7nm。在典型参数下，193nm光源能做到90nm的线宽。光刻机可以在此基础上改进，比如提高镜头的数值孔径（玩相机的晨大熟悉这个术语），在镜头与硅片之间填充高折射率浸没液体等等。所有这一切努力让单次曝光分辨率顶多能到达38nm的水平，再往下就需要靠大幅度提高工艺复杂度来实现了。主帖中提到double-patterning（更准确的应称之为multiple patterning），其中的曝光、显影、刻蚀等步骤再也不是一次过，而需要反复多遍才能获得更细的等值线宽。
3 w; c3 ]) ^1 I; ~* g+ ]  T- G8 c+ F4 s; |0 F; }
以multiple patterning中的SADP/SAQP技术为例，SADP第一次产生的线条并不是最终想要的东西，它只是用作一个骨架，在上面沉积一层叫spacer的薄膜。然后骨架本身被刻蚀掉，只留下原本贴在其侧壁上的那一部分spacer。打个比方，这有一点像脱胎漆器，当然轻薄细腻了不少。如此得到的spacer再与一个相对宽松的mask合作，才得到最终的电路。
6 G3 ], ~# r  m+ e
1 |  s7 U. [5 V" g; Y4 t' y" y# I/ ^; s. x
SAQP则是将SADP的技法重复两遍，以期获得精密度的倍增。
0 W. ], ~; r6 X8 w! p2 m: ?5 ^4 o7 m
" {, |6 K; T9 m: |, G: ^+ s
% F2 M: b8 W& h" x6 g: D7 s工艺复杂的代价不仅仅是用掉更多的时间和耗材，芯片的良率也随之下降。之所以厂家多年来不断在ArF上挖潜，是因为EUV也有很多劣势。对EUV透光的材料很难找，所以没了传统的透镜组，也不可能再有浸液方案，整个光学系统要靠一系列反射镜来实现。其结果是系统的等效数值孔径远远小于ArF光源的，这就导致EUV对上一代的胜出大幅度缩水，而并不像波长缩短所意味的十多倍那样的差距。从生产出来的实际芯片也可以看出，采用EUV后芯片各方面的指标有提升，但这种提高大致是线性的（如果用以前的速度外延的话），而非峭壁式的飞跃。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:21
moletronic 发表于 2024-9-16 07:42
9 U/ i6 \+ V/ B) B) Q  {) UEUV没有透镜，只有反射镜，整个光学系统完全不同。目前看不会再搞浸水了。 ...
2 c: c* K8 C- T
也就是说，EUV用浸水没有用？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 03:34
沉宝 发表于 2024-9-16 12:46
0 j9 }, q7 y3 \7 {不存在28nm光刻机，只有28nm工艺节点。
7 G% ^$ y) d/ ^3 \" n5 F/ N( {. Y, N8 C* ]* Q
从光刻机所用的光源上来说，只有 193 nm (ArF激光) 和 13.5 nm ( ...
  Y. y2 S6 N6 P4 ~, p
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:38
晨枫 发表于 2024-9-16 11:21! q  O4 w( I* x% _8 r) f
也就是说，EUV用浸水没有用？

8 }: f) R% m# Q) t% d+ d理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 04:39
moletronic 发表于 2024-9-16 14:38
1 u1 @$ Y+ y0 g7 q. f7 E6 r理论上有用，但目前没看到在路线图上。估计是水对EUV的吸收太大，本来EUV光源的强度就小。 ...
# H  w$ l) \( B' g( S1 y! r3 V; j% T6 o
是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 04:43
晨枫 发表于 2024-9-16 12:39
7 D6 Y% A0 i% I9 `' E是哦，连透镜都不能用，水可能更加不行了

9 z* q( J) `( l2 \! |相比透镜，反射镜的光吸收太大了。整个光路系统的损耗太多，最后到达光刻胶的剂量比例很低。
作者: ringxiao    时间: 2024-9-17 07:45
在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。
5 w  V. E0 C) o, D3 i我不懂这方面的技术，看起来说的还是有理有据，供参考。' n. e, F4 t- d/ P+ W% E
) B5 U' h7 [' Z# t: ~
https://zhuanlan.zhihu.com/p/720445357
作者: 老财迷    时间: 2024-9-17 08:06
晨枫 发表于 2024-9-16 14:00+ f6 o$ B7 u0 \; J
也就是说，即使28nm现在还有光刻机瓶颈，其他也都就绪、只欠东风了。这是好事！; F, y# h; Q- \4 T8 L) n4 p

6 X# [; [  V  V/ n' L5 k" Q; D个人感觉：相比于前一阵 ...

- Q. U) Z7 o1 I5 m9 `& X
' n/ }9 M$ R$ M5 i; N6 i
这就要西方好好领教什么叫产能过剩了。
+ i8 w+ T# S$ n
应该会在5年内实现吧。
: Z+ I2 w1 m- p/ T' \  p* V2 K$ c% n7 Y) \+ A
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
3 E+ K9 |" a* T( _# N24-9-16 23:55& d! n! n% u' _
发布于 湖南
0 e7 B; b, s0 U, w1 F来自 微博网页版
. k4 t5 q2 x( J/ t; P' o啊，说过很多次了，#光刻机# 不是挖机
) ?! l9 D- {1 _/ J+ d" z5 {& W6 P不是运过来就能直接开工的。! T) D4 }; n! M; l# A2 g' Q. p) V4 C
他需要调试，需要不断的用，一边用一边调整，等光学畸变稳定——你可以理解为拷机或者汽车发动热机暖机。0 U+ _$ k# k  I3 h% y: o: U

, x0 V- O+ u0 P: _$ ^+ }& B这个时间很长，也是我常年说：5 x1 m2 C; p' {7 {
就算今天ASML传送一台EUV给咱，我们拿到第一批量产的芯片流片完（无论7nm，5nm还是多少）起码2年后——这最乐观的2年时间，还得是对EUV非常有经验的顶级工程师来操作优化。
! H& g6 t( n/ J: I: {0 v1 z/ S3 x1 E3 X3 B* I
现在发布的这台机器是起码3年前就验收了（科工），现在工信部验收推广（产业链），成熟得不行了才拿出来的。你需要，给钱就有，不限量。& M% s* c2 g- P; H" K4 \6 Z
  i% q" ?0 t( W5 y* q  \2 r, w
简单理解就是——这机子是干式光刻机，做的是65-55nm的芯片，一次曝光。
4 N" O* E0 U- c) J9 C( l干式光刻机没啥意义，为什么呢？因为改进之后的也可以出产低制程的，向下兼容并且良率更高（成本低方案成熟）
# K* V0 k$ \0 H多重曝光也不是这哥们来做……（我是不清楚干式光刻机有没人搞这个）
4 S( R% J. ^- S, c" |  ^但这玩意的光路设计啥的，是成型了的。有了它，就加浸没式透镜，修改物镜，最终成品是目前没有验收但肯定存在某个地方的浸没式光刻机，但起码上线了2年了5 ]0 [* l0 S2 L
. k4 q2 [4 T0 b+ o- C
没公布的那个肯定还在不断的调试，修改，更换国产配件。
* C% f2 _: O! Z) K; ?普通人不用管光刻机啥情况——你就看最终产品就是。0 z4 G3 D; y7 m$ _0 @
#华为mate70# 也没多久了。& Z/ E9 ~1 w; M! _" ?/ a/ b
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 08:15
老财迷 发表于 2024-9-16 16:06
& O- S, [+ {6 |: ]1 ]应该会在5年内实现吧。  A6 o. T# c8 o$ w* v
0 s9 h  J; Z3 B- D" h) H& n+ T& Z
微博上有位“沉睡之书11”说的。（不一定准确，可以看看）
& u2 H" z  D. y* S' K0 w

$ ]  s% F- @, \9 n2 }) }这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 08:39
moletronic 发表于 2024-9-16 18:15( e0 m2 P/ _, Y' c1 i; D' L
这个有点扯，新机到货后肯定要调试的，但绝对用不了两年的时间。
6 a4 y5 t- R1 y) A2 M1 `) s  f$ e
但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 10:54
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 18:56 编辑 3 ?3 {2 \9 T9 ]0 ]
晨枫 发表于 2024-9-16 16:39
8 S; l' r2 b4 |3 j但干式到浸润的步子没那么大，这说对了吗？

  k( m6 S! t  r7 O# H8 X! h# q7 r" d7 ], f
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
8 R6 J! S1 d9 h所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:08
晨枫 发表于 2024-9-17 03:349 \' h9 y9 I% h* B- v- z
不过EUV制作7nm可以轻易一次曝光，产率和良率应该提高很多？
/ h* O) K4 g1 z* Q, T1 m
理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积电用193nm光刻机率先量产7nm，三星则以更先进的EUV光刻机应战，由于对新型光刻机的熟悉不足，结果良率低下，很多人抛弃三星。最后三星赔本赚吆喝，开出比台积电低30%的代工费用，才勉强留下大客户。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
moletronic 发表于 2024-9-16 20:54
6 z: F. ?9 f7 p+ [' \0 y按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定1 J9 D0 n- [3 f) Z3 {; V
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...

3 t9 y' T' @8 v+ c9 A7 @# j有道理。
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不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资吊着。不退场，但也不全力以赴。
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中国肯定是全力以赴的。而且倾国之力肯定大于尼康、佳能。
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' g$ N# V$ h, {& q% \1 X0 A) }这会有差别吗？
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:13
沉宝 发表于 2024-9-16 21:08
0 |; n$ h* z8 d  Z- W- A理论上是这样。但制造芯片是个复杂的过程，需要各方面不断打磨，才能接近理想的结果。现实中的例子，台积 ...

' z0 _! Y% H& u( j; _1 x0 U这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:19
moletronic 发表于 2024-9-17 10:545 V7 N% L9 b. @% d" P& _# P1 ~
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定0 v) }; Z8 _/ p5 m' U$ I
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
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还没搞定？ 8 Q) s" m. u# I9 w( X
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的系统。我在的小破公司搭了一个，然后过去一起做，看能不能用。那个时候估计还是早期，这些基础的问题都没个数。做了几个实验，证明可以捕捉到微气泡发生，成长和运动的轨迹，我就撤了。这都十五年过去了。
( F" Q+ k% [) J# T+ f尼康那时候已经有点不灵的迹象，食堂里面睡满了安装队的人。正常的话那些人都是满世界跑给别人装机器的。/ k' _, t7 k: K# `: o$ A
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:21
moletronic 发表于 2024-9-16 20:540 ?; L) Z8 e$ ?9 \9 v" Y, F7 \
按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定* O5 M( p, G3 {! X( O* q: V) u
所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
4 o. {6 W  H' [2 V8 c; ^, t) p: o/ X
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NAND也被卡了，因为光刻机的事，这说法准确吗？高端NAND需要多少nm节点的光刻机？
作者: 雷声    时间: 2024-9-17 11:23
晨枫 发表于 2024-9-17 11:131 S1 V, ?1 V4 _; n( X- [7 q$ x4 _1 S
有道理。
5 x/ }# m- w! q1 [0 Z& K7 Z. t# z1 A6 O4 n* f
不过现在看尼康和佳能的光刻机，总有感觉他们已经三心二意了。既然干不过阿斯麦，就用最小投资 ...
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可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞哪张嘴里。
/ u6 ?% z! L4 P4 t* Y# e很多年前日本媒体评价日本财政用了很形象的词，叫硬直化。所有的钱都有定好的用处，几乎没有活动钱。需要财政支持的时候十分狼狈。该做的事情做不了，钱全都拿去维持日常运转了。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:28
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 19:33 编辑 : E0 p: M0 {' b& m" V
雷声 发表于 2024-9-16 19:19
& O( t# h0 o  h% z还没搞定？ % X% ]2 c% |* X* f; m9 h* m8 e
我可能是09年去给Nikon做实验，他们想搞明白光刻机里面为什么会产生微气泡，想买个做实验的 ...
6 t/ T9 S7 q% F/ B6 M

  Z& d; p7 `7 {7 Y5 TNikon是稳定性不行，被牙膏退货后就没人再买。疫情前去开spie的会，Nikon还吹牛自己行了，但主流客户没人用。8 E1 }4 H7 v9 q& I& h8 \; }
有网上谣言说华为买了些Nikon自己魔改做出了9100…俺比较怀疑真实性。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:31
晨枫 发表于 2024-9-16 19:21  y; T) m" o3 x7 }
突然想起来：现在就聚焦于逻辑芯片，存储芯片用的芯片技术一样吗？前一段听说长江还是谁的128还是256层NA ...
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存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:34
moletronic 发表于 2024-9-16 21:31. q( d; k; D# f, A( x1 N
存储和逻辑的工艺重点不一样，节点体系也不同。存储那边现在还没上EUV。 ...

# b* J: M6 w% ?# ~3 O需要用到浸润DUV吗？
) {( N  C7 x7 ^9 p- u4 l# s: j
, E0 n9 @2 a- ]4 M/ B我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:37
晨枫 发表于 2024-9-16 19:34) j8 M: \# d8 k6 T) ]2 i/ n/ X
需要用到浸润DUV吗？
$ j! p; c, `' A% y. o5 J3 P6 r; N" s
我的问题其实是：65nm光刻机能解决国内NAND厂的设备禁运问题吗？ ...

- V" u! S1 P% y! V. Q5 d% }浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:38
雷声 发表于 2024-9-16 21:23" J. o3 O4 r) F" c! ^
可能是真没钱投资了。这些钱政府应该赞助的，可是政府也难呐，到处都是嗷嗷待哺的嘴，捉了个虫也不知道塞 ...
2 k& _4 b# X# {$ l1 \
是的，需要钱的地方太多，但光刻机和芯片可能是不计代价砸钱的方向，优先级比谁都高。这个瓶颈突破后，不只是军事、科技上的阳关道，经济上也是大片的处女地啊。
5 r9 r# G/ f9 q6 p3 W  q0 y- A1 z; W0 Y$ y. u5 ]8 l7 a
硬直化很形象。确实，西方家大业大，花钱手笔也大，但每一笔钱都预定了用处，活动余地真心很小。你看看美国在预算削减时那个鸡飞狗跳，就知道真是谁都动不得。“平均剃头”是公认的最坏选择，但是唯一大家可接受的选择。
作者: 晨枫    时间: 2024-9-17 11:40
moletronic 发表于 2024-9-16 21:37
4 }2 M+ \/ t6 f( H浸水还是要的，这国产光刻机按公布的指标应该还是没法满足YMTC的全部要求。 ...
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都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？
作者: 沉宝    时间: 2024-9-17 11:43
moletronic 发表于 2024-9-17 10:54
# ], t$ Z: q) |/ ]) g3 B2 R按说这个跨越不算大，但Nikon就是浸水没搞定
' T) r) H0 r# t+ N1 b: Q所以俺不敢做预测，只敢对已知的做评述 ...
% Q" W: k, a3 A+ k
具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均匀，从而折射率不均匀，影响成像。为了避免温差，必须让水快速流动混合，但又要避免产生漩涡或者析出气泡。水可以把所接触物品上的杂质洗下来，带到晶圆上，形成缺陷。当初ASML搞浸润式光刻机时，在浸液系统上与林本坚团队合作，方案修改了7-8回，耗时两年多才取得满意的结果。
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 11:59
本帖最后由 moletronic 于 2024-9-16 20:02 编辑 " x- S/ Q! c2 j' a7 c
沉宝 发表于 2024-9-16 19:43
) C& e* z7 X+ |7 b7 R" h2 f具体工作中还是有很多细节要克服。例如曝光时照到光的水会比遮蔽区的水热一点，这个温差会让水的密度不均 ...
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% R6 m( g5 m' C0 Y% k
这当然不容易，不过两年挺快啦，看看牙膏的10nm……
作者: moletronic    时间: 2024-9-17 12:01
晨枫 发表于 2024-9-16 19:40+ l4 k0 w: x( P& P& h/ p' @% \
都说工信部这光刻机不是浸润式，但193nm光源，65nm分辨率，正好是2*1.44倍，是不是太巧了？ ...

( K% C* @+ [7 E! f" s3 j不知道啦，也许是隐晦放风的说法。
作者: hsb    时间: 2024-9-17 17:38
晨枫 发表于 2024-9-17 11:13
6 U8 S+ h$ n4 X5 s5 f1 [这倒是个问题。都说韩国人拼，看来还是拼不过中国人。台湾人也是中国人嘛。 ...

; _6 U  `8 Z! Z4 r0 ^3 b# Y中国大，各地方人气质不一，各擅胜场。精细活儿江南地方超过东北山东。如此说来，韩国近东北山东，台湾精英是江浙后代。
作者: 陈王奋起挥黄钺    时间: 2024-10-1 20:38
ringxiao 发表于 2024-9-17 07:45
2 j0 z4 H5 D& Y2 k在知乎看到一篇文章，应该是业内人士写的，他对目前的进度并不乐观。* K* j* l8 K; @: x
我不懂这方面的技术，看起来说的还是 ...

% F& x0 R' q! {% Z. T8 k我知道这哥们，他对国内的半导体进展完全不知道。他是半导体设备供应商，WW，他只能知道外围的东东。



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